功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法与流程

1.本公开涉及一种功率半导体模块、一种功率半导体器件以及一种用于制造功率半导体器件的方法。


背景技术：

2.示例性地，设置有具有销状翅片(pin fins)的基板的功率半导体模块安装在冷却器上以进行直接液体冷却。例如，需要正确定位功率半导体模块，以实现冷却器与功率半导体模块之间的紧密机械连接，而在操作期间冷却介质没有任何泄漏。此外，销状翅片在冷却器的冷却腔内的正确定位提供了例如最佳的冷却效率。
3.当将几个功率半导体模块安装在冷却器上时，不仅功率半导体模块在冷却器本身上的定位是重要的，而且功率半导体模块相对于彼此的对齐也是重要的。只有正确对齐才促进将功率半导体模块的对应的控制端子恰当装配到公共控制板。
4.本公开的实施例通过一种具有改进的可靠性的功率半导体模块、一种具有此类功率半导体模块的功率半导体器件、以及一种用于制造此类功率半导体器件的方法来全部或部分地解决以上缺点。


技术实现要素：

5.本公开的示例性实施例通过独立权利要求的主题解决了以上缺点。进一步的示例性实施例从从属权利要求和以下描述中显而易见。
6.第一方面涉及一种功率半导体器件。术语“功率”在此和在下文中例如指代适于处理大于100v(例如，大于5000v)和/或大于10a(例如，大于1000a)的电压和电流的功率半导体模块、半导体芯片和功率半导体器件。例如，功率半导体模块用于汽车应用中，诸如电动车辆、混合动力车辆、摩托车、公共汽车、卡车、越野工程车辆和充电站。
7.功率半导体模块具有例如主延伸平面。侧向方向平行于主延伸平面对齐，并且竖直方向垂直于主延伸平面对齐。
8.根据第一方面的实施例，功率半导体模块包括连接到冷却结构的至少一个半导体芯片。
9.例如，功率半导体模块包括基板，该基板在第一主侧处包括冷却结构。替代性地，半导体模块是无基板的功率半导体模块。
10.例如，冷却结构包括多个销状翅片。每个销状翅片示例性地由柱形成，其中，每个销状翅片的尖端沿竖直方向背离第一主侧延伸。例如，所有销状翅片都具有平行于竖直方向的公共延伸方向。例如，销状翅片增加了基板在第一主侧处的底表面的面积。
11.例如，基板包括诸如cu之类的金属或由该金属组成。销状翅片例如由与基板相同的材料(诸如，cu)形成。例如，冷却结构与基板彼此一体地形成。
12.半导体芯片包括例如衬底或引线框架。衬底或引线框架例如安装在基板上。半导
体芯片例如直接布置在衬底上。示例性地，所述至少一个半导体芯片在与第一主侧相对的第二主侧处布置在基板上。半导体芯片例如基于硅或宽带隙材料(示例性地，碳化硅)。
13.半导体芯片例如由二极管和开关中的至少一者形成。示例性地，半导体芯片是晶体管、压敏电阻器、绝缘栅双极型晶体管(简称为igbt)、或金属氧化物半导体场效应晶体管(简称为mosfet)、或金属绝缘体半导体场效应晶体管(简称为misfet)。
14.功率半导体模块示例性地包括至少两个半导体芯片。这两个半导体芯片沿侧向方向彼此间隔开。例如，所述至少两个半导体芯片中的一个形成为开关，并且所述至少两个半导体芯片中的另一个形成为二极管。在这种情况下，开关和二极管彼此反并联连接。彼此反并联连接的所述至少两个半导体芯片形成例如半桥。例如，功率半导体模块包括一个或多个半桥。
15.根据至少一个实施例，功率半导体模块包括与至少一个半导体芯片电接触的至少两个功率端子。例如，功率端子被配置成用于外部接触功率半导体模块(即，半导体芯片)。功率端子示例性地至少区域地沿侧向方向延伸。功率端子包括例如金属(示例性地，cu)或由该金属组成。
16.例如，功率端子在第一侧处示出了对齐过程的痕迹。对齐过程的痕迹是例如划痕。
17.根据实施例，功率半导体模块包括用于功率半导体芯片和所述至少两个功率端子的壳体。壳体例如由作为功率半导体芯片的封装件的任何元件形成，例如包括封装材料，诸如模塑化合物、凝胶或树脂(例如，灌封树脂)。
18.例如，壳体在第二主侧处包括布置在功率半导体芯片、所述至少两个功率端子和基板上的模塑化合物。例如，模塑化合物与功率半导体模块、功率端子和基板直接接触。模塑化合物包括环氧树脂模塑化合物(示例性地，环氧树脂)或由该环氧树脂模塑化合物组成。
19.例如，功率半导体芯片完全由模塑化合物和基板封装。“封装”在此和在下文中意指半导体芯片被三维封装。
20.进一步地，功率端子中的每一个至少区域地嵌入壳体(例如，模塑化合物)内。“嵌入”在此和在下文中意指每个功率端子的外表面在靠近半导体芯片处至少区域地被壳体(例如，模塑化合物)覆盖。
21.根据功率半导体模块的至少一个实施例，所述至少两个功率端子中的每一个具有沿侧向方向从壳体突出的突出部分。这就是说，每个功率端子示例性地沿侧向方向突出超过壳体。突出部分例如摆脱了壳体。示例性地，突出部分可自由接近以便是可外部接触的。
22.根据功率半导体模块的至少一个实施例，至少两个突出部分设置有第一对齐孔。例如，第一对齐孔中的每一个沿竖直方向完全穿透功率端子。
23.例如，第一对齐孔中的每一个包括至少一个侧表面。至少一个第一对齐孔的侧表面中的至少一个示例性地沿竖直方向延伸。替代性地，至少一个第一对齐孔的侧表面中的至少一个向竖直方向倾斜。在这种情况下，至少一个第一对齐孔的所述至少一个侧表面与竖直方向围成至多80
°
、60
°
、40
°
或30
°
(例如，至多20
°
、10
°
、或5
°
)的角度。
24.示例性地，功率端子可以具有至少一个附加孔。附加孔示例性地进一步被配置成接收螺钉。示例性地，附加孔被配置成用于与外部母线进行螺纹互连。例如，附加孔沿侧向方向的尺寸大于第一对齐孔沿侧向方向的尺寸。
25.第一对齐孔沿侧向方向的直径例如至少为0.5mm或至少5mm。进一步地，附加孔的直径例如大于第一对齐孔的直径。
26.总之，此类功率半导体模块尤其可以提供以下优点。例如，可以借助第一对齐孔实现功率半导体模块沿侧向方向的正确对齐和定位。此外，当要定位不止一个功率半导体模块时，可以借助第一对齐孔将这些功率半导体模块相对于彼此正确对齐和定位。由于此类功率半导体模块可以被恰当地定位，所以冷却效率并未降低，并因此改进了功率半导体模块的寿命。因此，功率半导体模块的可靠性示例性地得到了改进。
27.根据功率半导体模块的至少一个实施例，所述至少两个突出部分设置在功率半导体模块的第一侧向侧上或设置在功率半导体模块的与第一侧向侧相对的第二侧向侧上。
28.根据功率半导体模块的至少一个实施例，所述至少两个突出部分中的至少一个设置在功率半导体模块的第一侧向侧上，并且所述至少两个突出部分中的至少另一个设置在功率半导体模块的与第一侧向侧相对的第二侧向侧上。这就是说，第一对齐孔示例性地设置在功率半导体模块的相对的侧向侧上。例如，突出部分中的一个在第一侧向侧处从壳体突出。进一步地，突出部分中的另一个在第二侧向侧处从壳体突出。
29.根据功率半导体模块的至少一个实施例，所述至少两个第一对齐孔中的至少一个具有与所述至少两个第一对齐孔中的至少另一个不同的形状。替代性地，所述至少两个第一对齐孔的形状相同。
30.根据功率半导体模块的至少一个实施例，所述至少两个第一对齐孔中的至少一个具有圆形形状。优选地，第一对齐孔中的一个的沿侧向方向对齐的截面为圆形。
31.根据功率半导体模块的至少一个实施例，所述至少两个第一对齐孔中的至少另一个具有槽孔形状。例如，第一对齐孔中的一个的沿侧向方向对齐的截面被成形为槽孔。
32.为了改进在功率模块的对齐和定位时的处理，例如，所述至少两个第一对齐孔中的一个应为圆形(例如，圆的)，以促进沿侧向方向的确切定位，而所述至少两个第一对齐孔中的另一个应为足以进行确切的旋转定位的槽孔。示例性地，这些不同的形状还考虑到由于第一对齐孔的略微变化的距离而导致的可能的定位误差。
33.替代性地或附加地，所述至少两个第一对齐孔中的至少一个的形状(例如，沿侧向方向的截面)可以为槽孔、椭圆形、卵形、三角形或方形。
34.第二方面涉及一种功率半导体器件。根据第二方面的实施例，功率半导体器件包括上文中描述的至少一个功率半导体模块。因此，结合功率半导体模块公开的所有特征也结合功率半导体器件进行了公开，且反之亦然。
35.根据实施例，功率半导体器件包括冷却器，所述至少一个功率半导体模块布置在该冷却器上。冷却器示例性地包括用于接收冷却介质的冷却腔。示例性地，冷却器包括入口端口和出口端口。示例性地，冷却器适应于冷却腔内的冷却介质从入口端口到出口端口的流动方向。
36.示例性地，冷却介质从入口端口被泵送通过冷却腔到达出口端口。冷却介质是例如液体冷却剂或气体冷却剂。示例性地，在功率半导体模块的操作期间产生的热量可以经由冷却介质有效地消散掉。
37.根据功率半导体器件的实施例，冷却器设置有至少两个第二对齐孔。例如，第二对齐孔中的至少一个沿竖直方向完全穿透冷却器。
38.替代性地，第二对齐孔中的至少一个部分地穿透冷却器。在这种情况下，第二对齐孔在冷却器内从第一主侧处的底表面延伸到冷却器中。
39.根据功率半导体器件的实施例，所述至少两个第一对齐孔中的至少一个具有沿竖直方向或倾斜于竖直方向延伸的至少一个侧表面。
40.根据功率半导体器件的实施例，所述至少两个第二对齐孔中的至少一个具有沿竖直方向或倾斜于竖直方向延伸的至少一个侧表面。
41.例如，第二对齐孔中的每一个包括至少一个侧表面。至少一个第二对齐孔的至少一个侧表面示例性地沿竖直方向延伸。替代性地，至少一个第二对齐孔的至少一个侧表面向竖直方向倾斜。在这种情况下，至少一个第二对齐孔的所述至少一个侧表面与竖直方向围成至多80
°
、60
°
、40
°
或30
°
(例如，至多20
°
、10
°
、或5
°
)的角度。
42.例如，所述至少两个第二对齐孔中的至少一个沿侧向方向的截面可以为槽孔、圆形、椭圆形、卵形、三角形或方形。
43.示例性地，所述至少两个第二对齐孔中的一个位于冷却器的前表面的区域中，并且所述至少两个第二对齐孔中的另一个位于冷却器的与前表面相对的后表面的区域中。前表面和后表面示例性地沿竖直方向延伸。前表面的区域沿侧向方向延伸以便引导到功率半导体模块并包括例如入口端口，且后表面的区域沿侧向方向延伸以便引导到功率半导体模块并包括例如入口端口。例如，所述至少两个第二对齐孔中的一个位于入口端口的区域中，并且所述至少两个第二对齐孔中的另一个位于出口端口的区域中。
44.由于第一对齐孔和第二对齐孔，可以实现所述至少一个功率半导体模块到冷却器的正确定位和对齐。同时，如果存在不止一个功率半导体模块，则可以实现功率半导体模块相对于彼此的正确定位和对齐。
45.根据功率半导体器件的至少一个实施例，冷却结构与冷却器一体地形成。示例性地，冷却结构可以包括与冷却器一体地形成的销状翅片。
46.替代性地，冷却结构是例如没有升高结构的冷却区域。在这种情况下，冷却结构是与冷却器一体地形成的冷却板。
47.根据功率半导体器件的至少一个实施例，冷却器设置有至少一个开口。
48.例如，冷却器设置有不止一个开口。示例性地，这些开口沿流动方向的方向连续地设置在冷却器中。例如，这些开口沿侧向方向(例如，沿着流动方向)彼此间隔开。在这种情况下，在每个开口上提供一个功率半导体模块。
49.示例性地，功率半导体模块沿侧向方向的尺寸比其上布置有该功率半导体模块的开口沿侧向方向的尺寸大至少5％。
50.根据功率半导体器件的至少一个实施例，所述至少一个功率半导体模块设置在所述至少一个开口上，使得冷却结构突出到冷却器的冷却腔中。
51.第三方面涉及一种用于制造功率半导体器件的方法。例如，该方法制造上文中所描述的功率半导体器件。因此，结合功率半导体器件公开的所有特征也结合该方法进行了公开，且反之亦然。
52.根据第三方面的实施例，该方法包括：提供固定装置，该固定装置设置有至少两个第一对齐销和至少两个第二对齐销。例如，固定装置包括基底衬底(base substrate)，第一对齐销和第二对齐销布置在该基底衬底上。
53.第一对齐销和第二对齐销中的至少一个示例性地由杆形成，其中，该杆的尖端沿竖直方向背离固定装置延伸。例如，所有第一对齐销和所有第二对齐销都具有平行于竖直方向的公共延伸方向。
54.示例性地，第一对齐销中的每一个被配置成可插入到对应的第一对齐孔中。例如，第一对齐销具有适应对应的第一对齐孔的形状。示例性地，第一对齐销沿侧向方向的截面比对应的第一对齐孔小至少10μm，例如小至少500μm或至少1mm。
55.进一步地，例如，第二对齐销中的每一个被配置成可插入到对应的第二对齐孔中。例如，第二对齐销具有适应对应的第二对齐孔的形状。示例性地，第二对齐销沿侧向方向的截面比对应的第一对齐孔小至少10μm，例如小至少500μm或至少1mm。
56.根据实施例，该方法包括：提供所述至少一个功率半导体器件，所述至少一个功率半导体器件包括设置有至少两个第一对齐孔的至少两个功率端子。
57.根据实施例，该方法包括：提供设置有至少两个第二对齐孔的冷却器。
58.根据实施例，该方法包括：将冷却器布置在固定装置上，使得所述至少两个第二对齐销被引入到所述至少两个第二对齐孔中。
59.根据实施例，该方法包括：将所述至少一个功率半导体模块布置在冷却器上，使得所述至少两个第一对齐销被引入到所述至少两个第一对齐孔中。
60.示例性地，在将所述至少一个功率半导体模块布置在冷却器上之前，将冷却器布置在固定装置上。
61.由于第一对齐销和孔以及第二对齐销和孔，可以实现功率半导体模块在冷却器上的精确定位。该方法为正确且可重现的定位和对齐提供了一种简单容易的方法。进一步地，增加了在功率半导体模块一方面到公共控制板或驱动器板且另一方面到逆变器的母线结构的安装过程中的良率。因此，这示例性地导致了客户满意度增强。另外，例如，当对功率端子实施对齐孔时不存在成本增加。
62.根据至少一个实施例，该方法包括：通过至少一个夹具将所述至少一个功率半导体模块固定到冷却器。例如，夹具被配置成按压功率半导体模块以便将其引导到冷却器。夹具示例性地通过夹紧螺钉固定到冷却器。这就是说，例如，夹具通过收紧夹紧螺钉将功率半导体模块和冷却器沿竖直方向按压在一起。
63.示例性地，通过使用第一对齐销和孔以及第二对齐销和孔的方法减少了通过拧紧夹具将功率半导体模块安装到冷却器所需的时间，并且导致制造成本更低。进一步地，示例性地，通过使用第一对齐销和孔以及第二对齐销和孔，也防止了在拧紧夹具期间功率半导体模块的不期望的移动。
64.替代性地，所述至少一个功率半导体模块通过胶合、烧结或钎焊固定到冷却器。
65.根据该方法的至少一个实施例，所述至少两个第一对齐孔相对于所述至少两个第二对齐孔的相对位置是预设的。
66.根据该方法的至少一个实施例，所述至少两个第一对齐销中的至少一个至少部分地具有以下形状中的至少一种：圆柱形、圆锥形。
67.根据该方法的至少一个实施例，所述至少两个第二对齐销中的至少一个至少部分地具有以下形状中的至少一种：圆柱形、圆锥形。
68.例如，第一对齐销和第二对齐销中的至少一个由杆形成，这些杆具有被成形为圆
柱形或圆锥形的端部区域。
69.例如，在具有圆锥形的端部区域的情况下，可以实现自对齐。
70.根据至少一个实施例，该方法包括：向所述至少两个第一对齐销和所述至少两个第二对齐销中的至少一个提供弹簧元件。例如，所述至少两个第一对齐销中的至少一个设置有弹簧元件。进一步地，示例性地，所述至少两个第二对齐销中的至少一个设置有弹簧元件。弹簧元件示例性地被配置成沿竖直方向将力施加到相应的对齐销。
71.根据该方法的至少一个实施例，所述至少一个功率半导体模块进一步包括至少两个辅助端子。例如，这些辅助端子被配置成向所述至少一个功率半导体芯片提供电信号。示例性地，这些辅助端子至少区域地嵌入壳体(例如，模塑化合物)中。进一步地，功率端子中的每一个至少区域地嵌入壳体(例如，模塑化合物)内。“嵌入”在此和在下文中意指每个辅助端子的外表面在靠近半导体芯片处至少区域地被壳体(例如，模塑化合物)覆盖。
72.根据该方法的至少一个实施例，所述至少两个辅助端子至少区域地沿竖直方向延伸。由于制造公差，在多个区域中沿竖直方向延伸的所述至少两个辅助端子可以与竖直方向围成至多10
°
或至多5
°
(例如，1
°
)的角度。
73.优选地，辅助端子中的每一个具有从壳体的侧向侧突出的另外的突出部分。辅助端子的另外的突出部分至少区域地沿竖直方向延伸。辅助端子的另外的突出部分的端部区域被配置成可直接接触公共控制板或驱动器板，示例性地通过钎焊或压配合连接。
74.根据至少一个实施例，该方法包括：将包括另外的第二对齐孔的公共控制板布置在固定装置上，其中，这些另外的第二对齐孔被配置成接收第二对齐销。
75.根据该方法的至少一个实施例，公共控制板包括接触孔，这些接触孔被配置成接收辅助端子。
76.这就是说，当安装公共控制板时，公共控制板的另外的第二对齐孔沿竖直方向定位在冷却器的第二对齐孔的正上方。示例性地，公共控制板的另外的第二对齐孔和冷却器的第二对齐孔一致地重叠。
77.根据至少一个实施例，该方法包括：将至少两个功率半导体模块布置在冷却器上，每个功率半导体模块设置有至少两个第一对齐孔。
78.例如，由于该方法实现了功率半导体模块在冷却器上的正确且可重现的对齐以及功率半导体模块相对于彼此的正确且可重现的对齐，因此得以更好地控制围绕冷却结构的冷却介质旁路。此外，所有辅助端子都彼此更好地对齐，示例性地，以便在客户侧处更好地安装公共控制板(诸如，pcb)。
附图说明
79.下文中将参考附图中所图示的示例性实施例来更详细地解释本公开的主题。
80.图1示意性地示出了根据示例性实施例的功率半导体模块的三维草图。
81.图2、图3、图4和图5各自示意性地示出了根据示例性实施例的功率半导体器件。
82.图6、图7和图8示意性地示出了根据示例性实施例的用于制造功率半导体器件的方法阶段。
83.图9示意性地示出了根据示例性实施例的具有公共控制板的功率半导体器件。
84.图10、图11、图12和图13各自示意性地示出了根据示例性实施例的由用于制造功
率半导体模块的方法使用的第一对齐销和/或第二对齐销。
85.附图中使用的参考符号及其含义在参考符号列表中以概要形式列出。原则上，相同的部分在附图中设置有相同的参考符号。
具体实施方式
86.根据图1的示例性实施例的功率半导体模块1包括基板2(替代性地，衬底)，该基板在第一主侧处具有冷却结构3。冷却结构3由多个销状翅片形成。
87.进一步地，至少一个半导体芯片5在与第一主侧4相对的第二主侧处布置在基板2上，半导体芯片在此并未示出，因为半导体芯片5被壳体23覆盖，在该示例性实施例中，该壳体是模塑化合物8。模塑化合物8在第二主侧6处布置在功率半导体芯片5、所述至少两个功率端子7和基板2上。
88.另外，在该实施例中，功率半导体模块1包括与所述至少一个半导体芯片5电接触的四个功率端子7。功率端子7在靠近功率半导体芯片5处嵌入模塑化合物8内。功率端子7中的每一个沿侧向方向进一步延伸超过模塑化合物8。因此，功率端子7中的每一个具有沿侧向方向从模塑化合物8突出的突出部分9。突出部分9没有模塑化合物8，并且可以自由地接近以进行电接触。
89.设置在功率半导体模块1的相对的侧向侧上的两个突出部分9设置有第一对齐孔10。这就是说，功率端子7中的一个布置在第一侧向侧11上、设置有第一对齐孔10中的一个，并且功率端子7中的另一个布置在与第一侧向侧11相对的第二侧向侧12上、设置有第一对齐孔10中的另一个。
90.功率半导体模块1进一步包括七个辅助端子21，这些辅助端子被配置成向功率半导体芯片5提供电信号。辅助端子21在靠近功率半导体芯片5处嵌入模塑化合物8中。在辅助端子21没有嵌入模塑化合物8中的区域中，辅助端子21至少区域地沿竖直方向延伸。
91.根据图2和图3的示例性实施例的功率半导体器件35包括根据图1的三个功率半导体模块1和冷却器13。在此，图3是图2的功率半导体器件35的截面侧视图。
92.冷却器13包括用于接收冷却介质的冷却腔22。进一步地，冷却器13包括入口端口18和出口端口19。因此，冷却器13适应于冷却腔22内的冷却介质从入口端口18到出口端口19的流动方向。
93.在该示例性实施例中，冷却器13设置有三个开口15。开口15沿流动方向的方向连续地设置在冷却器13中。在该示例性实施例中，在每个开口15上提供一个功率半导体模块1，使得冷却结构3中的每一个突出到冷却器13的冷却腔22中。
94.功率半导体模块1中的每一个通过两个夹具17固定到冷却器13。进一步地，每个夹具17通过两个螺钉16固定到冷却器13。直接相邻的功率半导体模块1共用一个夹具17。两个夹具17被配置成将一个功率半导体模块1按压到冷却器13，其中，在冷却器13与功率半导体模块1之间布置有密封件20。密封件20可以包括对冷却介质不可渗透的柔性材料。
95.根据图4的冷却器13不包括如图3中所示的开口15。功率半导体模块1中的每一个直接固定到冷却器13。在该示例性实施例中，冷却结构3沿竖直方向在每个功率半导体模块1下方的区域中与冷却器13一体地形成。
96.与图3和图4形成对比，根据图5，功率半导体模块1中的每一个通过胶合、烧结或钎
焊直接固定到冷却器13，而不使用夹具17。
97.另外，冷却器13设置有结合图6、图7和图8更详细描述和示出的两个第二对齐孔14。
98.在根据图6、图7和图8的方法阶段中，制造根据图2的功率半导体器件35。最初，提供固定装置25。固定装置25包括基底衬底31，第一对齐销26和第二对齐销27布置在该基底衬底上。在该实施例中，固定装置25包括六个第一对齐销26和两个第二对齐销27。
99.随后，将设置有两个第二对齐孔14的冷却器13布置在固定装置25上，使得每个第二对齐销27被引入到一个第二对齐孔14中。
100.两个第二对齐孔14中的一个位于冷却器13的前表面36的区域中，并且两个第二对齐孔14中的另一个位于冷却器的与前表面36相对的后表面37的区域中。
101.在将冷却器13布置在固定装置25上之后，将三个功率半导体模块1布置在冷却器13上，使得每个第一对齐销26被引入到一个第一对齐孔10中。
102.结合图6，每个功率半导体模块1的第一对齐孔10布置在功率半导体模块1的相对的侧向侧上。例如，两个第一对齐孔10中的一个位于第一侧向侧11上，并且两个第一对齐孔10中的另一个位于与第一侧向侧11相对的第二侧向侧12上，如结合图1所示的。在此，夹具17通过螺钉16连接到冷却器13。
103.结合图7，具有第一对齐孔10的突出部分9设置在功率半导体模块1的同一侧向侧上。
104.结合图9，功率半导体模块1的辅助端子21对齐。辅助端子21可以包括销型或压配合型连接件，辅助端子21利用这些连接件连接到公共控制板。例如，每个辅助端子在端部区域处具有销肩部30(在此未示出)。
105.公共控制板34布置在辅助端子21上。公共控制板34包括接触孔33，这些接触孔被配置成接收辅助端子21。进一步地，公共控制板34包括另外的第二对齐孔24，这些另外的第二对齐孔被配置成接收第二对齐销27。
106.根据图10、图11、图12和图13的第一对齐销26和第二对齐销27中的至少一个由杆形成，该杆在其端部区域中不同。端部区域被配置成插入于第一对齐孔10和第二对齐孔14中的至少一个中。图10的端部区域是圆柱形的，并且图11的端部区域是圆锥形的。图12的端部区域被划分成两部分。面向杆的部分形成为圆柱形的，且背离杆的部分形成为圆锥形的。
107.根据图13的第一对齐销26和第二对齐销27中的至少一个进一步设置有弹簧元件32。例如，只有当第一对齐销26和第二对齐销27中的至少一个大于对应的对齐孔并且具有圆锥形尖端时才使用弹簧元件32，以便将沿侧向方向的公差减小到零。弹簧元件32被配置成沿竖直方向施加力。示例性地，弹簧元件32被用来补偿沿竖直方向的公差。
108.参考符号列表
109.1 功率半导体模块
110.2 基板
111.3 冷却结构
112.4 第一主侧
113.5 半导体芯片
114.6 第二主侧
115.7 功率端子
116.8 模塑化合物
117.9 突出部分
118.10 第一对齐孔
119.11 第一侧向侧
120.12 第二侧向侧
121.13 冷却器
122.14 第二对齐孔
123.15 开口
124.16 螺钉
125.17 夹具
126.18 入口端口
127.19 出口端口
128.20 密封件
129.21 辅助端子
130.22 冷却腔
131.23 壳体
132.24 另外的第二对齐孔
133.25 固定装置
134.26 第一对齐销
135.27 第二对齐销
136.30 辅助销肩部
137.31 基底衬底
138.32 弹簧元件
139.33 接触孔
140.34 控制板
141.35 功率半导体器件
142.36 前表面
143.37 后表面