一种用于制备单晶包层的方法及装置与流程

技术特征：
1.一种方法，用于制备单晶包层，其特征在于，所述方法包括：制备非晶相物料；熔化所述非晶相物料以形成非晶相熔体；将光纤浸没于所述非晶相熔体中；基于所述非晶相熔体和所述光纤，在所述光纤外周形成非晶相包层；以及对所述非晶相包层进行晶化处理，得到所述单晶包层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备非晶相物料包括：将原料熔化以形成原料熔体；以及通过喷射流体对所述原料熔体进行分散降温处理，以形成所述非晶相物料。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述制备非晶相物料还包括：收集所述非晶相物料，在所述收集过程中，振荡所述非晶相物料。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将光纤浸没于所述非晶相熔体中包括：将所述光纤水平放置浸没于所述非晶相熔体中。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述非晶相熔体和所述光纤，在所述光纤外周形成非晶相包层包括：在恒定温度下，在所述光纤外周形成所述非晶相包层。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：以预设提拉速率将外周形成有所述非晶相包层的光纤提拉出所述非晶相熔体，其中，在提拉过程中，对所述形成有所述非晶相包层的光纤进行后加热处理。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述非晶相包层进行晶化处理包括：在所述非晶相包层外周沉积晶化剂层；以及对沉积有晶化剂层的非晶相包层进行所述晶化处理。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述非晶相包层进行晶化处理的过程中，通入流动氧气。9.一种装置，用于制备单晶包层，其特征在于，所述装置包括：非晶相物料制备组件，用于制备非晶相物料；非晶相包层制备组件，用于：熔化所述非晶相物料以形成非晶相熔体；将光纤浸没于所述非晶相熔体中；以及基于所述非晶相熔体和所述光纤，在所述光纤外周形成非晶相包层；以及单晶包层制备组件，用于对所述非晶相包层进行晶化处理，得到所述单晶包层。10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述非晶相物料制备组件包括：熔料部件，用于将原料熔化以形成原料熔体；以及分散降温部件，其中，所述分散降温部件包括：喷射元件，用于通过喷射流体对所述原料熔体进行分散降温处理，以形成所述非晶相物料；以及收集元件，用于收集所述非晶相物料。

技术总结
本说明书实施例提供一种用于制备单晶包层的方法及装置，该方法包括：制备非晶相物料；熔化非晶相物料以形成非晶相熔体；将光纤浸没于非晶相熔体中；基于非晶相熔体和光纤，在光纤外周形成非晶相包层；以及对非晶相包层进行晶化处理，得到单晶包层。该装置包括：非晶相物料制备组件、非晶相包层制备组件和单晶包层制备组件。非晶相物料制备组件用于制备非晶相物料。非晶相包层制备组件用于熔化非晶相物料以形成非晶相熔体；将光纤浸没于非晶相熔体中；以及基于非晶相熔体和光纤，在光纤外周形成非晶相包层。单晶包层制备组件用于对非晶相包层进行晶化处理，得到单晶包层。得到单晶包层。得到单晶包层。


技术研发人员：王宇 顾鹏 梁振兴
受保护的技术使用者：眉山博雅新材料有限公司
技术研发日：2021.07.19
技术公布日：2021/10/8