半导体装置及其制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中半导体装置包括衬底以及位于衬底上的振动膜和覆盖层，其中部分覆盖层位于振动膜的上方，衬底、振动膜和覆盖层形成空腔；其中衬底包括能够露出振动膜的至少部分下表面的开口、以及设在所述开口侧壁上的至少一个支撑部。由于在衬底的开口侧壁上设有支撑部，因此当振动膜发生形变时，支撑部能够为振动膜提供支撑，以免振动膜发生断裂。同时由于支撑部与振动膜的接触面积有限，因此并不会对半导体装置的信噪比造成影响。

技术研发人员：张健;丁敬秀
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.03.21
技术公布日：2018.10.09