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一种共晶键合结构及共晶键合方法与流程

2019-08-06 23:43:00 来源:中国专利 TAG:半导体 结构 申请 方法 共晶键合

技术特征:

技术总结
本申请提供一种共晶键合结构和共晶键合方法,该共晶键合方法包括:在第一基片形成由第一材料形成的连同的第一主键合图形和第一补充键合图形;在第二基片形成由第二材料形成的连同的第二主键合图形和第二补充键合图形,第一材料不同于第二材料;将第一基片和第二基片加热至第一预定温度,并施加预定压力,使第一主键合图形和第二主键合图形、第一补充键合图形和第二补充键合图形共晶熔化;将第一基片和第二基片降温至第二预定温度,其中,第一补充键合图形和第二补充键合图形的共晶熔化温度低于第一主键合图形和第二主键合图形的共晶熔化温度,第一主键合图形和第二主键合图形的共晶熔化温度低于第一预定温度。根据本申请,能提高共晶键合的质量。

技术研发人员:丁刘胜;王诗男;游家杰;李盈
受保护的技术使用者:上海新微技术研发中心有限公司
技术研发日:2018.01.30
技术公布日:2019.08.06
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