一种复合薄膜结构及其制备方法，及电子元器件与流程

技术特征：
1.一种复合薄膜结构，其特征在于，包括衬底层，在所衬底层的顶表面上层叠有至少两个功能层，每个所述功能层包括用于传输信号的薄膜层和用于防止信号泄露的隔离层，每个所述功能层中的隔离层位于靠近所述衬底层一侧。2.根据权利要求1所述的复合薄膜结构，其特征在于，每个所述薄膜层的材料均相同；或者，至少两个所述薄膜层的切向不同；或者，至少两个所述薄膜层的材料不同。3.根据权利要求1所述的复合薄膜结构，其特征在于，所述功能层中薄膜层用于传输光信号、声波信号或信息存储。4.根据权利要求3所述的复合薄膜结构，其特征在于，如果所述功能层中薄膜层用于传输光信号，则所述功能层中隔离层的折射率小于所述功能层中薄膜层的折射率。5.根据权利要求3所述的复合薄膜结构，其特征在于，如果所述功能层中薄膜层用于传输声波信号，则所述功能层中隔离层的声阻抗大于所述功能层中薄膜层的声阻抗。6.根据权利要求1所述的复合薄膜结构，其特征在于，每个所述薄膜层的厚度为10nm～1μm。7.根据权利要求1所述的复合薄膜结构，其特征在于，所述隔离层的厚度大于100nm。8.根据权利要求1所述的复合薄膜结构，其特征在于，还包括设置在所述衬底层的底表面上的补偿层，所述补偿层具有与所述隔离层相同结构，其中，所述衬底层的底表面是指与所述衬底层的顶表面背对的一面。9.一种电子元器件，其特征在于，包括如权利要求1-8任一所述的复合薄膜结构。10.一种复合薄膜结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底层的顶表面上交替制备至少两组隔离层和薄膜层；其中，制备薄膜层的方法包括：采用离子注入法和键合法，在所述隔离层上制备薄膜层；所述薄膜层用于传输信号，所述隔离层用于防止信号泄露。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述衬底层的底表面上制备补偿层，所述补偿层具有与所述隔离层相同结构，其中，所述衬底层的底表面是指与所述衬底层的顶表面背对的一面。12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述衬底层上制备隔离层的方法包括：沉积法、热氧化法、磁控溅射或外延生长法；在所述薄膜层上制备隔离层的方法包括沉积法或磁控溅射。

技术总结
本申请提供一种复合薄膜结构及其制备方法，及电子元器件，所述复合薄膜结构，包括衬底层，在所衬底层的顶表面上层叠有至少两个功能层，每个所述功能层包括用于传输信号的薄膜层和用于防止信号泄露的隔离层，每个所述功能层中的隔离层位于靠近所述衬底层一侧。本申请实施例提供的方案，通过将多层薄膜材料集成在同一个结构中，可以同时在不同薄膜层传输相同波长或不同波长光信号，极大的缩小了将复合薄膜结构应用在电子元器件中的体积，能够满足电子元器件日益微型化的发展趋势。元器件日益微型化的发展趋势。元器件日益微型化的发展趋势。


技术研发人员：李洋洋 张秀全 李真宇 朱厚彬 杨超
受保护的技术使用者：济南晶正电子科技有限公司
技术研发日：2020.04.20
技术公布日：2021/10/22