在基体的表面形成斜面的方法与流程

2021-10-26 12:51:28 来源：中国专利 TAG：基体斜面半导体表面结构

技术特征：

技术总结
本申请提供一种在基体的表面形成斜面的方法，利用材料在氧化过程中尺寸的变化，使平面相对于基体的表面发生倾斜，从而形成倾斜角度可控的斜面，并且斜面的平整度较高，很好地解决了现有技术存在的问题。

技术研发人员：丁刘胜
受保护的技术使用者：上海新微技术研发中心有限公司
技术研发日：2016.11.14
技术公布日：2018.05.25

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