一种纳米尺度缝隙的制备方法与流程

技术特征：

1.一种纳米尺度缝隙的制备方法，包含如下步骤：

1)在一个基底材料表面制备若干的线状凸起；

2)在制备有线状凸起的基底材料表面沉积一层保护层；

3)在保护层表面旋涂光刻胶，并使用物理轰击法刻蚀，使保护层表面露出纳米宽度的线状基底材料；

4)根据基底材料选择刻蚀方法刻蚀露出的基底材料；

5)去掉保护层，在基底材料上得到纳米尺度缝隙。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)所述的基底材料采用金属、非金属、金属化合物、非金属化合物或聚合物材料。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述的基底材料是二维材料或薄膜状结构材料。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述的保护层采用金属、非金属、金属或非金属氧化物、金属或非金属氮化物、金属或非金属硫化物、盐类化合物或聚合物材料。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述的保护层的厚度范围为30～200nm。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述的保护层采用电子束蒸发、热蒸发、磁控溅射、原子层沉积、基于CVD的沉积方法或旋涂法制备。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述的物理轰击法的刻蚀参数为：电子或离子能量在200～400eV的范围内，刻蚀时间在1～10min的范围内。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤4)中所述的刻蚀的参数为：气体流量在10～60sccm的范围内，ICP功率在20～150W的范围内，RIE功率在25～200W的范围内，刻蚀时间在20s～60min的范围内。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤5)中使用溶液溶解保护层。