法请参照图2中的(c)图、(d)图、(e)图(f)图。掩膜条103的材料可采用氮化硅材料。此夕卜，优选的，在本实施例中，多个掩膜条103等间距排列。
[0027]步骤120的具体方法包括:
[0028]在图2的(c)图中，利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在硅层101上沉积由氮化硅材料构成的掩膜层200，其厚度约为300纳米，并具有抗腐蚀的作用。
[0029]在图2的(d)图中，在掩膜层上等间距涂布光刻胶104。这里，掩膜层200的一部分被光刻胶104覆盖，其另一部分未被光刻胶104覆盖。
[0030]在图2的(e)图中，将掩膜层200的未被光刻胶104覆盖的部分去除。这里，可例如采用干法刻蚀将掩膜层200的未被光刻胶104覆盖的另一部分刻蚀去除。
[0031]在图2的(f)图中，将涂布的光刻胶104去除，从而形成等间距排列的多个掩膜条103。这里，每个掩膜条103的长度方向为垂直于纸面的方向。此外，多个掩膜条103之间的间距不小于将要形成的楔形硅结构的高度的1.15倍，因此，本实施例的多个掩膜条103之间的间距约为150微米。
[0032]在步骤130中，将硅层101的未被掩膜条103覆盖的部分去除，其中，硅层101的被掩膜条103覆盖的部分的截面形状可为梯形形状。该步骤的方法请参照图2中的(g)图。在图2的(g)图中，可利用851:、40被％的氢氧化钾溶液对硅层101的未被掩膜条103覆盖的部分进行腐蚀去除，直至使硅层101的未被掩膜条103覆盖的部分下的玻璃102露出。
[0033]在步骤140中，将多个掩膜条103去除，以将硅层101的被掩膜条103覆盖的部分暴露。该步骤的具体方法请参照图2中的(h)图。在图2的(h)图中，可利用干法刻蚀方法将多个掩膜条103去除，以使被掩膜条103覆盖的硅层101暴露。
[0034]在步骤150中，在步骤140中暴露的呈梯形形状的硅层101的侧斜壁上涂布多个光刻胶104。该步骤的具体方法请参照图2中的(i)图及图3。在图2的(i)图和图3中，在步骤140中暴露的呈梯形形状的硅层101的侧斜壁上涂布厚胶，以将厚胶涂满所述倾斜壁。静置5秒后，先利用1000转/分以下的速度进行旋涂，再用1000转/分至4000转/分的速度进行高速旋涂，使厚胶良好地覆盖在所述倾斜壁上，然后进行光刻，从而步骤140中暴露的呈梯形形状的硅层101的侧斜壁上等间距排列的多个光刻胶106。
[0035]在步骤160中，将步骤150中未被光刻胶104覆盖的硅层101去除。该步骤的具体方法请参照图2中的(j)图。在图2的(j)图中，对未被光刻胶106覆盖的硅层101进行深硅刻蚀，直至完全去除未覆盖光刻胶106区域的硅层101。
[0036]在步骤170中，将步骤150中涂布的光刻胶106去除，从而形成阵列排布的楔形硅结构105。具体请参照图2中的(k)图。
[0037]综上所述，本发明提供的楔形硅结构阵列的制作方法，相比于目前常用的柔性材料倒模、浇铸等工艺制备的楔形结构阵列，具有工艺简单，成品率高，适合大批量制造的特点，并且所制备的楔形硅结构强度高，使用寿命长。
[0038]虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解:在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。
【主权项】
1.一种楔形硅结构阵列的制作方法，其特征在于，包括步骤: A)在衬底上键合形成预定厚度的硅层； B)在所述预定厚度的硅层上形成多个掩膜条； C)将所述硅层的未被所述掩膜条覆盖的部分去除； D)将所述掩膜条去除，以将所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分暴露； E)在步骤D)中暴露的所述硅层的侧斜壁上涂布多个光刻胶； F)将步骤E)中未被所述光刻胶覆盖的硅层去除； G)将步骤E)中涂布的所述光刻胶去除，从而形成阵列排布的楔形硅结构。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述倾斜壁与所述衬底的表面的夹角为50°至60°。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底的材料为玻璃，其中，所述步骤A)的具体方法包括: 将由玻璃形成的衬底与硅片进行阳极键合； 将所述硅片减薄，以形成所述预定厚度的硅层。4.根据权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，所述预定厚度等于所述楔形硅结构的高度。5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述硅片为双面抛光的硅片。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在步骤B)中，所述多个掩膜条等间距排列。7.根据权利要求1或6所述的制作方法，其特征在于，所述步骤B)的具体方法包括: 在所述预定厚度的硅层上形成掩膜层； 在所述掩膜层上等间距涂布光刻胶； 将所述掩膜层的未被光刻胶覆盖的部分去除； 将涂布的光刻胶去除，从而形成等间距排列的所述多个掩膜条。8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述多个掩膜条之间的间距不小于所述楔形硅结构的高度的1.15倍。9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在步骤E)中，所述多个光刻胶等间距排列。10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分的截面形状为梯形形状。
【专利摘要】本发明公开一种楔形硅结构阵列的制作方法，包括步骤：A)在衬底上键合形成预定厚度的硅层；B)在所述预定厚度的硅层上形成多个掩膜条；C)将所述硅层的未被所述掩膜条覆盖的部分去除，其中，所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分的截面形状为梯形形状；D)将所述掩膜条去除，以将所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分暴露；E)在步骤D)中暴露的所述硅层的侧斜壁上涂布多个光刻胶；F)将步骤E)中未被所述光刻胶覆盖的硅层去除；G)将步骤E)中涂布的所述光刻胶去除，从而形成阵列排布的楔形硅结构。本发明的楔形硅结构阵列的制作方法，工艺简单，成品率高，适合大批量制造的特点，并且所制备的楔形硅结构强度高，使用寿命长。
【IPC分类】B81C1/00
【公开号】CN105366631
【申请号】CN201410421996
【发明人】俞骁, 曾春红, 张宝顺
【申请人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2014年8月25日
[0027]步骤120的具体方法包括:
[0028]在图2的(c)图中，利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在硅层101上沉积由氮化硅材料构成的掩膜层200，其厚度约为300纳米，并具有抗腐蚀的作用。
[0029]在图2的(d)图中，在掩膜层上等间距涂布光刻胶104。这里，掩膜层200的一部分被光刻胶104覆盖，其另一部分未被光刻胶104覆盖。
[0030]在图2的(e)图中，将掩膜层200的未被光刻胶104覆盖的部分去除。这里，可例如采用干法刻蚀将掩膜层200的未被光刻胶104覆盖的另一部分刻蚀去除。
[0031]在图2的(f)图中，将涂布的光刻胶104去除，从而形成等间距排列的多个掩膜条103。这里，每个掩膜条103的长度方向为垂直于纸面的方向。此外，多个掩膜条103之间的间距不小于将要形成的楔形硅结构的高度的1.15倍，因此，本实施例的多个掩膜条103之间的间距约为150微米。
[0032]在步骤130中，将硅层101的未被掩膜条103覆盖的部分去除，其中，硅层101的被掩膜条103覆盖的部分的截面形状可为梯形形状。该步骤的方法请参照图2中的(g)图。在图2的(g)图中，可利用851:、40被％的氢氧化钾溶液对硅层101的未被掩膜条103覆盖的部分进行腐蚀去除，直至使硅层101的未被掩膜条103覆盖的部分下的玻璃102露出。
[0033]在步骤140中，将多个掩膜条103去除，以将硅层101的被掩膜条103覆盖的部分暴露。该步骤的具体方法请参照图2中的(h)图。在图2的(h)图中，可利用干法刻蚀方法将多个掩膜条103去除，以使被掩膜条103覆盖的硅层101暴露。
[0034]在步骤150中，在步骤140中暴露的呈梯形形状的硅层101的侧斜壁上涂布多个光刻胶104。该步骤的具体方法请参照图2中的(i)图及图3。在图2的(i)图和图3中，在步骤140中暴露的呈梯形形状的硅层101的侧斜壁上涂布厚胶，以将厚胶涂满所述倾斜壁。静置5秒后，先利用1000转/分以下的速度进行旋涂，再用1000转/分至4000转/分的速度进行高速旋涂，使厚胶良好地覆盖在所述倾斜壁上，然后进行光刻，从而步骤140中暴露的呈梯形形状的硅层101的侧斜壁上等间距排列的多个光刻胶106。
[0035]在步骤160中，将步骤150中未被光刻胶104覆盖的硅层101去除。该步骤的具体方法请参照图2中的(j)图。在图2的(j)图中，对未被光刻胶106覆盖的硅层101进行深硅刻蚀，直至完全去除未覆盖光刻胶106区域的硅层101。
[0036]在步骤170中，将步骤150中涂布的光刻胶106去除，从而形成阵列排布的楔形硅结构105。具体请参照图2中的(k)图。
[0037]综上所述，本发明提供的楔形硅结构阵列的制作方法，相比于目前常用的柔性材料倒模、浇铸等工艺制备的楔形结构阵列，具有工艺简单，成品率高，适合大批量制造的特点，并且所制备的楔形硅结构强度高，使用寿命长。
[0038]虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解:在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。
【主权项】
1.一种楔形硅结构阵列的制作方法，其特征在于，包括步骤: A)在衬底上键合形成预定厚度的硅层； B)在所述预定厚度的硅层上形成多个掩膜条； C)将所述硅层的未被所述掩膜条覆盖的部分去除； D)将所述掩膜条去除，以将所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分暴露； E)在步骤D)中暴露的所述硅层的侧斜壁上涂布多个光刻胶； F)将步骤E)中未被所述光刻胶覆盖的硅层去除； G)将步骤E)中涂布的所述光刻胶去除，从而形成阵列排布的楔形硅结构。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述倾斜壁与所述衬底的表面的夹角为50°至60°。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底的材料为玻璃，其中，所述步骤A)的具体方法包括: 将由玻璃形成的衬底与硅片进行阳极键合； 将所述硅片减薄，以形成所述预定厚度的硅层。4.根据权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，所述预定厚度等于所述楔形硅结构的高度。5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述硅片为双面抛光的硅片。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在步骤B)中，所述多个掩膜条等间距排列。7.根据权利要求1或6所述的制作方法，其特征在于，所述步骤B)的具体方法包括: 在所述预定厚度的硅层上形成掩膜层； 在所述掩膜层上等间距涂布光刻胶； 将所述掩膜层的未被光刻胶覆盖的部分去除； 将涂布的光刻胶去除，从而形成等间距排列的所述多个掩膜条。8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述多个掩膜条之间的间距不小于所述楔形硅结构的高度的1.15倍。9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在步骤E)中，所述多个光刻胶等间距排列。10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分的截面形状为梯形形状。
【专利摘要】本发明公开一种楔形硅结构阵列的制作方法，包括步骤：A)在衬底上键合形成预定厚度的硅层；B)在所述预定厚度的硅层上形成多个掩膜条；C)将所述硅层的未被所述掩膜条覆盖的部分去除，其中，所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分的截面形状为梯形形状；D)将所述掩膜条去除，以将所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分暴露；E)在步骤D)中暴露的所述硅层的侧斜壁上涂布多个光刻胶；F)将步骤E)中未被所述光刻胶覆盖的硅层去除；G)将步骤E)中涂布的所述光刻胶去除，从而形成阵列排布的楔形硅结构。本发明的楔形硅结构阵列的制作方法，工艺简单，成品率高，适合大批量制造的特点，并且所制备的楔形硅结构强度高，使用寿命长。
【IPC分类】B81C1/00
【公开号】CN105366631
【申请号】CN201410421996
【发明人】俞骁, 曾春红, 张宝顺
【申请人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2014年8月25日
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