E)公司型号为NCP5209的非导电填充材料。
[0065]第5步，请参阅图3c，将基底芯片单元la倒装至封装基板8上，粘合剂14将基底芯片单元la与封装基板8上的密封凸起15之间形成密闭连接，从而在各个半导体器件2外围形成密闭结构。该密闭结构由基底芯片单元la、封装基板8、粘合剂14和密封凸起15所组成。基底芯片单元la上的焊料凸块13与封装基板8上的焊垫或焊垫凸起9通过焊接连为一体，也在该密闭结构内。可选地，焊料时可以添加焊料。此时，每个半导体器件2的焊垫得以电性引出到封装基板8的焊垫或焊垫凸起9。
[0066]第6步，请参阅图3，采用封装材料12将基板封装单元8a上的各部分予以封装，然后再对封装基板8进行切割以得到封装好的半导体器件。封装基板8切割后得到各个基板封装单元8a。常用的封装材料12包括塑料、陶瓷等。
[0067]上述制造方法的第4步至第5步可以变形为第4’步至第5’步。
[0068]第4’步，请参阅图3d，将基底芯片单元la倒装至封装基板8上，基底芯片单元la上的焊料凸块13与封装基板8上的焊垫或焊垫凸起9通过焊接连为一体。可选地，焊料时可以添加焊料。此时，每个半导体器件2的焊垫得以电性引出到封装基板8的焊垫或焊垫凸起9。
[0069]第5’步，请参阅图3c，在基底芯片单元la和封装基板8的密封凸起15之间涂覆一圈环形的粘合剂14，例如采用点胶和/或喷射工艺。粘合剂14优选为绝缘材料，例如采用乐泰(L0CTITE)公司型号为NCP5209的非导电填充材料。基底芯片单元la与封装基板8之间通过粘合剂14和密封凸起15构成一个密闭结构，该密闭结构将各个基底芯片单元la上的微机电系统器件2、基底芯片单元la上的焊垫凸起13、封装基板8上的焊垫或焊垫凸起9包围在内。优选地，粘合剂14涂覆在基底芯片单元la的外缘一周与封装基板8的密封凸起15之间。
[0070]本申请的实施例二提供了一种新型的用于芯片级封装的密闭结构，以基底芯片单元作为一个底面，以基板封装单元作为另一个底面、以粘合剂和密封凸起作为侧壁来构成密闭结构。该实施例二与实施例一相比，在基板封装单元上对应于基底芯片单元外缘位置设置了一圈密封凸起，从而减少了粘合剂的使用量，可以使得密闭结构更加稳固，工艺实现更为简单可靠。
[0071]以上仅为本申请的优选实施例，并不用于限定本申请。对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
【主权项】
1.一种用于芯片级封装的密闭结构，其特征是，将基底芯片单元倒装在封装基板上，并在基底芯片单元与封装基板之间采用粘合剂进行环形密封以形成密闭结构；封装基板切割后得到基板封装单元，所述密闭结构由基底芯片单元、基板封装单元和粘合剂构成。2.根据权利要求1所述的用于芯片级封装的密闭结构，其特征是，在基底芯片单元的外缘一周与封装基板之间采用粘合剂进行环形密封以形成密闭结构。3.根据权利要求1所述的用于芯片级封装的密闭结构，其特征是，在基底芯片单元上具有半导体器件，半导体器件的焊垫在所述密闭结构之内，且通过焊垫凸起电性连接封装基板上的焊垫或焊垫凸起。4.一种用于芯片级封装的密闭结构，其特征是，在封装基板上具有环形的密封凸起；将基底芯片单元倒装在封装基板上，并在基底芯片单元与封装基板的密封凸起之间采用粘合剂进行环形密封以形成密闭结构；封装基板切割后得到基板封装单元，所述密闭结构由基底芯片单元、基板封装单元、粘合剂和密封凸起构成。5.根据权利要求4所述的用于芯片级封装的密闭结构，其特征是，所述密封凸起的位置对应于基底芯片单元的外缘一周；在基底芯片单元的外缘一周与封装基板的密封凸起之间采用粘合剂进行环形密封以形成密闭结构。6.根据权利要求4所述的用于芯片级封装的密闭结构，其特征是，在基底芯片单元上具有半导体器件，半导体器件的焊垫在所述密闭结构之内，且通过焊垫凸起电性连接封装基板上的焊垫或焊垫凸起。7.一种用于芯片级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，包括如下步骤: 第1步，在基底晶圆上制造半导体器件，并在基底晶圆上生长焊垫凸起； 第2步，切割基底晶圆得到各个基底芯片单元； 第3步，在封装基板上涂覆一圈环形凸起的粘合剂； 第4步，将基底芯片单元倒装至封装基板上，粘合剂将基底芯片单元与封装基板之间形成密闭连接，从而在各个半导体器件外围形成密闭结构；基底芯片单元上的焊料凸块与封装基板上的焊垫或焊垫凸起通过焊接连为一体； 第5步，进行封装，并切割封装基板得到封装好的半导体器件。8.根据权利要求7所述的用于芯片级封装的密闭结构的制造方法，其特征是， 所述方法第3步改为:将基底芯片单元倒装至封装基板上，基底芯片单元上的焊料凸块与封装基板上的焊垫或焊垫凸起通过焊接连为一体； 所述方法第4步改为:在基底芯片单元和封装基板之间涂覆一圈环形的粘合剂，粘合剂将基底芯片单元与封装基板之间形成密闭连接，从而在各个半导体器件外围形成密闭结构。9.一种用于芯片级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，包括如下各个步骤: 第1步，在基底晶圆上制造半导体器件，并在基底晶圆上生长焊垫凸起； 第2步，切割基底晶圆得到各个基底芯片单元； 第3步，在封装基板上生长一圈环形的密封凸起； 第4步，在封装基板的密封凸起上涂覆一圈环形凸起的粘合剂； 第5步，将基底芯片单元倒装至封装基板上，粘合剂将基底芯片单元与封装基板的密封凸起之间形成密闭连接，从而在各个半导体器件外围形成密闭结构；基底芯片单元上的焊料凸块与封装基板上的焊垫或焊垫凸起通过焊接连为一体； 第6步，进行封装，并切割封装基板得到封装好的半导体器件。10.根据权利要求9所述的用于芯片级封装的密闭结构的制造方法，其特征是， 所述方法第4步改为:将基底芯片单元倒装至封装基板上，基底芯片单元上的焊料凸块与封装基板上的焊垫或焊垫凸起通过焊接连为一体； 所述方法第5步改为:在基底芯片单元和封装基板的密封凸起之间涂覆一圈环形的粘合剂，粘合剂将基底芯片单元与封装基板的密封凸起之间形成密闭连接，从而在各个半导体器件外围形成密闭结构。
【专利摘要】本申请公开了一种用于芯片级封装的密闭结构，将基底芯片单元倒装在封装基板上，并在基底芯片单元与封装基板之间采用粘合剂进行环形密封以形成密闭结构；封装基板切割后得到基板封装单元，所述密闭结构由基底芯片单元、基板封装单元和粘合剂构成。与现有的采用晶圆级封装技术的密闭结构相比，本申请的密闭结构采用芯片级封装技术实现，省略了晶圆刻蚀、晶圆键合、硅通孔技术，从而显著地降低了工艺成本，缩短了工艺周期。
【IPC分类】B81C3/00, B81B7/00
【公开号】CN105347290
【申请号】CN201510650216
【发明人】祝明国, 胡念楚, 贾斌
【申请人】锐迪科微电子（上海）有限公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年10月9日
[0065]第5步，请参阅图3c，将基底芯片单元la倒装至封装基板8上，粘合剂14将基底芯片单元la与封装基板8上的密封凸起15之间形成密闭连接，从而在各个半导体器件2外围形成密闭结构。该密闭结构由基底芯片单元la、封装基板8、粘合剂14和密封凸起15所组成。基底芯片单元la上的焊料凸块13与封装基板8上的焊垫或焊垫凸起9通过焊接连为一体，也在该密闭结构内。可选地，焊料时可以添加焊料。此时，每个半导体器件2的焊垫得以电性引出到封装基板8的焊垫或焊垫凸起9。
[0066]第6步，请参阅图3，采用封装材料12将基板封装单元8a上的各部分予以封装，然后再对封装基板8进行切割以得到封装好的半导体器件。封装基板8切割后得到各个基板封装单元8a。常用的封装材料12包括塑料、陶瓷等。
[0067]上述制造方法的第4步至第5步可以变形为第4’步至第5’步。
[0068]第4’步，请参阅图3d，将基底芯片单元la倒装至封装基板8上，基底芯片单元la上的焊料凸块13与封装基板8上的焊垫或焊垫凸起9通过焊接连为一体。可选地，焊料时可以添加焊料。此时，每个半导体器件2的焊垫得以电性引出到封装基板8的焊垫或焊垫凸起9。
[0069]第5’步，请参阅图3c，在基底芯片单元la和封装基板8的密封凸起15之间涂覆一圈环形的粘合剂14，例如采用点胶和/或喷射工艺。粘合剂14优选为绝缘材料，例如采用乐泰(L0CTITE)公司型号为NCP5209的非导电填充材料。基底芯片单元la与封装基板8之间通过粘合剂14和密封凸起15构成一个密闭结构，该密闭结构将各个基底芯片单元la上的微机电系统器件2、基底芯片单元la上的焊垫凸起13、封装基板8上的焊垫或焊垫凸起9包围在内。优选地，粘合剂14涂覆在基底芯片单元la的外缘一周与封装基板8的密封凸起15之间。
[0070]本申请的实施例二提供了一种新型的用于芯片级封装的密闭结构，以基底芯片单元作为一个底面，以基板封装单元作为另一个底面、以粘合剂和密封凸起作为侧壁来构成密闭结构。该实施例二与实施例一相比，在基板封装单元上对应于基底芯片单元外缘位置设置了一圈密封凸起，从而减少了粘合剂的使用量，可以使得密闭结构更加稳固，工艺实现更为简单可靠。
[0071]以上仅为本申请的优选实施例，并不用于限定本申请。对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
【主权项】
1.一种用于芯片级封装的密闭结构，其特征是，将基底芯片单元倒装在封装基板上，并在基底芯片单元与封装基板之间采用粘合剂进行环形密封以形成密闭结构；封装基板切割后得到基板封装单元，所述密闭结构由基底芯片单元、基板封装单元和粘合剂构成。2.根据权利要求1所述的用于芯片级封装的密闭结构，其特征是，在基底芯片单元的外缘一周与封装基板之间采用粘合剂进行环形密封以形成密闭结构。3.根据权利要求1所述的用于芯片级封装的密闭结构，其特征是，在基底芯片单元上具有半导体器件，半导体器件的焊垫在所述密闭结构之内，且通过焊垫凸起电性连接封装基板上的焊垫或焊垫凸起。4.一种用于芯片级封装的密闭结构，其特征是，在封装基板上具有环形的密封凸起；将基底芯片单元倒装在封装基板上，并在基底芯片单元与封装基板的密封凸起之间采用粘合剂进行环形密封以形成密闭结构；封装基板切割后得到基板封装单元，所述密闭结构由基底芯片单元、基板封装单元、粘合剂和密封凸起构成。5.根据权利要求4所述的用于芯片级封装的密闭结构，其特征是，所述密封凸起的位置对应于基底芯片单元的外缘一周；在基底芯片单元的外缘一周与封装基板的密封凸起之间采用粘合剂进行环形密封以形成密闭结构。6.根据权利要求4所述的用于芯片级封装的密闭结构，其特征是，在基底芯片单元上具有半导体器件，半导体器件的焊垫在所述密闭结构之内，且通过焊垫凸起电性连接封装基板上的焊垫或焊垫凸起。7.一种用于芯片级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，包括如下步骤: 第1步，在基底晶圆上制造半导体器件，并在基底晶圆上生长焊垫凸起； 第2步，切割基底晶圆得到各个基底芯片单元； 第3步，在封装基板上涂覆一圈环形凸起的粘合剂； 第4步，将基底芯片单元倒装至封装基板上，粘合剂将基底芯片单元与封装基板之间形成密闭连接，从而在各个半导体器件外围形成密闭结构；基底芯片单元上的焊料凸块与封装基板上的焊垫或焊垫凸起通过焊接连为一体； 第5步，进行封装，并切割封装基板得到封装好的半导体器件。8.根据权利要求7所述的用于芯片级封装的密闭结构的制造方法，其特征是， 所述方法第3步改为:将基底芯片单元倒装至封装基板上，基底芯片单元上的焊料凸块与封装基板上的焊垫或焊垫凸起通过焊接连为一体； 所述方法第4步改为:在基底芯片单元和封装基板之间涂覆一圈环形的粘合剂，粘合剂将基底芯片单元与封装基板之间形成密闭连接，从而在各个半导体器件外围形成密闭结构。9.一种用于芯片级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，包括如下各个步骤: 第1步，在基底晶圆上制造半导体器件，并在基底晶圆上生长焊垫凸起； 第2步，切割基底晶圆得到各个基底芯片单元； 第3步，在封装基板上生长一圈环形的密封凸起； 第4步，在封装基板的密封凸起上涂覆一圈环形凸起的粘合剂； 第5步，将基底芯片单元倒装至封装基板上，粘合剂将基底芯片单元与封装基板的密封凸起之间形成密闭连接，从而在各个半导体器件外围形成密闭结构；基底芯片单元上的焊料凸块与封装基板上的焊垫或焊垫凸起通过焊接连为一体； 第6步，进行封装，并切割封装基板得到封装好的半导体器件。10.根据权利要求9所述的用于芯片级封装的密闭结构的制造方法，其特征是， 所述方法第4步改为:将基底芯片单元倒装至封装基板上，基底芯片单元上的焊料凸块与封装基板上的焊垫或焊垫凸起通过焊接连为一体； 所述方法第5步改为:在基底芯片单元和封装基板的密封凸起之间涂覆一圈环形的粘合剂，粘合剂将基底芯片单元与封装基板的密封凸起之间形成密闭连接，从而在各个半导体器件外围形成密闭结构。
【专利摘要】本申请公开了一种用于芯片级封装的密闭结构，将基底芯片单元倒装在封装基板上，并在基底芯片单元与封装基板之间采用粘合剂进行环形密封以形成密闭结构；封装基板切割后得到基板封装单元，所述密闭结构由基底芯片单元、基板封装单元和粘合剂构成。与现有的采用晶圆级封装技术的密闭结构相比，本申请的密闭结构采用芯片级封装技术实现，省略了晶圆刻蚀、晶圆键合、硅通孔技术，从而显著地降低了工艺成本，缩短了工艺周期。
【IPC分类】B81C3/00, B81B7/00
【公开号】CN105347290
【申请号】CN201510650216
【发明人】祝明国, 胡念楚, 贾斌
【申请人】锐迪科微电子（上海）有限公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年10月9日
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