体106可具有矩形构造，第一基板100的第一主表面102可具有圆形构造。然而，在其它实施方式中，一个或更多个腔体106和第一基板100的构造可具有另选形式。
[0036]在形成腔体106之后，可在一个或更多个腔体106内的第一基板100的表面上或里可选地形成衬垫材料108，如图3A中所示。衬垫材料108可用于多种目的中的任一种。举例来说而非限制地，衬垫材料108可用作用于去除将淀积在腔体106中的暂时填料牺牲材料的蚀刻阻止层，如以下进一步详细讨论的。
[0037]继续参照图3A，衬垫材料108可按共形方式形成在腔体106内的基板100被露出的表面上和第一基板100的第一主表面102上。可使用淀积处理(例如，物理气相淀积(PVD)处理或化学气相淀积(CVD)处理)或诸如热生长处理(例如，热氧化或热氮化)的生长处理，在腔体106内的基板100的表面上或里，淀积或以其它方式设置衬垫材料108。
[0038]衬垫材料108可包括一种或多种材料。在一些实施方式中，第一基板100可包括第一材料，衬垫材料108可包括与第一基板100的第一材料不同的第二材料。作为非限制示例，第一基板100的第一材料可基本上包括结晶硅(单晶或多晶)，衬垫材料108的第二材料可包括二氧化硅和氮化硅中的至少一种。
[0039]继续参照图3A，其示出以下的非限制示例:衬垫材料108包括二氧化硅(例如，Si02)层，通过热氧化生长处理，在一个或更多个腔体106内的基板100被露出的表面和第一主表面102的剩余部分上共形地形成S1jl。由于热生长处理的固有共形特性，导致可利用热氧化生长处理。衬垫材料108可被形成至大于大约二十(20)纳米、大于大约四十
[40]纳米或甚至大于大约六十(60)纳米的平均层厚度。在一些实施方式中，可在形成衬垫材料108时或之后，对衬垫材料108进行热处理，以增加衬垫材料108的密度。作为非限制示例，通过在本领域中已知的合适炉体中将衬垫材料108加热至大于大致400°C的温度，对衬垫材料108进行热处理。
[0040]图3B示出衬垫材料108包括两种材料的其它非限制示例。特别地，图3B的实施方式包括第一衬垫材料108A和第二衬垫材料108B。第一衬垫材料108A可包括通过热氧化生长处理在基板100的在一个或更多个腔体106内被露出的表面和第一主表面102的剩余部分上共形形成的二氧化娃(例如，Si02)层。第一衬垫材料108A可被形成至大于大约二十(20)纳米、大于大约四十(40)纳米或甚至大于大约六十(60)纳米的平均层厚度。第二衬垫材料108B可包括在第一衬垫材料108A的表面上共形形成的氮化硅(例如，Si3N4)层。第二衬垫材料108B可被形成至大于大约二十(20)纳米、大于大约四十(40)纳米或甚至大于大约六十￠0)纳米的平均层厚度，并且可利用如本文以上描述的方法来形成。第一衬垫材料108A和第二衬垫材料108B (例如，二氧化硅层和氮化硅层)总体上包括衬垫材料108。
[0041]参照图4，可在一个或更多个腔体106内设置牺牲材料110，使得牺牲材料110至少基本上填充一个或更多个腔体106。可使用诸如物理气相淀积(PVD)或化学气相淀积(CVD)的淀积处理、使用玻璃上旋涂处理或聚合物上旋涂处理、或使用诸如热生长处理(例如，热氧化或热氮化)的生长处理，在一个或更多个腔体106内淀积牺牲材料110。在腔体106中淀积牺牲材料110时，可在第一基板100的第一主表面102上淀积过量牺牲材料100。可选地，如以下更详细讨论的，通过去除牺牲材料110的一部分而将牺牲100材料被露出的表面平整来形成平坦表面112，来形成平坦表面112。
[0042]牺牲材料110可包括传统上为了制造集成电路而在半导体行业中使用的多种材料中的任一种。牺牲材料110可包括表现出当在大约1000°C或更低的温度下按照ASTM国际标准 E8/E8M-09 (名称为 “Standard Test Methods for Tens1n Testing of MetallicMaterials”)测试的、大约250吉帕斯卡(gigapascal)或更小、或甚至大约200吉帕斯卡或更小的杨氏模量(即，弹性模量)的材料。
[0043]牺牲材料110可包括例如陶瓷材料、金属材料、聚合物材料、或半导体材料。另外，牺牲材料110可以是结晶的(单晶或多晶)或非晶的。作为一个非限制示例，牺牲材料110可包括多晶硅。作为另外的示例，牺牲材料110可包括诸如无机玻璃上旋涂(例如，基于双氧水-聚硅烷、基于硅氧烷和基于硅酸盐)的玻璃状材料、掺杂或未掺杂的硅酸盐玻璃、掺杂或未掺杂的准无机硅氧烷玻璃上旋涂(S0G)、磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼硅酸盐玻璃(BSG)、或硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)。在其它实施方式中，牺牲材料110可包括诸如聚酰亚胺的聚合物材料或诸如1-甲氧基-2-丙醇酯的醋酸酯。另外，牺牲材料110可至少基本上包括单个大体均质材料，或者牺牲材料110可包括多层结构，这多层结构包括不同材料的两个或更多个层或区域。
[0044]牺牲材料110可按共形或非共形方式淀积足够厚度，以至少基本上填充一个或更多个腔体106。换句话讲，牺牲材料110可被形成为大致等于或大于腔体106的深度(d)的厚度。因此，在一些实施方式中，牺牲材料110可被淀积至至少大约一微米(1 μπι)、至少大约十微米(?ο μπι)、至少大约一百微米(ΙΟΟμπι)、至少大约两百微米(200 μπι)、或甚至五百微米(500 μm)或更大的厚度。
[0045]如之前提及的，牺牲材料110的材料可导致在第一基板100的第一主表面102上不期望地淀积过量的牺牲材料110。因此，在形成牺牲材料110时，可利用平整处理。可通过去除牺牲材料110的一部分并且形成与第一基板100的第一主表面102和/或第二主表面104平行的平坦表面112来平整牺牲材料110的被露出的表面，如图4中所示。例如，可使用抛光处理、蚀刻处理和化学-机械抛光(CMP)处理中的一个或更多个来平整牺牲材料110的表面并且形成平坦表面112。在一些实施方式中，平坦表面112可包括牺牲材料110的区域和衬垫材料108的被露出的区域。衬垫材料108可在用于去除过量牺牲材料110的平整处理中用作阻止层，并且可防止腔体110内的任何牺牲材料110被去除以及防止基板100的任何部分被去除。在平整处理(例如，CMP处理)期间，衬垫材料108由于相比于牺牲材料110抵抗了衬垫材料108的去除(即，去除衬垫材料108的速率相对较低)而可用作阻止层。因此，在一些实施方式中，选择衬垫材料108，使得衬垫材料108在平整处理期间对去除的抵抗力大于牺牲材料110。
[0046]在腔体106中设置了牺牲材料110之后，可在基板100的第一主表面102上和腔体106上，如以下参照图5至图8描述的，设置材料相对薄层。
[0047]简言之，在一些实施方式中，如图6中所示的第二基板120可被接合到第一基板100的第一主表面102上，以形成图7中示出的接合结构，在此之后，可通过去除第二基板120的相对厚层120B并且保留接合到第一基板100的第一主表面102上的第二基板120的相对薄层120A，使第二基板120变薄。
[0048]参照图5，为了制备接合到第二基板120的第一基板100 (图6)，可在平坦表面112上设置接合层116，以形成图5的中间半导体结构114。作为非限制示例，该接合层116可包括氧化物(例如，二氧化硅)、氮化物(例如，氮化硅)或金属材料中的一种或更多种。在一些实施方式中，接合层116可包括通过化学气相淀积(PVD)处理、化学气相淀积(CVD)处理、玻璃上旋涂处理、聚合物上旋涂处理、和/或诸如热生长处理(例如，热氧化或热氮化)的生长处理而形成的二氧化硅。接合层116可具有大于大约一(1)纳米、大于大约五十(50)纳米、或甚至大于大约一(1)微米的平均层厚度。
[0049]接合层116可被形成为包括具有大约两纳米(2.0nm)或更小、大约一纳米(1.0nm)或更小、或甚至大约四分之一纳米(0.25nm)或更小的均方根表面粗糙度(Rrms)的接合表面118。可使用机械抛光处理和化学抛光处理中的至少一个来使得接合层116的接合表面118平滑。例如，可使用化学-机械抛光(CMP)处理来平整和/或减小接合层116的接合表面118的表面粗糙度，为接合处理做好准备。
[0050]在使得接合层116的接合表面118平滑之后，可选地可使用本领域中已知的处理来清洁和/或激活接合表面118。例如，可使用激活处理以促成接合处理和/或导致在接合层116的接合表面118和将接合到第一基板100的第二基板120 (图6)的接合表面之间形成更强接合的方式来改变接合表面118处的表面化学性质。
[0051]图6示出将接合到图5的第一基板100的第二基板120。第二基板120可至少基本上包括单种大体均质材料，或者第二基板120可包括多层结构。作为非限制示例，第二基板120可包括氧化物(例如，氧化铝、氧化锆、二氧化硅等)、氮化物(例如，氮化硅)、碳化物(例如，碳化硅)或半导体材料(例如，硅、锗、II1-V半导体材料等)。在一些实施方式中，第二基板120可包括非晶材料。在其它实施方式中，第二基板120可包括结晶材料(例如，多晶或单晶材料)。如以下更详细讨论的，为了促使在第二基板120接合到第一基板100之后使第二基板120变薄，可将离子沿着破裂平面132注入第二基板中，这样可在破裂平面132的相反两侧限定第二基板120的相对薄层120A和相对厚层120B。
[0052]如图7中所示，第二基板120可接合到第一基板100的第一主表面102上，形成其中示出的中间结构126。第二基板120可接合到第一基板100上，使得第二基板120的相对薄层120A设置在第一基板100的第一主表面102和第二基板120的相对厚层120B之间。在一些实施方式中，可使用直接接合处理将第二基板120的相对薄层120A接合到第一基板100的第一主表面102，而在其间不使用任何粘合剂。
[0053]可使用直接接合处理将相对薄层120A接合到第一基板100的第一主表面102，在该直接接合处理中，通过在其间设置直接原子键，将相对薄层120A直接接合到第一基板100
[0036]在形成腔体106之后，可在一个或更多个腔体106内的第一基板100的表面上或里可选地形成衬垫材料108，如图3A中所示。衬垫材料108可用于多种目的中的任一种。举例来说而非限制地，衬垫材料108可用作用于去除将淀积在腔体106中的暂时填料牺牲材料的蚀刻阻止层，如以下进一步详细讨论的。
[0037]继续参照图3A，衬垫材料108可按共形方式形成在腔体106内的基板100被露出的表面上和第一基板100的第一主表面102上。可使用淀积处理(例如，物理气相淀积(PVD)处理或化学气相淀积(CVD)处理)或诸如热生长处理(例如，热氧化或热氮化)的生长处理，在腔体106内的基板100的表面上或里，淀积或以其它方式设置衬垫材料108。
[0038]衬垫材料108可包括一种或多种材料。在一些实施方式中，第一基板100可包括第一材料，衬垫材料108可包括与第一基板100的第一材料不同的第二材料。作为非限制示例，第一基板100的第一材料可基本上包括结晶硅(单晶或多晶)，衬垫材料108的第二材料可包括二氧化硅和氮化硅中的至少一种。
[0039]继续参照图3A，其示出以下的非限制示例:衬垫材料108包括二氧化硅(例如，Si02)层，通过热氧化生长处理，在一个或更多个腔体106内的基板100被露出的表面和第一主表面102的剩余部分上共形地形成S1jl。由于热生长处理的固有共形特性，导致可利用热氧化生长处理。衬垫材料108可被形成至大于大约二十(20)纳米、大于大约四十
[40]纳米或甚至大于大约六十(60)纳米的平均层厚度。在一些实施方式中，可在形成衬垫材料108时或之后，对衬垫材料108进行热处理，以增加衬垫材料108的密度。作为非限制示例，通过在本领域中已知的合适炉体中将衬垫材料108加热至大于大致400°C的温度，对衬垫材料108进行热处理。
[0040]图3B示出衬垫材料108包括两种材料的其它非限制示例。特别地，图3B的实施方式包括第一衬垫材料108A和第二衬垫材料108B。第一衬垫材料108A可包括通过热氧化生长处理在基板100的在一个或更多个腔体106内被露出的表面和第一主表面102的剩余部分上共形形成的二氧化娃(例如，Si02)层。第一衬垫材料108A可被形成至大于大约二十(20)纳米、大于大约四十(40)纳米或甚至大于大约六十(60)纳米的平均层厚度。第二衬垫材料108B可包括在第一衬垫材料108A的表面上共形形成的氮化硅(例如，Si3N4)层。第二衬垫材料108B可被形成至大于大约二十(20)纳米、大于大约四十(40)纳米或甚至大于大约六十￠0)纳米的平均层厚度，并且可利用如本文以上描述的方法来形成。第一衬垫材料108A和第二衬垫材料108B (例如，二氧化硅层和氮化硅层)总体上包括衬垫材料108。
[0041]参照图4，可在一个或更多个腔体106内设置牺牲材料110，使得牺牲材料110至少基本上填充一个或更多个腔体106。可使用诸如物理气相淀积(PVD)或化学气相淀积(CVD)的淀积处理、使用玻璃上旋涂处理或聚合物上旋涂处理、或使用诸如热生长处理(例如，热氧化或热氮化)的生长处理，在一个或更多个腔体106内淀积牺牲材料110。在腔体106中淀积牺牲材料110时，可在第一基板100的第一主表面102上淀积过量牺牲材料100。可选地，如以下更详细讨论的，通过去除牺牲材料110的一部分而将牺牲100材料被露出的表面平整来形成平坦表面112，来形成平坦表面112。
[0042]牺牲材料110可包括传统上为了制造集成电路而在半导体行业中使用的多种材料中的任一种。牺牲材料110可包括表现出当在大约1000°C或更低的温度下按照ASTM国际标准 E8/E8M-09 (名称为 “Standard Test Methods for Tens1n Testing of MetallicMaterials”)测试的、大约250吉帕斯卡(gigapascal)或更小、或甚至大约200吉帕斯卡或更小的杨氏模量(即，弹性模量)的材料。
[0043]牺牲材料110可包括例如陶瓷材料、金属材料、聚合物材料、或半导体材料。另外，牺牲材料110可以是结晶的(单晶或多晶)或非晶的。作为一个非限制示例，牺牲材料110可包括多晶硅。作为另外的示例，牺牲材料110可包括诸如无机玻璃上旋涂(例如，基于双氧水-聚硅烷、基于硅氧烷和基于硅酸盐)的玻璃状材料、掺杂或未掺杂的硅酸盐玻璃、掺杂或未掺杂的准无机硅氧烷玻璃上旋涂(S0G)、磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼硅酸盐玻璃(BSG)、或硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)。在其它实施方式中，牺牲材料110可包括诸如聚酰亚胺的聚合物材料或诸如1-甲氧基-2-丙醇酯的醋酸酯。另外，牺牲材料110可至少基本上包括单个大体均质材料，或者牺牲材料110可包括多层结构，这多层结构包括不同材料的两个或更多个层或区域。
[0044]牺牲材料110可按共形或非共形方式淀积足够厚度，以至少基本上填充一个或更多个腔体106。换句话讲，牺牲材料110可被形成为大致等于或大于腔体106的深度(d)的厚度。因此，在一些实施方式中，牺牲材料110可被淀积至至少大约一微米(1 μπι)、至少大约十微米(?ο μπι)、至少大约一百微米(ΙΟΟμπι)、至少大约两百微米(200 μπι)、或甚至五百微米(500 μm)或更大的厚度。
[0045]如之前提及的，牺牲材料110的材料可导致在第一基板100的第一主表面102上不期望地淀积过量的牺牲材料110。因此，在形成牺牲材料110时，可利用平整处理。可通过去除牺牲材料110的一部分并且形成与第一基板100的第一主表面102和/或第二主表面104平行的平坦表面112来平整牺牲材料110的被露出的表面，如图4中所示。例如，可使用抛光处理、蚀刻处理和化学-机械抛光(CMP)处理中的一个或更多个来平整牺牲材料110的表面并且形成平坦表面112。在一些实施方式中，平坦表面112可包括牺牲材料110的区域和衬垫材料108的被露出的区域。衬垫材料108可在用于去除过量牺牲材料110的平整处理中用作阻止层，并且可防止腔体110内的任何牺牲材料110被去除以及防止基板100的任何部分被去除。在平整处理(例如，CMP处理)期间，衬垫材料108由于相比于牺牲材料110抵抗了衬垫材料108的去除(即，去除衬垫材料108的速率相对较低)而可用作阻止层。因此，在一些实施方式中，选择衬垫材料108，使得衬垫材料108在平整处理期间对去除的抵抗力大于牺牲材料110。
[0046]在腔体106中设置了牺牲材料110之后，可在基板100的第一主表面102上和腔体106上，如以下参照图5至图8描述的，设置材料相对薄层。
[0047]简言之，在一些实施方式中，如图6中所示的第二基板120可被接合到第一基板100的第一主表面102上，以形成图7中示出的接合结构，在此之后，可通过去除第二基板120的相对厚层120B并且保留接合到第一基板100的第一主表面102上的第二基板120的相对薄层120A，使第二基板120变薄。
[0048]参照图5，为了制备接合到第二基板120的第一基板100 (图6)，可在平坦表面112上设置接合层116，以形成图5的中间半导体结构114。作为非限制示例，该接合层116可包括氧化物(例如，二氧化硅)、氮化物(例如，氮化硅)或金属材料中的一种或更多种。在一些实施方式中，接合层116可包括通过化学气相淀积(PVD)处理、化学气相淀积(CVD)处理、玻璃上旋涂处理、聚合物上旋涂处理、和/或诸如热生长处理(例如，热氧化或热氮化)的生长处理而形成的二氧化硅。接合层116可具有大于大约一(1)纳米、大于大约五十(50)纳米、或甚至大于大约一(1)微米的平均层厚度。
[0049]接合层116可被形成为包括具有大约两纳米(2.0nm)或更小、大约一纳米(1.0nm)或更小、或甚至大约四分之一纳米(0.25nm)或更小的均方根表面粗糙度(Rrms)的接合表面118。可使用机械抛光处理和化学抛光处理中的至少一个来使得接合层116的接合表面118平滑。例如，可使用化学-机械抛光(CMP)处理来平整和/或减小接合层116的接合表面118的表面粗糙度，为接合处理做好准备。
[0050]在使得接合层116的接合表面118平滑之后，可选地可使用本领域中已知的处理来清洁和/或激活接合表面118。例如，可使用激活处理以促成接合处理和/或导致在接合层116的接合表面118和将接合到第一基板100的第二基板120 (图6)的接合表面之间形成更强接合的方式来改变接合表面118处的表面化学性质。
[0051]图6示出将接合到图5的第一基板100的第二基板120。第二基板120可至少基本上包括单种大体均质材料，或者第二基板120可包括多层结构。作为非限制示例，第二基板120可包括氧化物(例如，氧化铝、氧化锆、二氧化硅等)、氮化物(例如，氮化硅)、碳化物(例如，碳化硅)或半导体材料(例如，硅、锗、II1-V半导体材料等)。在一些实施方式中，第二基板120可包括非晶材料。在其它实施方式中，第二基板120可包括结晶材料(例如，多晶或单晶材料)。如以下更详细讨论的，为了促使在第二基板120接合到第一基板100之后使第二基板120变薄，可将离子沿着破裂平面132注入第二基板中，这样可在破裂平面132的相反两侧限定第二基板120的相对薄层120A和相对厚层120B。
[0052]如图7中所示，第二基板120可接合到第一基板100的第一主表面102上，形成其中示出的中间结构126。第二基板120可接合到第一基板100上，使得第二基板120的相对薄层120A设置在第一基板100的第一主表面102和第二基板120的相对厚层120B之间。在一些实施方式中，可使用直接接合处理将第二基板120的相对薄层120A接合到第一基板100的第一主表面102，而在其间不使用任何粘合剂。
[0053]可使用直接接合处理将相对薄层120A接合到第一基板100的第一主表面102，在该直接接合处理中，通过在其间设置直接原子键，将相对薄层120A直接接合到第一基板100
再多了解一些
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