用来刷新多条字线的方法以及存储器装置与流程

本发明系有关于存储器的字线刷新技术，且尤指一种用来刷新多条字线的方法，其能够通过接收并执行不刷新字线的刷新命令来达到不同于2k与4k的刷新倍率。

背景技术：

1、易失性存储器（例如动态随机存取存储器（dynamic random access memory，dram））通常需要进行多次刷新操作以刷新该易失性存储器的多条字线来确保存储器单元的保留时间。举例来说，存储器控制器可以刷新周期来周期性地将多个刷新命令输入至存储器装置（例如动态随机存取存储器）中。在动态随机存取存储器的标准中，可以将8k个刷新命令输入至存储器装置中，其中每一个刷新命令会刷新一条字线。随着动态随机存取存储器的进程演进，存储器单元的保留时间越来越短，因此现有技术出现了低于8k刷新倍率的刷新技术（诸如2k刷新与4k刷新），其中对于2k刷新来说，可将2k个刷新命令输入至存储器装置中，每一个刷新命令会刷新存储器装置中分别对应于不同存储器单元阵列的四条字线；以及对于4k刷新来说，可将4k个刷新命令输入至存储器装置中，并且每一个刷新命令会刷新存储器装置中分别对应于不同存储器单元阵列的两条字线。然而，缺点在于2k刷新与4k刷新会增加功耗，对于某些存储器单元的保留时间仍有余量的案例来说可能会造成功耗浪费，因此，极需一种用来刷新多条字线的新颖方法，以改善功耗与刷新倍率之间的权衡。

技术实现思路

1、因此，本发明的目的之一在于提供一种用来刷新多条字线的方法以及相关存储器装置，以解决上述问题。

2、依据本发明实施例，提供了一种用来刷新多条字线的方法，其中存储器装置包含有多个存储器单元阵列，并且多个存储器单元阵列包含有多条字线。该方法包含有：接收并执行多个刷新命令，其中多个刷新命令包含有多个第一刷新命令与多个第二刷新命令；响应接收并执行多个第一刷新命令之中的每一个第一刷新命令，刷新至少两条字线，其中该至少两条字线分别位于多个存储器单元阵列的至少两个存储器单元阵列中；以及响应接收并执行多个第二刷新命令，不刷新多条字线。

3、依据本发明实施例，提供了一种存储器装置，其中存储器装置包含有多个存储器单元阵列以及处理电路，并且多个存储器单元阵列包含有多条字线。处理电路系用以：接收并执行多个刷新命令，其中多个刷新命令包含有多个第一刷新命令与多个第二刷新命令；响应接收并执行多个第一刷新命令之中的每一个第一刷新命令，刷新至少两条字线，其中该至少两条字线分别位于多个存储器单元阵列的至少两个存储器单元阵列中；以及响应接收并执行多个第二刷新命令，不刷新多条字线。

4、本发明的好处之一在于，藉由本发明所提供的方法与相关存储器装置，可通过接收并执行不刷新字线的刷新命令来达到不同于2k与4k的刷新倍率（例如2.5k、3k、3.5k、5k、6k与7k），以改善功耗与刷新倍率之间的权衡。此外，可根据一个刷新命令所指示的字线的刷新数量来控制各个感测放大器电路的功率强度，以改善存储器单元的储存节点的恢复状态并符合刷新操作下的刷新周期（trfc）的需求。额外地，本发明所提供的方法与相关存储器装置还可接收并执行指示开启多条字线的主动命令（active command）来加速测试。

1.一种用来刷新多条字线的方法，其中存储器装置包含有多个存储器单元阵列，所述多个存储器单元阵列包含有所述多条字线，以及所述方法包含有：

2.如权利要求1所述的方法，其中接收并执行所述多个刷新命令的步骤包含有：

3.如权利要求1所述的方法，其中所述多个存储器单元阵列中的每一个存储器单元阵列包含有多条正常字线以及多条冗余字线，以及响应接收并执行所述多个第一刷新命令之中的每一个第一刷新命令，刷新所述至少两条字线的步骤包含有：

4.如权利要求3所述的方法，其中在所述第一时间周期的期间，响应接收并执行所述多个第一刷新命令之中的每一个第一刷新命令，刷新分别位于所述至少两个存储器单元阵列中的所述至少两条正常字线的步骤包含有：

5.如权利要求3所述的方法，还包含有：

6.如权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置还包含有多个感测放大器电路以及电压驱动器，所述电压驱动器提供驱动电压至所述多个感测放大器电路；以及所述方法还包含有：

7.如权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置还包含有多个感测放大器电路以及多个电压驱动器，所述多个电压驱动器提供驱动电压至所述多个感测放大器电路；以及所述方法还包含有：

8.如权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置还包含有多个感测放大器电路以及电压驱动器，所述电压驱动器提供均衡电压至所述多个感测放大器电路；以及所述方法还包含有：

9.如权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置还包含有多个感测放大器电路以及多个电压驱动器，所述多个电压驱动器提供均衡电压至所述多个感测放大器电路；以及所述方法还包含有：

10.如权利要求1所述的方法，还包含有：

11.一种存储器装置，包含有：

12.如权利要求11所述的存储器装置，其中所述处理电路包含有：

13.如权利要求11所述的存储器装置，其中所述多个存储器单元阵列中的每一个存储器单元阵列包含有多条正常字线以及多条冗余字线，以及所述处理电路还用以：

14.如权利要求13所述的存储器装置，其中响应所述至少两条正常字线中的任一条正常字线被冗余字线所取代，所述处理电路不刷新所述条正常字线。

15.如权利要求13所述的存储器装置，其中响应所述至少两条正常字线中的任一条正常字线系缺陷字线，所述处理电路不刷新所述条正常字线；以及响应所述至少两条冗余字线中的任一条冗余字线系所述缺陷字线，所述处理电路不刷新所述条冗余字线。

16.如权利要求11所述的存储器装置，还包含有：

17.如权利要求11所述的存储器装置，还包含有：

18.如权利要求11所述的存储器装置，还包含有：

19.如权利要求11所述的存储器装置，还包含有：

20.如权利要求11所述的存储器装置，其中所述处理电路还用以接收并执行多个主动命令，以及所述多个主动命令之中的每一个主动命令指示开启所述至少两条字线。