技术特征：
1.一种微机电装置，包括：
基板，具有第一表面；
第一盖体，设置于该基板上，且该第一盖体与该基板定义第一气密空腔；
第一感测单元，包含悬浮于该基板上方的可动质量块；
第二盖体，设置于该基板上，且该第二盖体与该基板定义第二气密空腔；
其中，该第一气密空腔包覆该第一感测单元及该第二盖体，该第一感测单元设置于该第二气密空腔之外，该第一气密空腔中的气压与该第二气密空腔中的气压不同。
2.如权利要求1所述的微机电装置，其中该可动质量块的下表面至该第一表面的距离等于该第二盖体的顶壁的下表面至该第一表面的距离，该可动质量块的厚度等于该第二盖体的厚度。
3.如权利要求2所述的微机电装置，其中该基板还包含薄膜及贯穿孔，其中该薄膜的上表面可导电且暴露于该第二气密空腔内，该薄膜的下表面覆盖该贯穿孔。
4.如权利要求3所述的微机电装置，其中该基板还包括：
半导体层，设置于该第一表面；
第一绝缘层，覆盖该半导体层；
导电层，设置于该第一绝缘层上；
第二绝缘层，覆盖该导电层；以及
固定电极，设置于该第二绝缘层上。
5.如权利要求4所述的微机电装置，其中该薄膜包含：
部分该导电层，暴露于该第二气密空腔内；
部分该半导体层，覆盖该贯穿孔；以及部分该第一绝缘层，设置于该部分该导电层与该部分该半导体层之间。
6.一种微机电装置，包括：
基板，具有第一表面；
第一盖体，设置于该基板上，且该第一盖体与该基板定义第一气密空腔；
第一感测单元，包含悬浮于该基板上方的可动质量块；
第二盖体，设置于该基板上，且该第二盖体与该基板定义第二气密空腔；
其中，该第一气密空腔包覆该第一感测单元及该第二盖体，该第一感测单元设置于该第二气密空腔之外，该可动质量块下表面至该第一表面的距离等于该第二盖体顶壁的下表面至该第一表面的距离，该可动质量块的厚度等于该第二盖体的厚度。
7.如权利要求6所述的微机电装置，其中该基板还包含薄膜及贯穿孔，其中该薄膜的上表面暴露于该第二气密空腔内，该薄膜的下表面覆盖该贯穿孔。
8.如权利要求7所述的微机电装置，其中该基板还包括：
半导体层，设置于该第一表面；
第一绝缘层，覆盖该半导体层；
导电层，设置于该第一绝缘层上；
第二绝缘层，覆盖该导电层；以及
固定电极，设置于该第二绝缘层上。
9.如权利要求8所述的微机电装置，其中该薄膜包含：
部分该导电层，暴露于该第二气密空腔内；
部分该半导体层，覆盖该贯穿孔；以及
部分该第一绝缘层，设置于该部分该导电层与该部分该半导体层之间。
10.一种微机电装置，包括：
基板，具有第一表面，包含：
薄膜；以及
贯穿孔；
第一盖体，设置于该基板上，且该第一盖体与该基板定义第一气密空腔；
第一感测单元，包含悬浮于该基板上方的可动质量块；
第二盖体，配置于该基板上，且该第二盖体与该基板定义第二气密空腔；
其中，该第一气密空腔包覆该第一感测单元及该第二盖体，该第一感测单元设置于该第二气密空腔之外，该薄膜的上表面暴露于该第二气密空腔内，且该薄膜的下表面覆盖该贯穿孔。
11.如权利要求10所述的微机电装置，其中该基板还包括：
半导体层，设置于该第一表面；
第一绝缘层，覆盖该半导体层；
导电层，设置于该第一绝缘层上；
第二绝缘层，覆盖该导电层；以及
固定电极，设置于该第二绝缘层上。
12.如权利要求11所述的微机电装置，其中该薄膜包含：
部分该导电层，暴露于该第二气密空腔内；
部分该半导体层，覆盖该贯穿孔；以及
部分该第一绝缘层，设置于该部分该导电层与该部分该半导体层之间。
13.如权利要求10所述的微机电装置，其中该第一气密空腔中的气压与该第二气密空腔中的气压不同。
14.一种微机电装置的制作方法，包括：
提供第一基板，并且在该第一基板上形成固定电极；
提供第二基板，并且蚀刻该第二基板，以形成多个凸部及多个凹部；
接合第二基板至该第一基板上，以形成第二气密空腔；
蚀刻该第二基板，以形成第一感测单元以及包覆该第二气密空腔的第二盖体，其中该第一感测单元包含至少一悬浮于该固定电极上方的可动质量块；以及
接合第一盖体至该第一基板的第一表面，以形成第一气密空腔；
其中，该第一气密空腔内的气压为第一气压，该第二气密空腔内的气压为第二气压，该第一气压不等于该第二气压，该第一气密空腔包覆该第一感测单元及该第二盖体，该第一感测单元设置于该第二气密空腔之外。
15.如权利要求14所述的微机电装置的制作方法，其中形成该第二盖体及该可动质量块的方法还包含：
使该可动质量块的下表面至该第一基板的该第一表面的距离等于该第二盖体的下表面至该第一基板的该第一表面的距离，且使该可动质量块的厚度等于该第二盖体的厚度。
16.如权利要求14所述的微机电装置的制作方法，其中提供第一基板的方法还包含：
在该第一基板形成薄膜及贯穿孔，其中该贯穿孔贯穿该第一基板，该薄膜覆盖该贯穿孔。
17.如权利要求16所述的微机电装置的制作方法，其中形成该薄膜的方法包括：
形成P型半导体层于该第一基板的第一表面；
形成第一绝缘层于该P型半导体层上；
形成导电层于该第一绝缘层上；
形成第二绝缘层于该导电层上，且该第二绝缘层覆盖该第一绝缘层及该导电层；以及
图案化该第二绝缘层，使该导电层的一部分暴露于该第二气密空腔内。
18.如权利要求17所述的微机电装置的制作方法，其中形成该固定电极的方法包括：
形成电极材料层于图案化的该第二绝缘层上；以及
图案化该电极材料层，以形成该固定电极。
19.如权利要求14所述的微机电装置的制作方法，其中该第二基板包括元件层、处理层以及设置于该元件层与该处理层之间的绝缘层，且所述的微机电装置的制作方法还包括：
蚀刻该元件层，以形成该些凸部及该些凹部；以及
形成导电接合层于该些凸部。
20.如权利要求19所述的微机电装置的制作方法，其中接合该第二基板至该第一基板的方法包括:
将该第二基板的该元件层朝向该第一基板，并使该导电接合层连接该第一基板上的多个导电接合部。
21.如权利要求20所述的微机电装置的制作方法，其中在接合该第二基板至该第一基板的该第一表面之后，还包括移除该第二基板的该处理层以及该绝缘层。
22.如权利要求21所述的微机电装置的制作方法，其中形成该第二盖体以及该第一感测单元的方法包括蚀刻该第二基板的该元件层。
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