技术特征:
技术总结
本发明公开了一种基于MBE设备原位低温获得大尺寸Ga滴的方法,包括步骤,利用分子束外延系统在基底上沉积Ga,以获得一层致密的Ga滴,在所述分子束外延系统上原位引入脉冲激光,使脉冲激光辐照上述Ga滴,使Ga滴融合团聚形成大尺寸的Ga滴。本申请采用分子束外延系统,在较低的基底温度下直接在基底表面沉积一层致密的Ga滴,直接在高真空外延设备MBE系统上原位引入脉冲激光对致密的Ga滴进行照射,Ga滴在膨胀时与相邻的Ga滴互相融合,从而制备得到大尺寸的Ga滴,由于整个制备大尺寸Ga滴的过程基底温度始终可以处于低温,因此可有效避免Ga滴对基底材料的刻蚀作用。
技术研发人员:石震武;杨新宁;杨琳韵;缪力力;陈晨;霍大云;邓长威;彭长四
受保护的技术使用者:苏州大学
技术研发日:2018.05.28
技术公布日:2018.11.06
再多了解一些
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