用于集成MEMS‑CMOS装置的方法和结构与流程

技术总结
一种用于制造集成MEMS‑CMOS装置的方法，该方法使用微制造处理，该微制造处理通过在CMOS的顶部焊接机械结构晶片且使用诸如深反应离子蚀刻（DRIE）的等离子体蚀刻处理来蚀刻机械层，在传统CMOS结构的顶部实现移动机械结构（MEMS）。在蚀刻机械层的过程中，直接连接到机械层的CMOS装置暴露于等离子体。这有时导致对CMOS电路的永久损坏，且称为等离子体诱发损坏（PID）。本发明的目的是防止或降低该PID且通过接地并为CMOS电路提供替代路径来保护底层CMOS电路，直到MEMS层完全被蚀刻。

技术研发人员：桑德希尔·S·希瑞达拉莫尔希;提-希斯·特伦斯·李;阿里·J·拉斯特加尔;姆谷拉尔·斯唐库;肖·查理斯·杨
受保护的技术使用者：矽立科技有限公司
文档号码：201310076476
技术研发日：2013.03.11
技术公布日：2017.01.18