的可靠性，避免突发性剧烈震动导致震荡膜(Membrane)断裂。
[0113](3)设计了弹簧结构的限制层(Stop structure),更有效的保护震荡膜(Membrane)受到损伤。
[0114]图3为本发明一【具体实施方式】中所述MEMS器件的制备工艺流程图，具体包括以下步骤:
[0115]步骤S1:提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层中的震荡膜，其中，在所述第一牺牲材料层中形成有若干开口，以露出所述震荡膜；
[0116]步骤S2:沉积第二牺牲材料层，以填充所述开口并覆盖所述第一牺牲材料层，同时在所述开口的上方形成凹槽；
[0117]步骤S3:在所述凹槽的侧壁和底部形成第一限制层，然后再次沉积所述第二牺牲材料层，以填充所述凹槽；
[0118]步骤S4:在所述凹槽之间的所述第二牺牲材料层上形成若干定极板；
[0119]步骤S5:沉积第二限制层，以覆盖所述定极板和所述第二牺牲材料层；
[0120]步骤S6:去除所述凹槽中的第二牺牲材料层，以形成中空的弹性阻挡件。
[0121]实施例2
[0122]本发明还提供了一种MEMS器件，如图2h所示，所述MEMS器件包括:震荡膜203 ；
[0123]定极板206，包括若干相互间隔的部分，位于所述震荡膜203的上方；
[0124]空腔，位于所述震荡膜203和所述定极板206之间；
[0125]弹性阻挡件，位于所述空腔的顶部，所述震荡膜203的上方。
[0126]可选地，所述定极板206位于所述弹性阻挡件之间。
[0127]可选地，所述弹性阻挡件为中空的立方体结构。
[0128]可选地，所述弹性阻挡件包括氮化物层。
[0129]可选地，所述MEMS器件还进一步包括位于所述震荡膜203下方的开口，用于实现压力的传感。
[0130]本发明所述MEMS器件中的弹性阻挡件类似与弹簧结构，当位于下方的震荡膜发生形变碰到所述弹性阻挡件时不仅能对所述震荡膜形成缓冲，起到保护作用，而且所述弹性阻挡件还具有良好的弹性，不会对所述震荡膜造成损坏
[0131]实施例3
[0132]本发明还提供了一种电子装置，包括实施例2所述的MEMS器件。其中，半导体器件为实施例2所述的MEMS器件，或根据实施例1所述的制备方法得到的MEMS器件。
[0133]本实施例的电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、V⑶、DVD、导航仪、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可为任何包括所述MEMS器件的中间产品。本发明实施例的电子装置，由于使用了上述的MEMS器件，因而具有更好的性能。
[0134]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种MEMS器件的制备方法，包括: 步骤S1:提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层中的震荡膜，其中，在所述第一牺牲材料层中形成有若干开口，以露出所述震荡膜； 步骤S2:沉积第二牺牲材料层，以填充所述开口并覆盖所述第一牺牲材料层，同时在所述开口的上方形成凹槽； 步骤S3:在所述凹槽的侧壁和底部形成第一限制层，然后再次沉积所述第二牺牲材料层，以填充所述凹槽； 步骤S4:在所述凹槽之间的所述第二牺牲材料层上形成若干定极板； 步骤S5:沉积第二限制层，以覆盖所述定极板和所述第二牺牲材料层； 步骤S6:去除所述凹槽中的第二牺牲材料层，以形成中空的弹性阻挡件。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在所述步骤S6之后还进一步包括: 步骤S7:图案化所述基底的背面，以露出所述第一牺牲材料层； 步骤S8:去除所述震荡膜中间部位上方和下方的所述第一牺牲材料层和所述第二牺牲材料层，以形成空腔，并露出所述中空的弹性阻挡件。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括: 步骤S11:提供基底，并在所述基底上沉积所述第一牺牲材料层； 步骤S12:在所述第一牺牲材料层上形成震荡膜材料层并图案化，以形成所述震荡膜； 步骤S13:再次沉积所述第一牺牲材料层，以覆盖所述震荡膜； 步骤S14:图案化所述第一牺牲材料层，以形成所述若干开口，露出所述震荡膜。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中所述第一限制层包括依次沉积的氮化物层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S4包括: 步骤S41:在所述第二牺牲材料层上形成导电材料层； 步骤S42:在所述导电材料层上形成图案化的掩膜层； 步骤S43:以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述导电材料层，以在所述凹槽之间形成相互间隔的定极板。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S5中所述第二限制层包括氮化物层。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S6包括: 步骤S61:图案化所述第二限制层，以形成第二开口，露出所述凹槽中的所述第二牺牲材料层； 步骤S62:蚀刻去除所述凹槽中的所述第二牺牲材料层，露出所述第一限制层，以形成所述弹性阻挡件。8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤S8中选用双面蚀刻工艺，以同时去除所述震荡膜上方和下方的所述第一牺牲材料层和所述第二牺牲材料层。9.一种MEMS器件，包括: 震荡膜； 定极板，包括若干相互间隔的部分，位于所述震荡膜的上方； 空腔，位于所述震荡膜和所述定极板之间； 弹性阻挡件，位于所述空腔的顶部，所述震荡膜的上方。10.根据权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述定极板位于所述弹性阻挡件之间。11.根据权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述弹性阻挡件为中空的立方体结构。12.根据权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述弹性阻挡件包括氮化物层。13.根据权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件还进一步包括位于所述震荡膜下方的传感开口，用于实现压力的传感。14.一种电子装置，包括权利要求9-13之一所述的MEMS器件。
【专利摘要】本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层中的震荡膜，其中，在所述第一牺牲材料层中形成有若干开口，以露出所述震荡膜；步骤S2：沉积第二牺牲材料层，以填充所述开口并覆盖所述第一牺牲材料层，同时在所述开口的上方形成凹槽；步骤S3：在所述凹槽的侧壁和底部形成第一限制层，然后再次沉积所述第二牺牲材料层，以填充所述凹槽；步骤S4：在所述凹槽之间的所述第二牺牲材料层上形成若干定极板；步骤S5：沉积第二限制层，以覆盖所述定极板和所述第二牺牲材料层；步骤S6：去除所述凹槽中的第二牺牲材料层，以形成中空的弹性阻挡件。
【IPC分类】B81C1/00, B81B7/00
【公开号】CN105384144
【申请号】CN201410448623
【发明人】郑超, 李卫刚, 刘炼
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2014年9月4日
[0113](3)设计了弹簧结构的限制层(Stop structure),更有效的保护震荡膜(Membrane)受到损伤。
[0114]图3为本发明一【具体实施方式】中所述MEMS器件的制备工艺流程图，具体包括以下步骤:
[0115]步骤S1:提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层中的震荡膜，其中，在所述第一牺牲材料层中形成有若干开口，以露出所述震荡膜；
[0116]步骤S2:沉积第二牺牲材料层，以填充所述开口并覆盖所述第一牺牲材料层，同时在所述开口的上方形成凹槽；
[0117]步骤S3:在所述凹槽的侧壁和底部形成第一限制层，然后再次沉积所述第二牺牲材料层，以填充所述凹槽；
[0118]步骤S4:在所述凹槽之间的所述第二牺牲材料层上形成若干定极板；
[0119]步骤S5:沉积第二限制层，以覆盖所述定极板和所述第二牺牲材料层；
[0120]步骤S6:去除所述凹槽中的第二牺牲材料层，以形成中空的弹性阻挡件。
[0121]实施例2
[0122]本发明还提供了一种MEMS器件，如图2h所示，所述MEMS器件包括:震荡膜203 ；
[0123]定极板206，包括若干相互间隔的部分，位于所述震荡膜203的上方；
[0124]空腔，位于所述震荡膜203和所述定极板206之间；
[0125]弹性阻挡件，位于所述空腔的顶部，所述震荡膜203的上方。
[0126]可选地，所述定极板206位于所述弹性阻挡件之间。
[0127]可选地，所述弹性阻挡件为中空的立方体结构。
[0128]可选地，所述弹性阻挡件包括氮化物层。
[0129]可选地，所述MEMS器件还进一步包括位于所述震荡膜203下方的开口，用于实现压力的传感。
[0130]本发明所述MEMS器件中的弹性阻挡件类似与弹簧结构，当位于下方的震荡膜发生形变碰到所述弹性阻挡件时不仅能对所述震荡膜形成缓冲，起到保护作用，而且所述弹性阻挡件还具有良好的弹性，不会对所述震荡膜造成损坏
[0131]实施例3
[0132]本发明还提供了一种电子装置，包括实施例2所述的MEMS器件。其中，半导体器件为实施例2所述的MEMS器件，或根据实施例1所述的制备方法得到的MEMS器件。
[0133]本实施例的电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、V⑶、DVD、导航仪、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可为任何包括所述MEMS器件的中间产品。本发明实施例的电子装置，由于使用了上述的MEMS器件，因而具有更好的性能。
[0134]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种MEMS器件的制备方法，包括: 步骤S1:提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层中的震荡膜，其中，在所述第一牺牲材料层中形成有若干开口，以露出所述震荡膜； 步骤S2:沉积第二牺牲材料层，以填充所述开口并覆盖所述第一牺牲材料层，同时在所述开口的上方形成凹槽； 步骤S3:在所述凹槽的侧壁和底部形成第一限制层，然后再次沉积所述第二牺牲材料层，以填充所述凹槽； 步骤S4:在所述凹槽之间的所述第二牺牲材料层上形成若干定极板； 步骤S5:沉积第二限制层，以覆盖所述定极板和所述第二牺牲材料层； 步骤S6:去除所述凹槽中的第二牺牲材料层，以形成中空的弹性阻挡件。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在所述步骤S6之后还进一步包括: 步骤S7:图案化所述基底的背面，以露出所述第一牺牲材料层； 步骤S8:去除所述震荡膜中间部位上方和下方的所述第一牺牲材料层和所述第二牺牲材料层，以形成空腔，并露出所述中空的弹性阻挡件。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括: 步骤S11:提供基底，并在所述基底上沉积所述第一牺牲材料层； 步骤S12:在所述第一牺牲材料层上形成震荡膜材料层并图案化，以形成所述震荡膜； 步骤S13:再次沉积所述第一牺牲材料层，以覆盖所述震荡膜； 步骤S14:图案化所述第一牺牲材料层，以形成所述若干开口，露出所述震荡膜。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中所述第一限制层包括依次沉积的氮化物层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S4包括: 步骤S41:在所述第二牺牲材料层上形成导电材料层； 步骤S42:在所述导电材料层上形成图案化的掩膜层； 步骤S43:以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述导电材料层，以在所述凹槽之间形成相互间隔的定极板。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S5中所述第二限制层包括氮化物层。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S6包括: 步骤S61:图案化所述第二限制层，以形成第二开口，露出所述凹槽中的所述第二牺牲材料层； 步骤S62:蚀刻去除所述凹槽中的所述第二牺牲材料层，露出所述第一限制层，以形成所述弹性阻挡件。8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤S8中选用双面蚀刻工艺，以同时去除所述震荡膜上方和下方的所述第一牺牲材料层和所述第二牺牲材料层。9.一种MEMS器件，包括: 震荡膜； 定极板，包括若干相互间隔的部分，位于所述震荡膜的上方； 空腔，位于所述震荡膜和所述定极板之间； 弹性阻挡件，位于所述空腔的顶部，所述震荡膜的上方。10.根据权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述定极板位于所述弹性阻挡件之间。11.根据权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述弹性阻挡件为中空的立方体结构。12.根据权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述弹性阻挡件包括氮化物层。13.根据权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件还进一步包括位于所述震荡膜下方的传感开口，用于实现压力的传感。14.一种电子装置，包括权利要求9-13之一所述的MEMS器件。
【专利摘要】本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层中的震荡膜，其中，在所述第一牺牲材料层中形成有若干开口，以露出所述震荡膜；步骤S2：沉积第二牺牲材料层，以填充所述开口并覆盖所述第一牺牲材料层，同时在所述开口的上方形成凹槽；步骤S3：在所述凹槽的侧壁和底部形成第一限制层，然后再次沉积所述第二牺牲材料层，以填充所述凹槽；步骤S4：在所述凹槽之间的所述第二牺牲材料层上形成若干定极板；步骤S5：沉积第二限制层，以覆盖所述定极板和所述第二牺牲材料层；步骤S6：去除所述凹槽中的第二牺牲材料层，以形成中空的弹性阻挡件。
【IPC分类】B81C1/00, B81B7/00
【公开号】CN105384144
【申请号】CN201410448623
【发明人】郑超, 李卫刚, 刘炼
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2014年9月4日
再多了解一些
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