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形成图案化金属层的方法与流程

2020-05-12 14:44:00 来源:中国专利 TAG:半导体 图案 金属 方法

技术特征:

1.一种形成图案化金属层的方法,其特征在于,包括:

提供基板,并在所述基板上依次形成有机涂层和光刻胶层;

图形化所述光刻胶层;

刻蚀所述有机涂层,使所述有机涂层相对于所述光刻胶层形成底切结构;

沉积金属材料;

去除所述有机涂层、所述光刻胶层以及光刻胶层上方的金属材料,形成图案化的金属层。

2.根据权利要求1所述的形成图案化金属层的方法,其特征在于,所述刻蚀所述有机涂层包括将所述有机涂层溶解于预设温度的纯水。

3.根据权利要求2所述的形成图案化金属层的方法,其特征在于,所述预设温度高于常温。

4.根据权利要求3所述的形成图案化金属层的方法,其特征在于,所述有机涂层的材料包括聚乙烯醇。

5.根据权利要求4所述的形成图案化金属层的方法,其特征在于,所述聚乙烯醇的醇解度为87%~89%。

6.根据权利要求5所述的形成图案化金属层的方法,其特征在于,所述预设温度大于等于65摄氏度。

7.根据权利要求6所述的形成图案化金属层的方法,其特征在于,所述有机涂层的溶解速度为

8.根据权利要求7所述的形成图案化金属层的方法,其特征在于,所述在所述基板上依次形成有机涂层和光刻胶层包括:

在所述基板上涂覆聚乙烯醇溶液;

烘烤所述聚乙烯醇溶液以形成有机涂层;

于所述有机涂层上涂覆光刻胶形成所述光刻胶层。

9.根据权利要求8所述的形成图案化金属层的方法,其特征在于,所述沉积金属材料的步骤包括:

采用物理气相沉积或电子枪束法沉积金属材料。

10.根据权利要求9所述的形成图案化金属层的方法,其特征在于,所述去除所述有机涂层、所述光刻胶层以及光刻胶层上方的金属材料包括:

使用有机溶剂溶解所述有机涂层和所述光刻胶层以去除所述光刻胶层上方的金属材料,所述有机溶剂包括nmp或ekc溶液。


技术总结
本发明涉及一种形成图案化金属层的方法,包括:提供基板,并在基板上依次形成有机涂层和光刻胶层;图形化光刻胶层;刻蚀有机涂层,使有机涂层相对于光刻胶层形成底切结构;沉积金属材料;去除有机涂层、光刻胶层以及光刻胶层上方的金属材料,形成图案化的金属层。上述形成图案化金属层的方法通过在基板上先形成有机涂层再形成光刻胶层,刻蚀有机涂层使有机涂层相对于光刻胶层形成底切结构,也即有机涂层和光刻胶层之间形成台阶,进而在沉积金属层时由于光刻胶层和有机涂层之间不连续,金属层无法在底切结构底部形成,便于去除光刻胶层上的金属材料,且通过控制对有机涂层的刻蚀过程便于控制金属剥离工艺的窗口大小。

技术研发人员:陈志刚
受保护的技术使用者:中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
技术研发日:2019.12.16
技术公布日:2020.05.12
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