用于静摩擦补偿的磁性纳米机械器件的制作方法

技术特征：

1.一种纳米机电(NEMS)器件，包括：

衬底层；

第一磁性层，其设置在所述衬底层上方，所述第一磁性层具有顶表面；

第一电介质层，其设置在所述第一磁性层的整个顶表面上方；

第二电介质层，其设置在所述第一电介质层上方；以及

悬臂，其设置在所述第二电介质层上方，当将电压施加到所述悬臂时，所述悬臂从第一位置朝着所述衬底层弯曲到第二位置，

其中，所述悬臂包括第二磁性层和设置在所述第二磁性层上方的多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的纳米机电器件，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层产生抵消粘附场的磁场以降低所述纳米机电器件的操作电压。

3.根据权利要求1所述的纳米机电器件，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层产生抵消粘附场的磁场，以增加所述悬臂的长度和厚度的尺寸范围并增加所述悬臂与所述第一电介质层之间的可接受间隙的范围。

4.根据权利要求2所述的纳米机电器件，其中，所述悬臂在处于所述第二位置时接触所述第一电介质层，所述粘附场施加用于保持所述悬臂与所述第一电介质层接触的力。

5.根据权利要求4所述的纳米机电器件，其中，当从所述悬臂去除电压时，所述悬臂从所述第二位置恢复到不与所述第一电介质层接触的所述第一位置。

6.根据权利要求1所述的纳米机电器件，还包括：

设置在所述衬底上方的非磁性层。

7.根据权利要求1所述的纳米机电器件，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层包括钴(Co)。

8.一种纳米机电(NEMS)器件，包括：

衬底；

在所述衬底上方设置或在所述衬底中形成的源极区；

在所述衬底上方设置或在所述衬底中形成的漏极区；以及

在所述衬底上方设置或在所述衬底中形成的栅极区，所述栅极区具有第一磁性层，其中，所述源极区包括具有第二磁性层的悬臂，当将电压施加到所述栅极区时，所述悬臂从第一位置弯曲到与所述漏极区接触的第二位置，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层由纳米磁铁构成，并且其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层彼此排斥。

9.根据权利要求8所述的纳米机电器件，其中，所述纳米机电器件是用于在所述第一位置与所述第二位置之间切换的继电器。

10.根据权利要求8所述的纳米机电器件，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层产生抵消粘附场的磁场以降低所述纳米机电器件的操作电压。

11.根据权利要求8所述的纳米机电器件，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层产生抵消粘附场的磁场以增加所述悬臂的长度和厚度的尺寸范围并增加所述悬臂与所述漏极区之间的可接受间隙的范围。

12.根据权利要求10所述的纳米机电器件，其中，所述悬臂包括在处于所述第二位置时接触所述漏极区的自由端，所述粘附场施加用于保持所述悬臂与所述漏极区接触的力。

13.根据权利要求12所述的纳米机电器件，其中，当从所述栅极区去除电压时，所述悬臂从所述第二位置恢复到不与所述漏极区接触的所述第一位置。

14.根据权利要求8所述的纳米机电器件，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层包括钴(Co)。

15.一种计算设备，包括：

至少一个处理器，其用于执行一个或多个软件程序的指令；以及

至少一个通信芯片，其通信地耦合到所述至少一个处理器，其中，所述至少一个处理器或所述至少一个通信芯片还包括至少一个纳米机电(NEMS)器件，所述纳米机电器件包括源极区、漏极区、以及具有第一磁性层的栅极区，其中，所述源极区包括具有第二磁性层的悬臂，当将电压施加到所述栅极区时，所述悬臂从第一位置弯曲到与所述漏极区接触的第二位置，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层由纳米磁铁构成，并且其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层彼此排斥。

16.根据权利要求15所述的计算设备，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层产生抵消粘附场的磁场以降低所述纳米机电器件的操作电压。

17.根据权利要求15所述的计算设备，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层产生抵消粘附场的磁场，以增加所述悬臂的长度和厚度的尺寸范围以及所述悬臂与所述漏极区之间的可接受间隙的范围。

18.根据权利要求16所述的计算设备，其中，所述悬臂包括在处于所述第二位置时接触所述漏极区的自由端，所述粘附场施加用于保持所述悬臂与所述漏极区接触的力。

19.根据权利要求15所述的计算设备，其中，当从所述栅极区去除电压时，所述悬臂从所述第二位置恢复到不与所述漏极区接触的所述第一位置。

20.一种用于制造具有纳米磁铁的纳米机电(NEMS)器件的方法，包括：

在衬底上形成至少一个非磁性金属层；

在所述至少一个非磁性金属层上形成第一铁磁金属层；

在所述铁磁层上形成第一电介质层；

在所述第一电介质层上沉积第二电介质层；

在所述第二电介质层上形成第二铁磁金属层；

在所述第二铁磁层上沉积多晶硅层；

蚀刻未被光致抗蚀剂掩蔽的所述多晶硅层、所述第二铁磁层、以及所述第二电介质层的区域以形成悬臂，当将电压施加到所述悬臂时，所述悬臂从第一位置朝着所述衬底弯曲到第二位置。

21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第一铁磁层和所述第二铁磁层产生抵消粘附场的磁场以降低所述纳米机电器件的操作电压。

22.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第一铁磁层和所述第二铁磁层产生抵消粘附场的磁场，以增加所述悬臂的长度和厚度的尺寸范围以及所述悬臂与所述第一电介质层之间的间隙。

23.一种包括用于支撑第一磁性层和电介质层的模块的装置，所述装置还包括：

用于在第一位置与第二位置之间切换的模块，当将电压施加到所述用于切换的模块时，所述用于切换的模块从第一位置朝着所述电介质层移动到第二位置，

其中，所述用于切换的模块包括第二磁性层和多晶硅层，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层产生抵消粘附场的磁场以降低所述装置的操作电压，以增加所述用于切换的模块的长度和厚度的尺寸范围并且增加所述用于切换的模块与所述电介质层之间的可接受间隙的范围。