存储器装置、包括其的系统和操作其的方法与流程
本公开涉及存储器装置、包括该存储器装置的系统和操作该存储器装置的方法。
背景技术:
1、易失性存储器装置是这样的存储器装置:在该存储器装置中,当电力供应中断时,存储的数据丢失,并且由于存储数据的存储器单元的电荷泄漏,必须周期性地执行刷新操作。
2、随着半导体技术进步,集成密度加深并且工艺几何形状缩小,这减小了存储器单元的存储电容并且缩短了刷新周期。此外,随着存储器单元密度增加,相邻行中的存储器单元的电荷可能受到给定行的电压分布的影响,并且可能发生单元的电荷损失。因此,对于在数据被破坏之前有效地刷新存储器单元的电荷的技术的需求正在增加。
3、提供以上信息仅仅是为了增强对本公开的背景的理解,并且可以包括不构成相关技术的信息。
技术实现思路
1、本公开涉及解决了上述问题的存储器装置、包括该存储器装置的系统、以及操作该存储器装置的方法。
2、本公开要解决的问题不限于以上描述的那些,并且从以下实施例的描述中,本领域技术人员将清楚地理解未提及的其它问题。
3、在一些实施例中,一种存储器装置可以包括:多个存储器区域;计数逻辑,其可以包括分别与多个存储器区域对应的多个计数器,多个计数器中的每一个被配置为计算第一计数值并且计算第二计数值,第一计数值是激活信号被施加到与计数器对应的存储器区域的次数,第二计数值是针对对应的存储器区域测量的行激活时间;以及刷新控制电路,其被配置为执行刷新操作,其中,多个计数器中的每一个还被配置为基于从第一计数值和第二计数值导出的结果值,生成用于调整对存储器区域执行的刷新操作的级别的刷新标志信号,并且刷新控制电路还被配置为基于刷新标志信号分别针对相应的多个存储器区域执行刷新操作。
4、在一些实施例中,一种存储器系统可以包括:存储器装置;以及存储器控制器,其被配置为控制存储器装置,其中,存储器装置包括:多个存储器区域,多个存储器区域中的每一个包括多个存储器单元行;控制逻辑电路,其被配置为接收从存储器控制器接收的命令,并且控制多个存储器区域;地址寄存器,其被配置为锁存从存储器控制器接收的多个存储器区域的地址;刷新控制电路,其被配置为执行多个存储器区域的刷新操作;以及计数逻辑,其被配置为基于地址和命令来计算指示分别包括在多个存储器区域中的多个存储器单元行的激活的数量的计数值、以及针对分别包括在多个存储器区域中的多个存储器单元行保持激活状态的时间,其中,计数逻辑还被配置为基于计数值来选择多个存储器区域之中的与正常存储器区域相比另外需要刷新操作的弱存储器区域,并且生成与弱存储器区域对应的刷新标志信号,并且刷新控制电路还被配置为基于刷新标志信号来分别针对正常存储器区域和弱存储器区域执行刷新操作。
5、在一些实施例中,一种操作存储器装置的方法,存储器装置包括计数逻辑和刷新控制电路,计数逻辑被配置为基于施加到多个存储器区域中的每一个的信号来计算计数值,刷新控制电路被配置为执行多个存储器区域的刷新操作,该方法可以包括:由计数逻辑计算第一计数值,第一计数值是分别施加到多个存储器区域的激活信号的数量;由计数逻辑计算第二计数值,第二计数值是激活信号和预充电信号分别施加到多个存储器区域中的每一个之间的时间;由计数逻辑并且基于第一计数值和第二计数值来生成用于调整对存储器区域执行的刷新操作的级别的刷新标志信号;以及由刷新控制电路并且基于刷新标志信号来执行分别针对多个存储器区域中的每一个的刷新操作。
6、根据本公开的各种实施例,可以基于测量激活的数量和每个存储器区域的激活持续时间的计数结果分别针对存储器区域执行刷新操作。因此,可以有效地控制存储器装置并且可以改善性能。
7、根据本公开的各种实施例,可以基于每个存储器区域的计数操作来量化每个存储器区域的动态泄漏电流的状态。
8、根据本公开的各种实施例,因为分开测量每个存储器区域的激活时间,所以可以以更全面的方式理解每个存储器区域的易损度。此外,通过对激活时间的计数施加权重并且根据每个存储器区域的情形和/或条件灵活地调整权重,可以更精确地分析易损性。
9、根据本公开的各种实施例,可以基于计数操作针对弱存储器区域单独地执行刷新操作。此外,因为在不针对整个存储器执行刷新的情况下分别针对弱存储器区域执行刷新操作,所以可以更有效地控制整个存储器装置的操作。
10、根据本公开的各种实施例,可以基于每个存储器区域的计数操作来单独地控制施加到每个存储器区域的存储器单元的主体的电压。因此,可以基于计数操作通过刷新操作来减小动态泄漏电流,同时还可以通过调整施加到主体的电压来减小静态泄漏电流,从而防止数据的丢失或改变,并且改善存储器装置的性能和可靠性。
11、通过本公开可实现的效果不限于以上描述的那些。从以下给出的本发明的描述中,本领域技术人员将清楚地理解未提及的技术效果。
1.一种存储器装置,包括:
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述多个计数器中的每一个包括时钟生成器,所述时钟生成器被配置为基于所述激活信号而被激活并且基于预充电信号而被去激活,并且
3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中,所述多个计数器中的每一个还被配置为测量所述对应的存储器区域基于所述激活信号和所述预充电信号而切换的时间并且基于所述测量的时间和所述时钟生成时段而增大所述第二计数值,并且
4.根据权利要求2所述的存储器装置,其中,针对所述多个计数器中的每一个单独地控制所述时钟生成时段,并且
5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述多个计数器中的每一个还被配置为输出通过将所述第一计数值和所述第二计数值相加而获得的结果值,并且
6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,所述多个存储器区域包括其中所述结果值小于或等于第一参考值的正常存储器区域以及其中所述结果值大于所述第一参考值的弱存储器区域。
7.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述多个存储器区域包括:
8.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述刷新控制电路还被配置为:
9.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述刷新控制电路还被配置为:
10.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述计数逻辑还被配置为将所述刷新标志信号发送到所述刷新控制电路,并且
11.根据权利要求1所述的存储器装置,还包括偏置电路,所述偏置电路被配置为将偏置电压施加到分别包括在所述多个存储器区域中的存储器单元的主体,其中,所述偏置电路被配置为基于所述结果值来控制要施加到分别包括在所述多个存储器区域中的字线之中的被禁用的字线的禁用的偏置电压。
12.根据权利要求11所述的存储器装置,其中,所述多个计数器中的每一个还被配置为生成偏置标志信号,所述偏置标志信号指示要基于所述结果值调整所述禁用的偏置电压的存储器区域。
13.根据权利要求12所述的存储器装置,
14.根据权利要求13所述的存储器装置,其中,所述多个计数器还被配置为输出通过将所述第一计数值和所述第二计数值相加而获得的结果值,并且
15.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述刷新控制电路还被配置为执行与所述刷新标志信号对应的存储器区域的所述刷新操作,直至完成与不生成所述刷新标志信号的计数器对应的所述存储器区域的所述刷新操作。
16.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述多个存储器区域中的每一个是存储器块、存储器存储体、和包括多个存储器存储体的存储器存储体组中的一个。
17.一种存储器系统,包括:
18.根据权利要求17所述的存储器系统,其中,所述刷新控制电路被配置为通过将对应的计数值与至少一个参考值进行比较,确定要对所述弱存储器区域执行的另外的刷新操作的数量。
19.根据权利要求17所述的存储器系统,还包括偏置电路,所述偏置电路被配置为将禁用的偏置电压施加到分别包括在所述多个存储器区域中的字线之中的被禁用的字线的存储器单元的主体,
20.一种操作存储器装置的方法,所述存储器装置包括计数逻辑和刷新控制电路,所述计数逻辑被配置为基于施加到多个存储器区域中的每一个的信号来计算计数值,所述刷新控制电路被配置为执行所述多个存储器区域的刷新操作,所述方法包括: