技术特征：
技术总结
公开了一种MEMS器件，其中，包括：衬底，衬底具有第一空腔；第一牺牲层，位于衬底上；第一振膜层，位于第一牺牲层上，第一振膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于第一振膜层上；背极板层，位于第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，使得背极板层与所述第一振膜层形成第一电容器；第三牺牲层，位于背极板层上；第二振膜层，位于第三牺牲层上，第二振膜层的至少一部分由第三牺牲层支撑，使得第二振膜层与背极板层形成第二电容器。通过将背极板层放置在第一振膜层以及第二振膜层之间，可以减少外界环境对背极板层的污染，并且所形成的两个可变电容器组成差分式电容结构，从而提高MEMS器件的性能。
技术研发人员：孙福河;刘琛;周延青;闻永祥
受保护的技术使用者：杭州士兰集成电路有限公司
技术研发日：2018.04.20
技术公布日：2018.09.28
再多了解一些
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