锭生长装置的制作方法

1.本实用新型涉及锭生长装置。


背景技术：

2.单晶硅为大多数半导体部件的基础材料，这些物质将被制造成具有高纯度的单晶体，这种制造方法中的一种就是丘克拉斯基法。
3.在这种丘克拉斯基结晶法中，在将硅放入坩埚后，通过对坩埚进行加热来使硅熔融。而且，在单晶晶种(single crystal seed)与这种熔融的硅相接触的状态下，通过旋转及向上提拉，来使具有规定直径的锭(ingot)生长。
4.在作为这种丘克拉斯基法之一的连续生长型丘克拉斯基法(ccz)中，通过向坩埚的内部持续注入固态的多晶硅来对所消耗的熔融硅进行补充并使锭持续生长。
5.在向坩埚的内部注入固态的多晶硅的过程中，将产生熔融硅飞溅的现象。而且，若这种熔融硅飞溅，则将在熔融硅产生波动，因而存在锭的单晶收率下降的问题。
6.而且，在向坩埚的内部注入固态的多晶硅的过程中，将导致熔融硅的温度剧烈变化。温度的变换将成为降低锭的单晶收率的主要原因。


技术实现要素：

7.根据本实用新型的一实施方式，本实用新型的目的在于提供可在向坩埚供给固态硅材料的过程中防止在坩埚的内部中的熔融硅产生波动并可防止坩埚的内部中的熔融硅产生剧烈的温度变化的锭生长装置。
8.本实用新型一实施方式的锭生长装置包括：生长炉，用于使锭生长；以及主坩埚，收容于上述生长炉，收容熔融硅，上述锭生长装置中的上述主坩埚可包括：主坩埚底部；主坩埚侧面部，从上述主坩埚底部朝向上侧延伸而成；以及主坩埚倾斜部，设置有从上述主坩埚侧面部朝向上侧及外侧延伸而成的倾斜面，当从上述主坩埚侧面部的上侧向上述主坩埚的内部供给熔融硅时，可沿着上述倾斜面向上述主坩埚的内部引导上述熔融硅。
9.在此情况下，上述倾斜面能够以使得从上述主坩埚的内侧朝向外侧形成的上述倾斜面的倾斜度相同或使得倾斜度从内侧朝向外侧逐渐减小的方式形成。
10.在此情况下，上述主坩埚侧面部能够以垂直于上述主坩埚底部或朝向外侧倾斜的方式形成。
11.在此情况下，上述倾斜面与上述主坩埚侧面部相连接的连接部分可形成曲面。
12.在此情况下，上述主坩埚倾斜部可包括引导槽，上述引导槽形成于上述倾斜面，用于对向上述倾斜面上供给的熔融硅进行引导。
13.在此情况下，沿着上述主坩埚的圆周方向，可在上述倾斜面上形成多个上述引导槽。
14.在此情况下，上述引导槽可在上述倾斜面上形成从内侧朝向外侧弯曲的螺旋形。
15.在此情况下，上述锭生长装置还可包括：基座，以包围上述主坩埚底部、上述主坩
埚侧面部以及上述主坩埚倾斜部的外侧面的方式形成；以及加热器，位于上述基座的外部，通过对上述基座进行加热来对上述主坩埚进行加热。
16.在此情况下，上述锭生长装置还可包括预备坩埚，通过使固态硅材料熔融来生成上述熔融硅，向上述主坩埚供给上述熔融硅，上述预备坩埚可包括：熔融部，使上述固态硅材料熔融；以及突出部，从上述熔融部沿着朝向上述主坩埚的方向延伸而成，以能够从上述熔融部沿着上述主坩埚的倾斜面向上述主坩埚的内部供给熔融硅，设置有用于向上述主坩埚引导上述熔融硅的引导面，上述预备坩埚能够以能够位于第一位置及第二位置的方式进行移动，在上述第一位置上，形成使上述固态硅材料熔融的状态，在上述第二位置上，形成用于向上述主坩埚供给上述熔融硅的状态。
17.在此情况下，在上述第一位置上，上述引导面可朝向上述主坩埚的上侧倾斜。
18.在此情况下，在上述第二位置上，在上述引导面与上述主坩埚底部之间形成的角度可小于在上述倾斜面与上述主坩埚底部之间形成的角度。
19.在此情况下，在上述第二位置上，上述突出部的端部以相邻的方式位于上述倾斜面上，在第一位置上，上述突出部的端部与上述倾斜面之间的距离大于在上述第二位置上的上述突出部的端部与上述倾斜面之间的距离。
20.根据上述结构，本实用新型一实施方式的锭生长装置可在向主坩埚的内部供给熔融硅时沿着倾斜面向上述主坩埚的内部引导熔融硅，从而可防止熔融硅向主坩埚的周边飞溅。
21.并且，本实用新型一实施方式的锭生长装置通过倾斜面向主坩埚供给熔融硅，而不是直接向主坩埚供给熔融硅，因而可防止在坩埚的内部中的熔融硅产生波动，防止主坩埚的内部中的熔融硅的温度剧烈变化。
22.并且，本实用新型一实施方式的锭生长装置可在防止在坩埚的内部中的熔融硅产生波动的同时防止主坩埚的内部中的熔融硅产生剧烈的温度变化，从而防止锭的单晶收率下降。
附图说明
23.图1为简要示出本实用新型一实施例的锭生长装置的图。
24.图2a为示出本实用新型一实施例的锭生长装置的主坩埚的立体图。
25.图2b为示出本实用新型一实施例的锭生长装置的主坩埚的剖视图。
26.图3为示出与本实用新型一实施例的锭生长装置的主坩埚的倾斜面相邻的主要结构的图。
27.图4为示出本实用新型再一实施例的锭生长装置的主坩埚的图。
28.图5为示出本实用新型另一实施例的锭生长装置的主坩埚的图。
29.图6为示出本实用新型还有一实施例的锭生长装置的主坩埚的图。
30.图7为示出本实用新型又一实施例的锭生长装置的主坩埚的立体图。
31.图8为示出从主坩埚的上侧观察图7中的主坩埚的图。
32.附图标记的说明
33.100：锭生长装置
34.110：生长炉
35.120：主坩埚
36.121：主坩埚底部
37.122：主坩埚侧面部
38.123：主坩埚倾斜部
39.123a：倾斜面
具体实施方式
40.在本说明书及实用新型要求保护范围中使用的单词和术语不应限定于通常所理解的含义或词典中的含义来解释，立足于创作人可以为了以最佳的方法说明自己的实用新型而对术语和概念进行定义的原则，应解释成符合本实用新型的技术思想的含义和概念。
41.因此，在本说明书中记载的实施例和附图中所示的结构属于本实用新型的优选一实施例，并不全面代表本实用新型的技术思想，在本实用新型的申请时间点上，相应结构可存在能够进行代替的多种等同物和变形例。
42.在本说明书中，“包括”或“具有”等的术语应理解为仅用于说明记载于说明书上的特征、数字、步骤、动作、结构要素、部件或它们的组合的存在，而不是预先排除一个或一个以上的其他特征、数字、步骤、动作、结构要素、部件或它们的组合的存在或附加可能性。
43.只要没有特殊情况，某个结构要素位于其他结构要素的“前方”、“后方”、“上部”或“下部”等的表述不仅包括以与其他结构要素直接接触的方式位于其他结构要素的“前方”、“后方”、“上部”或“下部”的情况，还包括在中间设置其他结构要素的情况。并且，只要没有特殊情况，某个结构要素与其他结构要素“相连接”等的情况不仅包括直接相连接的情况，还包括间接相连接的情况。
44.以下，参照附图来对本实用新型实施例的锭生长装置进行说明。在本说明书中，为了简化附图，在对本实用新型实施例的锭生长装置进行说明的过程中，将不会详细示出或不示出与本实用新型的内容无关的结构，将以与本实用新型的思想相关的内容为中心来对本实用新型的锭生长装置进行说明。
45.在本说明书中，将z轴的箭头方向所指的方向称为上侧。下侧则意味着与上述上侧相反的方向。
46.图1为简要示出本实用新型一实施例的锭生长装置的图。
47.参照图1，本实用新型一实施例的锭生长装置100包括生长炉110、主坩埚120、基座130以及预备熔融部170。
48.上述生长炉110具备维持真空状态的内部空间110a，使得锭i在内部空间110a生长。在上述内部空间110a设置后述的主坩埚120。
49.在上述生长炉110设置真空泵(未图示)和非活性气体供给部(未图示)。上述真空泵可使得上述内部空间110a维持真空气氛。并且，上述非活性气体供给部向上述内部空间110a供给非活性气体。例如，上述非活性气体可以是氩(ar)。
50.上述主坩埚120收容于上述生长炉110的上述内部空间110a。上述主坩埚120可收容熔融硅m。上述主坩埚120大致形成倒置圆顶(reverse dome)形状。并且，上述主坩埚120的形状并不限定于倒置圆顶形状，可形成气缸形状等的多种形状。
51.而且，上述主坩埚120由石英(quartz)材质形成。但是，上述主坩埚120并不限定于
由石英材质形成的情况，可由在约1400℃以上的温度下具有耐热性并能够承受剧烈的温度变化的多种材质形成。
52.而且，在使单晶晶种s与收容于上述主坩埚120的熔融硅m相接触的状态下，通过使得与上述生长炉110的上侧相连接的金属线w朝向上侧提拉上述单晶晶种s，来使具有规定直径的锭i生长。
53.并且，上述主坩埚120的内部被划分为使上述锭i生长的第一区域21和包围上述第一区域21的第二区域22。在上述第一区域21中，可将温度控制在适合上述锭i生长的温度。将在之后内容中参照附图详细说明上述主坩埚120。
54.上述基座130(susceptor)包围上述主坩埚120的外侧面。上述基座130支撑上述主坩埚120。上述基座130的内侧面可形成与上述主坩埚120的外侧面相对应的形状。例如，若上述主坩埚120形成倒置圆顶形状，则上述基座130也可形成倒置圆顶形状。上述基座130由石墨(graphite)材质形成。并且，上述基座130并不限定于由石墨材质形成的情况，可由耐热性高并具有导体性质的多种材质形成。
55.因此，即使因上述主坩埚120采用石英材质而在高温条件下产生变形，上述基座130也能够以使得上述主坩埚120维持收容上述熔融硅m的状态的方式包围并支撑上述主坩埚120。而且，由上述石英形成的主坩埚120可通过阻断上述熔融硅m与由上述石墨材质形成的基座130相接触来防止石墨成为上述熔融硅m的杂质。
56.并且，在上述生长炉110的下侧配置用于支撑上述基座130的基座支撑部150。上述基座支撑部150的上端形成与上述基座130的下端相对应的形状。并且，在上述基座支撑部150在上述生长炉110的下侧支撑上述基座130的状态下，上述基座支撑部150与上述基座130沿着相同方向旋转。因此，在上述主坩埚120收容上述熔融硅m的状态下，上述主坩埚120与基座130沿着相同方向旋转。
57.并且，在上述生长炉110设置以可使上述基座支撑部150进行旋转的方式提供旋转力的驱动部(未图示)。上述基座支撑部150以可旋转的方式与上述驱动部相连接。若上述驱动部接收电源并向上述基座支撑部150提供旋转力，则上述主坩埚120与上述基座130将沿着相同方向旋转。
58.并且，在上述生长炉110设置用于对上述基座130进行加热的加热器140。上述加热器140以包围上述基座130的外侧面的方式形成。上述加热器140可通过电阻加热方式来对上述基座130进行加热。并且，上述加热器140可通过作为感应加热方式的电磁感应来对上述基座130进行加热。在上述加热器140采用感应加热方式的情况下，上述加热器140以与上述基座130的外侧面隔开的方式配置，由此防止上述基座130的热量重新导热到加热器140。
59.并且，在上述生长炉110的下侧配置用于支撑上述加热器140的加热器支撑部141。上述加热器支撑部141大致形成圆筒形状。在形成上述圆筒形状的上述加热器支撑部141的内部配置上述基座支撑部150。并且，上述加热器支撑部141的上端形成与上述加热器140的下端相对应的形状，由此使上述加热器140配置于上述加热器支撑部141的上端。
60.上述预备熔融部170配置于上述生长炉110的一侧。在上述预备熔融部170形成加热空间170a。而且，使固态硅材料在上述加热空间170a熔融。上述预备熔融部170包括预备坩埚180、预备坩埚加热器191以及预备坩埚移动模块185。
61.上述预备坩埚180配置于上述加热空间170a。上述预备坩埚180接收固态硅材料。
而且，上述预备坩埚180使固态硅材料熔融并收容熔融硅m。上述预备坩埚180由石英材质形成。而且，在上述预备坩埚180的外侧面配置第二基座(未图示)。上述第二基座用于支撑上述预备坩埚180。上述第二基座由石墨材质形成。
62.上述预备坩埚加热器191对上述第二基座进行加热。上述预备坩埚加热器191可以是线圈。上述线圈可由铜材质形成，除此之外，可由导电性良好的多种材质形成。上述预备坩埚加热器191可通过电阻加热方式对上述第二基座进行加热。并且，上述预备坩埚加热器191可通过作为感应加热方式的电磁感应来对上述第二基座进行加热。若上述第二基座被加热，则上述第二基座的热量将导热到上述预备坩埚180。并且，上述预备坩埚加热器191由外罩190包围。在上述预备坩埚加热器191采用感应加热方式的情况下，上述外罩190由陶瓷材质形成。上述外罩190通过防止由线圈形成的上述预备坩埚加热器191向上述生长炉110的上述内部空间110a露出，来防止在真空气氛下产生电弧防线。
63.并且，上述预备坩埚180通过向一侧倾斜来向上述主坩埚120供给上述熔融硅。
64.在本实用新型的实施例中，将从上述预备熔融部170朝向主坩埚120的方向上的位置称为一侧，将相反方向上的位置称为另一侧。
65.通过第一位置和第二位置中的一个位置来控制上述预备坩埚180的姿势，上述第一位置为收容上述固态硅材料并使所收容的固态硅材料熔融的位置，上述第二位置为以向上述主坩埚120供给上述熔融硅m的方式产生倾斜的位置。即，上述第一位置意味着处于使得收容于上述预备坩埚180的上述熔融硅m不向上述预备坩埚180的外侧溢出或流动的状态下的上述预备坩埚180的姿势(position)，上述第二位置意味着处于使得收容于上述预备坩埚180的熔融硅m向上述主坩埚120供给的状态下的上述预备坩埚180的姿势。其中，姿势的含义不仅包括上述预备坩埚180的水平方向(x轴)、垂直方向(z轴)上的位置，还可包括在上述预备坩埚180与上述主坩埚底部121之间形成的角度。
66.为此，在上述预备熔融部170设置用于使上述预备坩埚180的位置产生移动的预备坩埚移动模块185。
67.上述预备坩埚移动模块185通过使得上述预备坩埚180的一侧朝向上述主坩埚120倾斜，来向上述主坩埚120供给收容于上述预备坩埚180的上述熔融硅m。因此，若上述预备坩埚180倾斜成上述第二位置，则上述预备坩埚180内的上述熔融硅m将通过上述预备坩埚180的一侧来向上述主坩埚120下落。
68.并且，在上述生长炉110设置用于向上述主坩埚120供给固态硅材料的定量供给部(未图示)。上述定量供给部(未图示)通过从材料供给部(未图示)接收上述固态硅材料来向上述预备熔融部170进行供给。
69.图2a为示出本实用新型一实施例的锭生长装置的主坩埚的立体图，图2b为示出本实用新型一实施例的锭生长装置的主坩埚的剖视图，图3为示出与本实用新型一实施例的锭生长装置的主坩埚的倾斜面相邻的主要结构的图。
70.参照图2a、图2b以及图3，上述主坩埚120包括主坩埚底部121、主坩埚侧面部122以及主坩埚倾斜部123。
71.上述主坩埚底部121可形成圆弧形状。
72.上述主坩埚侧面部122可从上述主坩埚底部121朝向上侧延伸而成。并且，上述主坩埚侧面部122垂直于上述主坩埚底部121。并且，根据本实用新型的多种实施例，上述主坩
埚侧面部122能够以从上述主坩埚120朝向外侧倾斜的方式形成。
73.上述主坩埚倾斜部123设置有从上述主坩埚侧面部122朝向上侧及上述主坩埚120的外侧延伸而成的倾斜面123a。
74.在本实用新型的一实施例中，如图3所示，上述倾斜面123a以使得从上述主坩埚120的内侧朝向外侧形成的上述倾斜面的倾斜度相同的方式形成。或作为其他例，上述倾斜面123a还能够以使得从上述主坩埚120的内侧朝向外侧形成的上述倾斜面的倾斜度逐渐减小的方式形成。
75.另一方面，在本说明书中，在上述主坩埚底部121形成圆弧形状的情况下，将上述主坩埚底部121中的与x轴平行的面定义为成为角度基准的主坩埚底部121。而且，为了便于说明，上述倾斜面的角度α以与主坩埚底部121平行的第一虚拟线作为基准来示出。
76.在本实用新型的一实施例中，上述倾斜面123a与上述主坩埚侧面部122相连接的连接部分123c形成曲面，即，边缘部分形成曲面。因此，在上述熔融硅m沿着倾斜面123a流下的情况下，在经过上述连接部分123c的过程中也防止飞溅的现象。
77.在本实用新型的一实施例中，上述主坩埚120的总高度ht为上述主坩埚底部121的高度h1、上述主坩埚侧面部122的高度h2以及上述主坩埚倾斜部123的高度h3之和。例如，在上述主坩埚倾斜部123的倾斜度为45
°
的情况下，上述基座130(参照图1)的厚度与上述主坩埚倾斜部123的高度h3相同。而且，上述基座130(参照图1)的厚度可小于25mm。而且，上述主坩埚120的总高度ht可达到约132mm。在此情况下，上述主坩埚倾斜部123的高度h3大约可达到上述主坩埚120的总高度的ht的20％以下。
78.本实用新型一实施例的主坩埚120可形成高度并不比主坩埚120的宽度大的形状，为使熔融硅向主坩埚120的内部流入，优选地，主坩埚120的倾斜部123具有一定程度的延伸长度，以能够在向倾斜部123倒入的情况下通过沿着倾斜部123流下并经过主坩埚侧面部来稳定地向主坩埚120的内部流入。如上所述，通过使主坩埚120的倾斜部123具有一定程度的延伸长度，即使在上述主坩埚120旋转的过程中向倾斜面倒入，也防止向上述主坩埚120的周边飞溅。
79.另一方面，上述基座130以包围上述主坩埚底部121、上述主坩埚侧面部122以及上述主坩埚倾斜部123的外侧面的方式形成。并且，上述基座130的上端侧以支撑上述主坩埚倾斜部123的方式倾斜而成。因此，可通过基座130来对主坩埚倾斜部123进行加热。例如，上述基座130的上端侧的截面大致形成倒三角形。
80.并且，上述基座130的上端面131按与上述主坩埚底部121之间形成的第二角度β倾斜而成。其中，上述第二角度β以与主坩埚底部121平行的第二虚拟线l2作为基准来示出。并且，若上述第二角度β与上述角度α相同，则即使上述主坩埚倾斜部123在高温条件下变形，上述基座130的上端面131也会稳定地支撑上述主坩埚倾斜部123。
81.并且，上述倾斜面123a的长度t3大于上述主坩埚120的厚度t1和上述基座130的厚度t2之和(t1 t2)。因此，防止上述熔融硅m脱离上述倾斜面123a来向上述基座130移动。
82.并且，上述预备坩埚180包括：熔融部181，用于使上述固态硅材料熔融；以及突出部182，从上述熔融部181沿着朝向上述主坩埚的方向延伸而成，以能够从上述熔融部181沿着上述主坩埚120的倾斜面123a向上述主坩埚120的内部供给熔融硅。
83.上述突出部182设置有用于向上述主坩埚120引导上述熔融硅的引导面182a。
84.在本实用新型的一实施例中，上述预备坩埚180以可位于第一位置及第二位置的方式进行移动，在上述第一位置上，形成使上述固态硅材料熔融的状态，在上述第二位置上，形成用于向上述主坩埚120供给上述熔融硅的状态。
85.如图1所示，在上述第一位置上，上述引导面182a朝向上述主坩埚120的上侧倾斜。并且，在上述第一位置上，在上述引导面182a与上述主坩埚底部121之间形成的角度θ1在锐角范围内。例如，在上述第一位置上，在上述引导面182a与上述主坩埚底部121之间形成的角度θ1可达到约7
°
。
86.并且，在上述第二位置上，在上述引导面182a与上述主坩埚底部121之间形成的角度θ2可大于等于0
°
。其中，在上述引导面182a与上述主坩埚底部121之间形成的角度θ2以与主坩埚底部121平行的第三虚拟线l3作为基准来示出。在上述第二位置上，若在上述引导面182a与上述主坩埚底部121之间形成的角度θ2过大，则会导致熔融硅m快速倒入到主坩埚侧，在倒入的过程中向周边飞溅的可能性变大。因此，通过调节在引导面182a与上述主坩埚底部121之间形成的角度θ2来调节熔融硅m的倒入速度，由此在向主坩埚侧倒入熔融硅m的过程中防止飞溅。
87.在此情况下，在本实用新型的一实施例汇总，在上述第二位置上，在上述引导面182a与上述主坩埚底部121之间形成的角度θ2小于在上述倾斜面123a与上述主坩埚底部121之间形成的角度。
88.并且，在上述第二位置上，上述突出部182的端部以相邻的方式位于上述倾斜面123a上，在第一位置上，上述突出部182的端部与上述倾斜面123a之间的距离大于在上述第二位置上的上述突出部182的端部与上述倾斜面123a之间的距离。
89.因此，在突出部182的端部以相邻的方式位于上述倾斜面123a的状态下，若收容于上述预备坩埚180的上述熔融硅m朝向上述倾斜面123a下落，则上述熔融硅m将以相对于上述倾斜面123a形成锐角的范围下落，将防止上述熔融硅m碰撞到上述倾斜面123a并飞溅的现象。
90.如上所述，根据本实用新型的一实施例，由于将经由上述倾斜面123a来向主坩埚120的内侧供给上述预备坩埚180的上述熔融硅m，因而不会直接向上述主坩埚120供给上述预备坩埚180的上述熔融硅m，从而防止熔融硅m向上述主坩埚120的内侧飞溅。
91.并且，由于在最大限度离上述第一区域21远的位置向上述主坩埚120供给上述预备坩埚180的上述熔融硅m，因而将防止因供给上述预备坩埚180的上述熔融硅m而造成的上述第一区域21的温度的剧烈变化。
92.并且，参照图3，上述主坩埚倾斜部123的上端123b配置于虚拟线l4与上述预备坩埚180的旋转半径c1、c2之间。其中，虚拟线l4为从上述突出部182的端部沿着上述z轴延伸的线。因此，随着上述主坩埚倾斜部123的上端123b配置于上述虚拟线l4与上述预备坩埚180的旋转半径c1、c2之间，将在从上述预备坩埚180向上述倾斜面123a供给熔融硅的过程中防止上述熔融硅m向上述主坩埚120的外侧流出。
93.图4为示出本实用新型再一实施例的锭生长装置的主坩埚的图。
94.参照图4，本实用新型再一实施例的锭生长装置的主坩埚220大致形成圆锥形状。例如，上述主坩埚220的底部221形成突出的形状。而且，上述主坩埚220的倾斜面220a以使得与上述底部221的上侧方向形成的角度a1恒定的方式形成。
95.如上所述，与本实用新型一实施例相比，本实用新型再一实施例的锭生长装置的主坩埚220的倾斜面220a更宽，因而可稳定地供给上述预备坩埚180(参照图3)的上述熔融硅。
96.图5为示出本实用新型另一实施例的锭生长装置的主坩埚的图。
97.参照图5，在本实用新型另一实施例的锭生长装置的主坩埚320形成呈圆弧状的倾斜面320a。
98.因此，若收容于上述主坩埚320的上述熔融硅m的高度下降，则会形成比本实用新型一实施例更宽的倾斜面320a，因而可稳定地供给上述预备坩埚180(参照图3)的上述熔融硅。
99.图6为示出本实用新型还有一实施例的锭生长装置的主坩埚的图。
100.参照图6，本实用新型还有一实施例的锭生长装置的主坩埚420大致形成气缸形状。上述主坩埚420包括底部421、侧面部422以及突出引导部423。
101.上述底部421形成圆弧形状。
102.上述侧面部422从上述底部421朝向上侧延伸而成。
103.上述侧面部422的内侧面422a可与上述熔融硅m相接触。
104.上述突出引导部423在上述侧面部422的上端朝向上述主坩埚420的内侧突出而成。上述突出引导部423的侧面423a形成朝向内侧呈圆弧状的形状。
105.上述主坩埚420大致形成气缸形状，与其他形状的主坩埚相比，收容熔融硅m的体积将变大。因此，与之前所述的实施例的主坩埚相比，上述主坩埚420可收容的上述熔融硅m的高度更高。
106.而且，收容于上述预备坩埚180(参照图3)的上述熔融硅m将在下落到上述突出引导部423的上部面423b之后沿着上述突出引导部423的侧面423a流下。因此，将防止上述熔融硅m向上述主坩埚420的内侧飞溅。
107.图7为示出本实用新型又一实施例的锭生长装置的主坩埚的立体图，图8为示出从主坩埚的上侧观察图7中的主坩埚的图。
108.参照图7及图8，本实用新型又一实施例的锭生长装置的主坩埚520包括主坩埚底部521、主坩埚侧面部522以及主坩埚倾斜部523，在本实用新型又一实施例中的结构要素与本实用新型一实施例中的结构要素相同或相似的情况下，将由之前所述的说明进行代替。
109.在上述主坩埚倾斜部523设置引导槽525，上述引导槽525形成于上述倾斜面523a，用于对向上述倾斜面523a上供给的熔融硅进行引导。
110.沿着上述主坩埚520的圆周方向，在上述倾斜面523a上形成多个上述引导槽525。并且，上述引导槽525在上述倾斜面523a上形成从内侧朝向外侧弯曲的螺旋形。
111.而且，若上述主坩埚520沿着逆时针方向c2旋转，则收容于上述主坩埚520的上述熔融硅也将沿着逆时针方向c2旋转。即，上述熔融硅将在上述主坩埚倾斜部523的相邻区域沿着逆时针方向c2移动。
112.在此情况下，上述预备坩埚180(参照图3)的上述熔融硅将沿着上述引导槽525移动，由此并不直接向上述主坩埚520的第一区域21供给，而是向沿着逆时针方向c2旋转的上述第二区域22供给。即，上述引导槽525通过防止直接向上述第一区域21供给上述熔融硅，来改善锭的单晶收率下降的问题。在此情况下，为了可防止所倒入的熔融硅飞溅的现象，能
够以多种方式设计引导槽525的宽度、引导槽525的数量、深度以及弯曲程度。并且，在本实施例中，例示了利用引导槽525来引导熔融硅的情况，但也可在倾斜部形成引导突起，而不是引导槽。
113.以上，对本实用新型的实施例进行了说明，但本实用新型的思想并不限定于在本说明书中提出的实施例，理解本实用新型的思想的本实用新型所属技术领域的普通技术人员可在相同的思想范围内通过结构要素的附加、变更、删除、添加等来轻松提出其他实施例，但这也属于本实用新型的思想范围内。