一种硅基多刺状纳米锥有序阵列的制备方法及其应用与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种硅基多刺状纳米锥有序阵列的制备方法及其应用，包括：在硅片基底上制备紧密排列的单层有序PS球阵列；对硅片基底单层有序PS球阵列进行加热，再采用反应离子刻蚀法进行刻蚀，并且在刻蚀过程中至少对刻蚀电流进行一次大小调整，然后在刻蚀完成后去除硅片基底上的单层有序PS球阵列，从而制得硅基多刺状纳米锥有序阵列。以硅基多刺状纳米锥有序阵列为模板，采用物理沉积方法在其表面沉积一层金膜，制得沉积有金膜的硅基多刺状纳米锥有序阵列，可将其直接作为表面增强拉曼效应的衬底材料。本发明不仅制备方法简单、操作方便、成本低廉、经济环保，而且所制得的硅基多刺状纳米锥有序阵列构造面积大、均一性好、表面洁净、灵敏度高、检测性好。

技术研发人员：刘广强;杨绍松;赵倩;郭静;蔡伟平
受保护的技术使用者：中国科学院合肥物质科学研究院
技术研发日：2017.11.23
技术公布日：2018.05.18