存储系统及其操作方法、存储器装置以及存储介质与流程
本技术实施例涉及存储，特别涉及一种存储系统及其操作方法、存储器装置以及存储介质。
背景技术：
1、随着存储技术的发展，存储器装置的应用越来越广泛，如存储器装置可应用于手机、电脑等设备。目前，存在较多的场景需要确定存储器装置中的多个存储单元的阈值电压分布。
技术实现思路
1、本技术实施例提供了一种存储系统及其操作方法、存储器装置以及存储介质。所述技术方案如下：
2、一方面，本技术实施例提供了一种存储系统，所述存储系统包括存储器装置以及与所述存储器装置耦合的存储器控制器，所述存储器装置包括存储单元；所述存储器控制器被配置为：
3、向所述存储器装置发送第一读取指令，所述第一读取指令指示所述存储器装置基于第一读取电压组对多个目标存储单元执行读取操作，以获得第一读取结果；
4、向所述存储器装置发送第二读取指令，所述第二读取指令指示所述存储器装置基于第二读取电压组对所述多个目标存储单元执行读取操作，以获得第二读取结果；所述第二读取电压组与所述第一读取电压组不同；以及
5、基于所述第一读取结果和所述第二读取结果，确定所述多个目标存储单元的阈值电压分布。
6、在一些实施例中，所述第一读取电压组和所述第二读取电压组为n个读取电压组中的任两个读取电压组，所述n为大于1的整数；
7、所述n个读取电压组包括基准读取电压组以及n-1个偏移读取电压组，所述n-1个偏移读取电压组中的不同偏移读取电压组利用不同的偏移方式对所述基准读取电压组中的基准读取电压进行偏移得到。
8、在一些实施例中，任一偏移读取电压组对应的偏移方式包括偏移方向和偏移值；
9、所述n-1个偏移读取电压组中对应的偏移值相同的多个偏移读取电压组对应的偏移方向不同，所述n-1个偏移读取电压组中对应的偏移方向相同的多个偏移读取电压组对应的偏移值不同。
10、在一些实施例中，所述n-1个偏移读取电压组中的第i个偏移读取电压组对应的偏移方向和偏移值分别为第一偏移方向和第一偏移值，所述i为小于或等于n-3的正奇数；
11、所述n-1个偏移读取电压组中的第i+1个偏移读取电压组对应的偏移方向和偏移值分别为第二偏移方向和所述第一偏移值；
12、所述n-1个偏移读取电压组中的第i+2个偏移读取电压组对应的偏移方向和偏移值分别为所述第一偏移方向和第二偏移值；
13、其中，所述第一偏移方向为增大所述基准读取电压组中的基准读取电压的方向，所述第二偏移方向为减小所述基准读取电压组中的基准读取电压的方向；所述第二偏移值大于所述第一偏移值。
14、在一些实施例中，所述n-1个偏移读取电压组中的第n-2个偏移读取电压组对应的偏移方向和偏移值分别为所述第一偏移方向和目标偏移值；所述n-1个偏移读取电压组中的第n-1个偏移读取电压组对应的偏移方向和偏移值分别为所述第二偏移方向和所述目标偏移值；
15、其中，所述目标偏移值是使第一基准读取电压对应的偏移读取电压大于或等于第二基准读取电压对应的偏移读取电压的偏移值，所述第一基准读取电压对应的偏移读取电压通过将所述第一基准读取电压向所述第一偏移方向进行偏移得到，所述第二基准读取电压对应的偏移读取电压通过将所述第二基准读取电压向所述第二偏移方向进行偏移得到；
16、所述第一基准读取电压和所述第二基准读取电压为所述基准读取电压组中在大小顺序下相邻的两个基准读取电压，所述第一基准读取电压小于所述第二基准读取电压。
17、在一些实施例中，所述存储器控制器被配置为：
18、基于所述第一读取结果和所述第二读取结果，确定多个电压区间中的每个电压区间对应的目标存储单元的数量，所述多个电压区间为基于所述第一读取电压组和所述第二读取电压组确定的电压区间，任一电压区间对应的目标存储单元的阈值电压位于所述任一电压区间内；
19、基于各个电压区间对应的目标存储单元的数量，确定所述多个目标存储单元的阈值电压分布。
20、在一些实施例中，所述存储器控制器被配置为：
21、基于所述第一读取电压组和所述第一读取结果，确定每个目标存储单元的阈值电压所处的第一电压区间；
22、基于所述第二读取电压组和所述第二读取结果，确定所述每个目标存储单元的阈值电压所处的第二电压区间；
23、基于所述第一电压区间以及所述第二电压区间，确定所述每个目标存储单元的阈值电压所处的目标电压区间；所述目标电压区间的上限为所述第一电压区间的上限和所述第二电压区间的上限中的最小值，所述目标电压区间的下限为所述第一电压区间的下限和所述第二电压区间的下限中的最大值；
24、基于各个目标存储单元的阈值电压所处的目标电压区间，统计所述每个电压区间对应的目标存储单元的数量。
25、另一方面，本技术实施例提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括存储阵列以及与所述存储阵列耦合的外围电路，所述存储阵列包括存储单元；所述外围电路被配置为：
26、基于第一读取电压组对多个目标存储单元执行读取操作，以获得第一读取结果；
27、基于第二读取电压组对所述多个目标存储单元执行读取操作，以获得第二读取结果；所述第二读取电压组与所述第一读取电压组不同；以及
28、基于所述第一读取结果和所述第二读取结果，确定所述多个目标存储单元的阈值电压分布。
29、在一些实施例中，所述存储器装置与存储器控制器耦合；所述外围电路被配置为：
30、响应于接收到所述存储器控制器发送的读取指令，基于第一读取电压组对所述多个目标存储单元执行读取操作，以及基于第二读取电压组对所述多个目标存储单元执行读取操作。
31、在一些实施例中，所述外围电路还被配置为：向所述存储器控制器发送所述阈值电压分布。
32、在一些实施例中，所述外围电路被配置为：
33、基于所述第一读取结果和所述第二读取结果，确定多个电压区间中的每个电压区间对应的目标存储单元的数量，所述多个电压区间为基于所述第一读取电压组和所述第二读取电压组确定的电压区间，任一电压区间对应的目标存储单元的阈值电压位于所述任一电压区间内；
34、基于各个电压区间对应的目标存储单元的数量，确定所述多个目标存储单元的阈值电压分布。
35、在一些实施例中，所述外围电路被配置为：
36、基于所述第一读取电压组和所述第一读取结果，确定每个目标存储单元的阈值电压所处的第一电压区间；
37、基于所述第二读取电压组和所述第二读取结果，确定所述每个目标存储单元的阈值电压所处的第二电压区间；
38、基于所述第一电压区间以及所述第二电压区间，确定所述每个目标存储单元的阈值电压所处的目标电压区间；所述目标电压区间的上限为所述第一电压区间的上限和所述第二电压区间的上限中的最小值，所述目标电压区间的下限为所述第一电压区间的下限和所述第二电压区间的下限中的最大值；
39、基于各个目标存储单元的阈值电压所处的目标电压区间，统计所述每个电压区间对应的目标存储单元的数量。
40、另一方面，本技术实施例提供了一种存储系统，所述存储系统包括控制电路和存储阵列，所述存储阵列包括存储单元；所述控制电路被配置为：
41、基于第一读取电压组对多个目标存储单元执行读取操作，以获得第一读取结果；
42、基于第二读取电压组对所述多个目标存储单元执行读取操作，以获得第二读取结果；所述第二读取电压组与所述第一读取电压组不同；以及
43、基于所述第一读取结果和所述第二读取结果，确定所述多个目标存储单元的阈值电压分布。
44、在一些实施例中，所述控制电路被配置为：
45、基于所述第一读取结果和所述第二读取结果，确定多个电压区间中的每个电压区间对应的目标存储单元的数量，所述多个电压区间为基于所述第一读取电压组和所述第二读取电压组确定的电压区间，任一电压区间对应的目标存储单元的阈值电压位于所述任一电压区间内；
46、基于各个电压区间对应的目标存储单元的数量，确定所述多个目标存储单元的阈值电压分布。
47、在一些实施例中，所述控制电路被配置为：
48、基于所述第一读取电压组和所述第一读取结果，确定每个目标存储单元的阈值电压所处的第一电压区间；
49、基于所述第二读取电压组和所述第二读取结果，确定所述每个目标存储单元的阈值电压所处的第二电压区间；
50、基于所述第一电压区间以及所述第二电压区间，确定所述每个目标存储单元的阈值电压所处的目标电压区间；所述目标电压区间的上限为所述第一电压区间的上限和所述第二电压区间的上限中的最小值，所述目标电压区间的下限为所述第一电压区间的下限和所述第二电压区间的下限中的最大值；
51、基于各个目标存储单元的阈值电压所处的目标电压区间，统计所述每个电压区间对应的目标存储单元的数量。
52、在一些实施例中，所述控制电路包括存储器控制器和外围电路；
53、所述外围电路被配置为：向所述存储器控制器发送所述第一读取结果以及向所述存储器控制器发送所述第二读取结果；
54、所述存储器控制器被配置为：接收所述第一读取结果以及接收所述第二读取结果；基于所述第一读取结果和所述第二读取结果，确定多个电压区间中的每个电压区间对应的目标存储单元的数量；基于各个电压区间对应的目标存储单元的数量，确定所述多个目标存储单元的阈值电压分布。
55、在一些实施例中，所述控制电路包括存储器控制器和外围电路；
56、所述外围电路被配置为：基于所述第一读取结果和所述第二读取结果，确定多个电压区间中的每个电压区间对应的目标存储单元的数量，向所述存储器控制器发送所述每个电压区间对应的目标存储单元的数量；
57、所述存储器控制器还被配置为：接收所述每个电压区间对应的目标存储单元的数量；基于各个电压区间对应的目标存储单元的数量，确定所述多个目标存储单元的阈值电压分布。
58、在一些实施例中，所述控制电路包括外围电路；
59、所述外围电路被配置为：基于所述第一读取结果和所述第二读取结果，确定多个电压区间中的每个电压区间对应的目标存储单元的数量；基于各个电压区间对应的目标存储单元的数量，确定所述多个目标存储单元的阈值电压分布。
60、在一些实施例中，所述控制电路还包括存储器控制器；
61、所述存储器控制器被配置为：向所述外围电路发送读取指令；
62、所述外围电路被配置为：响应于接收到所述存储器控制器发送的读取指令，基于第一读取电压组对所述多个目标存储单元执行读取操作，以及基于第二读取电压组对所述多个目标存储单元执行读取操作；向所述存储器控制器发送所述阈值电压分布。
63、另一方面，本技术实施例提供了一种存储系统的操作方法，所述方法包括：
64、基于第一读取电压组对多个目标存储单元执行读取操作，以获得第一读取结果；
65、基于第二读取电压组对所述多个目标存储单元执行读取操作，以获得第二读取结果；所述第二读取电压组与所述第一读取电压组不同；以及
66、基于所述第一读取结果和所述第二读取结果，确定所述多个目标存储单元的阈值电压分布。
67、在一些实施例中，所述第一读取电压组和所述第二读取电压组为n个读取电压组中的任两个读取电压组，所述n为大于1的整数；
68、所述n个读取电压组包括基准读取电压组以及n-1个偏移读取电压组，所述n-1个偏移读取电压组中的不同偏移读取电压组利用不同的偏移方式对所述基准读取电压组中的基准读取电压进行偏移得到。
69、在一些实施例中，任一偏移读取电压组对应的偏移方式包括偏移方向和偏移值；
70、所述n-1个偏移读取电压组中对应的偏移值相同的多个偏移读取电压组对应的偏移方向不同，所述n-1个偏移读取电压组中对应的偏移方向相同的多个偏移读取电压组对应的偏移值不同。
71、在一些实施例中，所述n-1个偏移读取电压组中的第i个偏移读取电压组对应的偏移方向和偏移值分别为第一偏移方向和第一偏移值，所述i为小于或等于n-3的正奇数；
72、所述n-1个偏移读取电压组中的第i+1个偏移读取电压组对应的偏移方向和偏移值分别为第二偏移方向和所述第一偏移值；
73、所述n-1个偏移读取电压组中的第i+2个偏移读取电压组对应的偏移方向和偏移值分别为所述第一偏移方向和第二偏移值；
74、其中，所述第一偏移方向为增大所述基准读取电压组中的基准读取电压的方向，所述第二偏移方向为减小所述基准读取电压组中的基准读取电压的方向；所述第二偏移值大于所述第一偏移值。
75、在一些实施例中，所述n-1个偏移读取电压组中的第n-2个偏移读取电压组对应的偏移方向和偏移值分别为所述第一偏移方向和目标偏移值；所述n-1个偏移读取电压组中的第n-1个偏移读取电压组对应的偏移方向和偏移值分别为所述第二偏移方向和所述目标偏移值；
76、其中，所述目标偏移值是使第一基准读取电压对应的偏移读取电压大于或等于第二基准读取电压对应的偏移读取电压的偏移值，所述第一基准读取电压对应的偏移读取电压通过将所述第一基准读取电压向所述第一偏移方向进行偏移得到，所述第二基准读取电压对应的偏移读取电压通过将所述第二基准读取电压向所述第二偏移方向进行偏移得到；
77、所述第一基准读取电压和所述第二基准读取电压为所述基准读取电压组中在大小顺序下相邻的两个基准读取电压，所述第一基准读取电压小于所述第二基准读取电压。
78、在一些实施例中，所述基于所述第一读取结果和所述第二读取结果，确定所述多个目标存储单元的阈值电压分布，包括：
79、基于所述第一读取结果和所述第二读取结果，确定多个电压区间中的每个电压区间对应的目标存储单元的数量，所述多个电压区间为基于所述第一读取电压组和所述第二读取电压组确定的电压区间，任一电压区间对应的目标存储单元的阈值电压位于所述任一电压区间内；
80、基于各个电压区间对应的目标存储单元的数量，确定所述多个目标存储单元的阈值电压分布。
81、在一些实施例中，所述基于所述第一读取结果和所述第二读取结果，确定多个电压区间中的每个电压区间对应的目标存储单元的数量，包括：
82、基于所述第一读取电压组和所述第一读取结果，确定每个目标存储单元的阈值电压所处的第一电压区间；
83、基于所述第二读取电压组和所述第二读取结果，确定所述每个目标存储单元的阈值电压所处的第二电压区间；
84、基于所述第一电压区间以及所述第二电压区间，确定所述每个目标存储单元的阈值电压所处的目标电压区间；所述目标电压区间的上限为所述第一电压区间的上限和所述第二电压区间的上限中的最小值，所述目标电压区间的下限为所述第一电压区间的下限和所述第二电压区间的下限中的最大值；
85、基于各个目标存储单元的阈值电压所处的目标电压区间，统计所述每个电压区间对应的目标存储单元的数量。
86、另一方面，本技术实施例提供了一种非暂时性计算机可读存储介质，所述非暂时性计算机可读存储介质中存储有至少一条计算机程序，所述至少一条计算机程序由存储系统中的控制电路加载并执行，以实现上述任一所述的存储系统的操作方法。