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一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制作
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横向
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-04-12
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-04-12
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-04-11
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-04-11
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-04-10
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-04-09
一种可横向调节水管支架的制作方法
本实用新型涉及水管支架技术领域,尤其涉及一种可横向调节水管支架。
标签:
水管
支架
横向
2023-04-06
一种可横向调间隙的纱窗铰链的制作方法
本实用新型涉及一种可横向调间隙的纱窗铰链。
标签:
铰链
纱窗
间隙
横向
2023-04-06
基于横向联邦学习的电力数据共享方法与流程
本发明属于电力数据共享技术领域,具体涉及基于横向联邦学习的电力数据共享方法。
标签:
电力
数据
横向
联邦
方法
2023-04-05
带横向限位机构的移车搬运器的制作方法
带横向限位机构的移车搬运器技术领域:2.本实用新型涉及用于室外加装的停车用的泊车设备,特别是一种带横向限位机构的移车搬运器。3.
标签:
横向
机构
特别是
室外
车用
2023-04-02
横向扩散金属氧化物半导体元件的制作方法
本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体元件,尤其是涉及一种具有保护环围绕栅极结构的横向扩散金属氧化物半导体元件。
标签:
氧化物
横向
半导体
保护环
元件
2023-04-01
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-03-31
基于横向联邦学习的电力数据共享方法与流程
本发明属于电力数据共享技术领域,具体涉及基于横向联邦学习的电力数据共享方法。
标签:
电力
数据
横向
联邦
方法
2023-03-29
带横向限位机构的移车搬运器的制作方法
带横向限位机构的移车搬运器技术领域:2.本实用新型涉及用于室外加装的停车用的泊车设备,特别是一种带横向限位机构的移车搬运器。3.
标签:
横向
机构
特别是
室外
车用
2023-03-26
横向扩散金属氧化物半导体元件的制作方法
本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体元件,尤其是涉及一种具有保护环围绕栅极结构的横向扩散金属氧化物半导体元件。
标签:
氧化物
横向
半导体
保护环
元件
2023-03-25
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-03-21
基于横向联邦学习的电力数据共享方法与流程
本发明属于电力数据共享技术领域,具体涉及基于横向联邦学习的电力数据共享方法。
标签:
电力
数据
横向
联邦
方法
2023-03-19
带横向限位机构的移车搬运器的制作方法
带横向限位机构的移车搬运器技术领域:2.本实用新型涉及用于室外加装的停车用的泊车设备,特别是一种带横向限位机构的移车搬运器。3.
标签:
横向
机构
特别是
室外
车用
2023-03-17
横向扩散金属氧化物半导体元件的制作方法
本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体元件,尤其是涉及一种具有保护环围绕栅极结构的横向扩散金属氧化物半导体元件。
标签:
氧化物
横向
半导体
保护环
元件
2023-03-16
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-03-14
带横向限位机构的移车搬运器的制作方法
带横向限位机构的移车搬运器技术领域:2.本实用新型涉及用于室外加装的停车用的泊车设备,特别是一种带横向限位机构的移车搬运器。3.
标签:
横向
机构
特别是
室外
车用
2023-03-07
横向扩散金属氧化物半导体元件的制作方法
本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体元件,尤其是涉及一种具有保护环围绕栅极结构的横向扩散金属氧化物半导体元件。
标签:
氧化物
横向
半导体
保护环
元件
2023-03-06
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-03-05
带横向限位机构的移车搬运器的制作方法
带横向限位机构的移车搬运器技术领域:2.本实用新型涉及用于室外加装的停车用的泊车设备,特别是一种带横向限位机构的移车搬运器。3.
标签:
横向
机构
特别是
室外
车用
2023-03-02
横向扩散金属氧化物半导体元件的制作方法
本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体元件,尤其是涉及一种具有保护环围绕栅极结构的横向扩散金属氧化物半导体元件。
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氧化物
横向
半导体
保护环
元件
2023-03-01
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