技术总结
一种密封封装,其具有设置在晶片结构上的器件102和被结合到器件晶片的盖结构108。该器件晶片包括:基板104;围绕着该器件设置在基板的表面部分上的金属环107DW和设置在金属环上的结合材料118。金属环的第一层包括具有比基板的表面部分的韧性高的韧性以及比结合材料的宽度大的宽度的应力释放缓冲层109DW。金属环侧向延伸超出结合材料的内和外边缘中的至少一个。应力释放缓冲层的热膨胀系数大于基板的表面部分的膨胀系数并且小于结合材料的膨胀系数。
技术研发人员:A·M·肯尼迪;B·Q·迪普;S·H·布莱克;T·E·王;T·A·科齐安;G·D·特雷西
受保护的技术使用者:雷声公司
文档号码:201480079309
技术研发日:2014.08.11
技术公布日:2017.02.15
一种密封封装,其具有设置在晶片结构上的器件102和被结合到器件晶片的盖结构108。该器件晶片包括:基板104;围绕着该器件设置在基板的表面部分上的金属环107DW和设置在金属环上的结合材料118。金属环的第一层包括具有比基板的表面部分的韧性高的韧性以及比结合材料的宽度大的宽度的应力释放缓冲层109DW。金属环侧向延伸超出结合材料的内和外边缘中的至少一个。应力释放缓冲层的热膨胀系数大于基板的表面部分的膨胀系数并且小于结合材料的膨胀系数。
技术研发人员:A·M·肯尼迪;B·Q·迪普;S·H·布莱克;T·E·王;T·A·科齐安;G·D·特雷西
受保护的技术使用者:雷声公司
文档号码:201480079309
技术研发日:2014.08.11
技术公布日:2017.02.15
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。