技术特征:
1.一种MEMS传感器的制造方法,包括如下步骤:
形成第一基板,其中,所述第一基板包括设置在所述第一基板的一个表面处的下部电极;
形成第二基板,其中,所述第二基板包括设置在所述第二基板的一个表面处的第一凹凸部分;
第一粘结步骤,将所述第一基板的一个表面和所述第二基板的一个表面粘结以面对彼此;
形成第三基板,其中,所述第三基板包括设置在所述第三基板的一个表面处的上部电极;
第二粘结步骤,将所述第二基板的另一表面和所述第三基板的一个表面粘结以面对彼此;以及
在所述第三基板的另一表面上形成电极线以连接至所述下部电极和所述上部电极。
2.根据权利要求1所述的MEMS传感器的制造方法,其中,所述上部电极由多晶硅制成并且通过离子注入形成。
3.根据权利要求1所述的MEMS传感器的制造方法,其中,所述第一粘结步骤包括阳极粘结并且所述第二粘结步骤包括共熔粘结。
4.根据权利要求1所述的MEMS传感器的制造方法,其中,形成所述第一基板的步骤包括:
准备所述第一基板;
在所述第一基板的一个表面上形成光致抗蚀剂,并随后图案化所述光致抗蚀剂;
在所述第一基板上以及所述光致抗蚀剂的上部分上形成下部电极层;并且
通过去除图案化的所述光致抗蚀剂形成所述下部电极。
5.根据权利要求1所述的MEMS传感器的制造方法,其中,所述第一基板是玻璃基板。
6.根据权利要求1所述的MEMS传感器的制造方法,其中,形成所述第二基板的步骤包括:
准备所述第二基板;
在所述第二基板的一个表面上形成光致抗蚀剂,并随后图案化所述光致抗蚀剂;
通过使用图案化的所述光致抗蚀剂作为掩模形成多个凹部和多个突出部;并且
通过梯级刻蚀所述多个突出部中的至少一个形成低突出部。
7.根据权利要求6所述的MEMS传感器的制造方法,其中,所述低突出部粘结至所述第一基板的所述下部电极的一侧。
8.根据权利要求1所述的MEMS传感器的制造方法,在所述第一粘结步骤之后进一步包括如下步骤:
在所述第二基板的另一表面上形成光致抗蚀剂,并随后图案化所述光致抗蚀剂;
通过使用图案化的所述光致抗蚀剂作为掩模形成包括多个凹部和多个突出部的第二凹凸部分;并且
在所述第二基板的另一表面的中心处形成感测部分。
9.根据权利要求8所述的MEMS传感器的制造方法,其中,形成所述感测部分的步骤包括:
在所述第二基板的另一表面上形成金属层和光致抗蚀剂,并随后图案化所述金属层和所述光致抗蚀剂;并且
在使用图案化的所述金属层和图案化的所述光致抗蚀剂作为掩模的同时通过刻蚀所述第二基板形成所述感测部分。
10.根据权利要求9所述的MEMS传感器的制造方法,其中,所述金属层由铝(Al)、铜(Cu)、及其合金中的至少一种制成。
11.根据权利要求1所述的MEMS传感器的制造方法,其中,形成所述第三基板的步骤包括:
准备所述第三基板;
在所述第三基板的一个表面上形成光致抗蚀剂,并随后图案化所述光致抗蚀剂;
通过使用图案化的所述光致抗蚀剂作为掩模形成连接孔;
分别在所述第三基板的一个表面和另一表面上形成绝缘层;
在所述连接孔内部形成连接电极;
在所述第三基板的一个表面上形成上部电极以接触所述连接电极;并且
通过使用金属材料在所述上部电极上形成粘结层。
12.根据权利要求11所述的MEMS传感器的制造方法,其中,所述连接电极由铜(Cu)及其合金中的至少一种制成。
13.根据权利要求11所述的MEMS传感器的制造方法,其中,在所述第二粘结步骤中,所述第三基板通过所述第三基板的所述粘结层粘结至所述第二基板的另一表面。
14.根据权利要求1所述的MEMS传感器的制造方法,其中,形成所述电极线的步骤包括:
通过使用金属材料在所述第三基板的另一表面上形成电极线层;
在所述电极线层上形成光致抗蚀剂,并随后图案化所述光致抗蚀剂;并且
通过在使用图案化的所述光致抗蚀剂作为掩模的同时刻蚀所述电极线层,形成所述电极线以接触形成在所述第三基板中的连接电极。
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