在MEMS元件和ASIC元件上的键合结构的制作方法

技术特征：

1.mems元件(100)，该mems元件具有：

-衬底(10)；

-布置在所述衬底(10)上的第一钝化层(20)；

-布置在所述第一钝化层(20)上的金属层(30)；

-在所述金属层(30)上并且在所述第一钝化层(20)上布置的第二钝化层(40)；和

-凸模元件(60)，其中，在所述凸模元件(60)上并且在所述第二钝化层(40)上布置有能导电的扩散阻隔层(50)，其中，在所述凸模元件(60)上布置有第一键合元件(70)。

2.根据权利要求1所述的mems元件(100)，其特征在于，所述凸模元件(60)的材料是铝或电介质。

3.根据权利要去1或2所述的mems元件(100)，其特征在于，所述扩散阻隔层(50)相对于所述第一键合元件(70)是抗扩散的。

4.根据前述权利要求中任一项所述的mems元件(100)，其特征在于，所述扩散阻隔层(50)在平面区域中具有缺口(50c)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的mems元件(100)，其特征在于，所述扩散阻隔层(50)包括两个部分阻隔层(50a、50b)。

6.根据权利要求5所述的mems元件(100)，其特征在于，第一部分阻隔层(50a)是结构化的。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的mems元件(100)，其特征在于，所述凸模元件(60)布置在所述第一钝化层(20)上。

8.根据前述权利要求中任一项所述的mems元件(100)，其特征在于，所述凸模元件(60)布置在所述第二钝化层(20)的缺口(41)上。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的mems元件(100)，其特征在于，所述凸模元件(60)布置在所述第一钝化层(20)上，其中，所述第一钝化层(20)的彼此隔开的缺口围绕所述凸模元件(60)构造，其中，所述扩散阻隔层(50)布置在所述第二钝化层(40)上并且布置在所述第一钝化层(20)的缺口上。

10.根据权利要求2至9中任一项所述的mems元件(100)，其特征在于，所述凸模元件(60)的材料是电介质并且所述扩散阻隔层(50)是结构化的。

11.asic元件(200)，该asic元件具有：

-第二衬底(110)；

-布置在所述第二衬底(110)上的asic功能层(120)；

-布置在所述asic功能层(120)上的金属层(121)和具有贯通接触部(122)的氧化物层(130)；

-布置在所述氧化物层(130)上的钝化层(140)，该钝化层构造为间距保持元件和盆元件，其中，在共晶键合过程中能够将键合元件沉入到所述盆元件中，其中，能够防止共晶体(141)的流出。

12.根据权利要求11所述的asic元件(100)，其特征在于，在所述钝化层(140)中构造有与第二键合元件(123)分开的金属结构。

13.微机械传感器，具有根据权利要求1至10中任一项所述的mems元件(100)和与所述mems元件(100)共晶键合的根据权利要求11或12所述的asic元件(200)。

14.用于制造微机械传感器(100)的方法，所述方法具有以下步骤：

-提供传感器元件；

-提供具有形状稳定的凸模元件(60)和布置在所述凸模元件上的第一键合元件(70)的mems元件(100)；

-提供具有构造在钝化层(140)中的盆结构和间距保持结构的asic元件(200)，该盆结构具有布置在其中的第二键合元件(123)；

-使所述mems元件(100)与所述asic元件(200)共晶键合，使得所述凸模元件(60)沉入到所述盆结构中并且借助于所述间距保持结构提供在所述mems元件(100)和所述asic元件(200)之间的限定的间距。

技术总结
MEMS元件(100)，具有：‑衬底(10)；‑布置在所述衬底(10)上的第一钝化层(20)；‑布置在所述第一钝化层(20)上的金属层(30)；‑在所述金属层(30)上并且在所述第一钝化层(20)上布置的第二钝化层(40)；和‑凸模元件(60)，其中，在所述凸模元件(60)上并且在所述第二钝化层(40)上布置有能导电的扩散阻隔层(50)，其中，在所述凸模元件(60)上布置有第一键合元件(70)。

技术研发人员：V·森兹;T·弗里德里希;F·霍伊克;P·施莫尔林格鲁贝尔;M·施瓦茨;J·托马斯科
受保护的技术使用者：罗伯特·博世有限公司
技术研发日：2019.03.07
技术公布日：2020.11.13