技术总结
本发明提供一种渐变尺寸的纳米通道的制作方法,包括:纳米线条结构模板的制作:在石英玻璃基片一的一侧表面涂覆光刻胶一;然后进行全息曝光,曝光结束后显影,直至在光刻胶一出现纳米线条结构;将显影后的光刻胶一在保护气下进行离子束刻蚀,刻蚀结束后去除光刻胶得到纳米线条结构模板;纳米压印转移模板上的纳米线条结构:在石英玻璃基片二上涂覆光刻胶二;将纳米线条结构模板涂覆脱模剂后压入光刻胶二,进行紫外曝光,直至该模板上的纳米线条结构转移到光刻胶二上;转移完成后,将光刻胶二进行改性固化,脱除纳米线条结构模板;将纳米线条结构基片上纳米线条结构区域分成若干部分,按照顺序以渐变角度一一进行二氧化硅薄膜沉积。
技术研发人员:金建;邸思;袁海
受保护的技术使用者:深圳先进技术研究院;广州中国科学院先进技术研究所
技术研发日:2019.12.05
技术公布日:2020.03.24
本发明提供一种渐变尺寸的纳米通道的制作方法,包括:纳米线条结构模板的制作:在石英玻璃基片一的一侧表面涂覆光刻胶一;然后进行全息曝光,曝光结束后显影,直至在光刻胶一出现纳米线条结构;将显影后的光刻胶一在保护气下进行离子束刻蚀,刻蚀结束后去除光刻胶得到纳米线条结构模板;纳米压印转移模板上的纳米线条结构:在石英玻璃基片二上涂覆光刻胶二;将纳米线条结构模板涂覆脱模剂后压入光刻胶二,进行紫外曝光,直至该模板上的纳米线条结构转移到光刻胶二上;转移完成后,将光刻胶二进行改性固化,脱除纳米线条结构模板;将纳米线条结构基片上纳米线条结构区域分成若干部分,按照顺序以渐变角度一一进行二氧化硅薄膜沉积。
技术研发人员:金建;邸思;袁海
受保护的技术使用者:深圳先进技术研究院;广州中国科学院先进技术研究所
技术研发日:2019.12.05
技术公布日:2020.03.24
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。