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一种使用非晶碳作为牺牲层制作微测辐射热计微桥结构的方法与流程

2021-10-26 12:20:12 来源:中国专利 TAG:微机 半导体 牺牲 结构 工艺

技术特征:

技术总结
本发明涉及一种使用非晶碳作为牺牲层制作微测辐射热计微桥结构的方法,包括在包含读出电路为基底的晶圆上制作金属反射层,在金属反射层上依次沉积绝缘介质层、牺牲层、支撑层、金属电极层、电极保护层、热敏层和钝化层,所述牺牲层使用非晶碳薄膜,对所述牺牲层进行图形化处理,形成锚点孔,并利用化学机械抛光工艺对非晶碳牺牲层表面进行平坦化处理,结构更平整,在锚点孔底部除去撑层和绝缘介质层,露出下面的金属块,形成通孔,利用坞插塞工艺在通孔和锚点孔内沉积金属钨,电学连接更稳定,利用等离子灰化或等离子体刻蚀,去除牺牲层,结构释放更彻底。

技术研发人员:邱栋;王鹏;陈文礼;王宏臣
受保护的技术使用者:烟台睿创微纳技术股份有限公司
技术研发日:2017.01.19
技术公布日:2017.08.18
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