一种在硅基底上制备横向圆形微同轴金属结构的方法与流程

2021-10-26 12:34:04 来源：中国专利 TAG：微结构电铸基底同轴制备

技术总结
本发明公开一种在硅基底上制备横向圆形金属微同轴结构的方法，首先在硅基底上涂覆PDMS做释放层，在释放层上生长金属种子层；分别制备SU‑8胶膜作为内导体的支撑体和KMPR光刻胶胶膜作为内外金属导体结构的胶膜结构；微电铸和去除KMPR胶膜结构，即可获得纵向金属微同轴结构；将纵向金属微同轴结构从硅基片上分离；最后将纵向金属微同轴结构横向键合到硅基片上，即获得纵向圆形微同轴金属结构。本发明利用释放层、UV‑LIGA光刻和键合等技术获得横向向圆形微同轴金属结构，解决了现有微米级同轴结构制备中横向圆柱结构难以实现的难题。

技术研发人员：阮久福;张称;董耘琪;宋哲;赵欣悦;黄波
受保护的技术使用者：合肥工业大学
文档号码：201611081965
技术研发日：2016.11.30
技术公布日：2017.05.31

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