曲面纳米结构的制备方法与流程

技术特征：

1.一种曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在衬底上旋涂电子束抗蚀剂，形成抗蚀层；

将所述抗蚀层进行曝光和显影，得到具有图案的所述抗蚀层；及

对所述衬底和具有图案的所述抗蚀层进行离子刻蚀，以使所述抗蚀层被刻蚀，并使所述衬底上形成曲面凹槽，得到曲面纳米结构。

2.根据权利要求1所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述将所述抗蚀层进行曝光和显影，得到具有图案的所述抗蚀层的步骤中，所述图案的宽度至少为50nm，所述图案的间距至少为10nm。

3.根据权利要求1所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述将所述抗蚀层进行曝光和显影的步骤中，曝光剂量为1c/m²～10c/m²，显影液为体积比为1∶1～3∶1的异丙醇与甲基异丁基甲酮的混合液，显影时间为1分钟～5分钟。

4.根据权利要求1所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述抗蚀层的厚度至少为50nm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述抗蚀层的厚度为50nm～300nm。

6.根据权利要求1所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述电子束抗蚀剂选自聚甲基丙烯酸甲酯、德国allresist的ar-p6200及日本zeon的zep520中的一种。

7.根据权利要求1所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述对所述衬底和具有图案的所述抗蚀层进行离子刻蚀的步骤中，刻蚀气体为sf6和chf3的混合气体，所述sf6的流量为6sccm～16sccm，所述chf3的流量为60sccm～80sccm，刻蚀功率为100w～1200w。

8.根据权利要求1或7所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述对所述衬底和具有图案的所述抗蚀层进行离子刻蚀的步骤中，反应室压强为3mtorr～12mtorr。

9.根据权利要求1所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述在衬底上旋涂电子束抗蚀剂的步骤之前，还包括清洗所述衬底的步骤。

10.根据权利要求9所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述清洗所述衬底的步骤包括：先用sc1清洗液清洗所述衬底，再用sc2清洗液清洗所述衬底，其中，所述sc1清洗液包括体积比为1∶1∶(5～10)的nh4oh、h2o2及水，所述sc2清洗液包括体积比为1∶1∶(5～10)的hcl、h2o2及水。

技术总结
本发明涉及一种曲面纳米结构的制备方法。上述曲面纳米结构的制备方法包括如下步骤：在衬底上旋涂电子束抗蚀剂，形成抗蚀层；将抗蚀层进行曝光和显影，得到具有图案的抗蚀层；对衬底和具有图案的抗蚀层进行离子刻蚀，以使抗蚀层被刻蚀，并使衬底上形成曲面凹槽，得到曲面纳米结构。上述曲面纳米结构的制备方法工艺简单且能够得到具有光滑曲面的纳米结构。

技术研发人员：段天利;张锐;王尧;徐康;马续航;瞿学选
受保护的技术使用者：南方科技大学
技术研发日：2019.08.02
技术公布日：2019.12.20