技术特征：
1.纳米粒子，其包含单一元素或包含多种元素的化合物，所述的元素在第II、III、IV、V和VI族中的一族或多族中，所述的纳米粒子具有在1nm至500nm范围内的尺寸，其中所述纳米粒子的表面在氧存在下被改性以产生稳定的表面，其中既没有对于电荷输送的绝缘层也没有电荷载流子到定域态的饱和捕获，其中所述氧作为桥氧基团存在，限定稳定的表面钝化，以致于氧化自我限制在一个单层或以下。
2.根据权利要求1的纳米粒子，其尺寸在30nm至200nm范围内。
3.根据权利要求2的纳米粒子，其平均直径为约60nm。
4.根据权利要求1的纳米粒子，其尺寸分布在20nm至400nm范围内，并且中值最大尺度为约200nm。
5.根据权利要求1的纳米粒子，其平均尺寸为约100nm。
6.根据权利要求1至5任何一项的纳米粒子，其包含本征硅。
7.根据权利要求1至5任何一项的纳米粒子，其中所述的半导体是冶金级硅。
8.根据权利要求1至5任何一项的纳米粒子，其包含掺杂硅。
9.根据权利要求8的纳米粒子，其中所述的硅掺杂有第V或VI族元素，并且具有n-型性质。
10.根据权利要求9的纳米粒子，其中所述的硅掺杂有锑或磷。
11.根据权利要求8的纳米粒子，其中所述的硅掺杂有第II或III族元素，并且具有p-型性质。
12.根据权利要求11的纳米粒子，其中所述的硅掺杂有硼。
13.根据权利要求1至5任何一项的纳米粒子，其包含Ge、GaAs、AlGaAs、GaN、InP、SiC和SiGe合金中的一种或多种。
14.一种可印刷组合物，其包含根据权利要求1至13任何一项的纳米粒子和粘合剂。
15.根据权利要求14的可印刷组合物，其中所述的粘合剂是无机粘合剂，其是导电、半导电或绝缘的。
16.根据权利要求14的可印刷组合物，其中所述的粘合剂是聚合物粘合剂，其是导电、半导电或绝缘的。
17.根据权利要求14的可印刷组合物，其中所述的粘合剂是具有与所述纳米粒子的材料反应的组分的化学活性粘合剂，以提供其半导体性质。
18.一种复合材料，其包含根据权利要求1至13任何一项的纳米粒子和固体基质，所述纳米粒子分散在所述的固体基质中。
19.根据权利要求18的复合材料，其中所述纳米粒子随机地分散在所述的基质中。
20.根据权利要求18的复合材料，其中所述纳米粒子以规则的排列分散在所述的基质中。
21.一种复合材料，其包含根据权利要求1至13任何一项的纳米粒子，其中所述的纳米粒子形成互连网络或密实体。
22.一种活性半导体层或结构，其包含根据权利要求14至17任何一项的可印刷组合物或根据权利要求18至21任何一项的复合材料。
23.一种半导体器件、部件或电路元件，其包括根据权利要求22的至少一种半导体层或结构。
24.一种电子部件的电气或电子电路或组件，其包含根据权利要求23的至少一种半导体器件。
25.一种制备纳米粒子的方法，该方法包括以下步骤：在氧存在下，将原料粉碎以制备具有n-型或p-型半导体性质的纳米粒子，所述的原料包含单一元素或包含多种元素的化合物，所述的元素在第II、III、IV、V和VI族中的一族或多族中，所述的纳米粒子具有在1nm至500nm范围内的尺寸，其中所述纳米粒子的表面在氧存在下被改性以产生稳定的表面，其中既没有对于电荷输送的绝缘层也没有电荷载流子到定域态的饱和捕获，其中所述氧作为桥氧基团存在，限定稳定的表面钝化，以致于氧化自我限制在一个单层或以下。
26.根据权利要求25的方法，其中所述原料包含掺杂或本征硅。
27.根据权利要求25或权利要求26的方法，其中在空气存在下进行所述原料的粉碎。
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