技术特征：
技术总结
本发明涉及电子科学与技术的技术领域，更具体地，涉及一种全电极凸纹结构CMUT器件的制备方法，将高浓度掺杂的硅晶圆作为基底，使用表面微加工技术和电镀工艺，依次在基底上制备绝缘层、空腔、振动薄膜、凸纹结构的圆环，全覆盖于振动薄膜的顶电极、底电极极板及导线，完成全电极凸纹结构CMUT器件的制备。本发明制备的全电极凸纹结构CMUT器件，在塌陷工作模式下能有效提升输出声压从而达到增加超声波发射功率的效果；该制备方法技术成熟，适合大批量制造。该发明可用于生物医学检测、工业无损探伤等使用超声检测领域中超声换能器的加工制造，并将推进基于CMUT器件的超声探头技术的发展与应用，具备广阔的市场应用前景。
技术研发人员：余远昱
受保护的技术使用者：岭南师范学院
技术研发日：2018.05.25
技术公布日：2018.11.13
再多了解一些
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