温度传感器制备方法及温度传感器与流程

技术特征：

1.一种温度传感器制备方法，其特征在于，包括：

在硅片上形成若干沟槽；

热退火使所述若干沟槽变形后相互连通形成一空腔，且所述硅片在所述空腔上方连接起来，将所述空腔封闭；

氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜；

在所述氧化硅薄膜上形成测温单元，所述测温单元用于感测环境温度。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽的宽度范围为0.6μm～1μm，所述沟槽的深度范围为1μm～10μm，所述相邻沟槽之间的间隔范围为0.6μm～1μm。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热退火具体为在氢气环境中热退火，所述热退火的温度为1000℃。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在得到所述氧化硅薄膜后还包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为：

在所述氧化硅薄膜上淀积一层第一金属层，所述第一金属层为金属铂层，所述金属铂层呈连续弓字形结构；

在所述金属铂层最外侧两端各淀积一层第二金属层，用于引出所述温度传感器的输出端子。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为：

在所述氧化硅薄膜上淀积一层多晶硅层，所述多晶硅层包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条；

在所述多晶硅上淀积第三金属层，所述第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的第一金属结构，所述n型多晶硅条和p型多晶硅条通过所述第一金属结构串联，所述第三金属层还包括位于所述多晶硅层最外侧两端的第二金属结构，用于引出所述温度传感器的输出端子。

7.如权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述金属层上形成钝化层，并在所述钝化层上对应所述温度传感器引出输出端子处设有通孔。

8.一种温度传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜，所述硅片与所述氧化硅薄膜之间形成有空腔；

和测温单元，所述测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述测温单元用于感测环境温度。

9.如权利要求8所述的温度传感器，其特征在于，所述测温单元包括：

第一金属层，所述第一金属层为金属铂层，所述金属铂层呈连续弓字形结构；

和第二金属层，位于所述金属铂层最外侧两端，用于引出所述温度传感器的输出端子。

10.如权利要求8所述的温度传感器，其特征在于，所述测温单元包括：

多晶硅层，包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条；

和第三金属层，所述第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的第一金属结构，所述n型多晶硅条和p型多晶硅条通过所述第一金属结构串联，所述第三金属层还包括位于所述多晶硅层最外侧两端的第二金属结构，用于引出所述温度传感器的输出端子。