技术特征：
技术总结
本发明公开了一种RF‑MEMS开关复合牺牲层制备方法，属于RF‑MEMS器件制造技术领域。该方法包括平坦化填充、金属牺牲层溅射刻蚀、光刻胶牺牲层制备等步骤。采用本发明方法，可以提高MEMS开关梁的平整性，实现10nm~500nm低触点间距开关梁的制备，从而提高MEMS开关的可靠性，降低MEMS开关驱动电压。
技术研发人员：徐亚新;梁广华;赵飞;庄治学;魏浩;陈雨;龚孟磊
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十四研究所
技术研发日：2019.07.17
技术公布日：2019.10.15
再多了解一些
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