判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法与流程

本发明涉及半导体集成电路，尤其是涉及一种判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法。

背景技术：

1、闪存器件(flash memory)是一种非易失性固态存储器，能提供可靠的数据掉电保护，且存取速度快，是一种高可靠性、高密度的固态存储设备，已逐渐成为嵌入式系统中最主要的存储设备。但是，闪存器件也有其固有限制。首先，已编程的闪存单元必须经过擦除才能进行再次编程，且闪存单元只有有限的使用寿命。因此，确保数据在存取过程能够保持其可靠性(即数据保持性，data retention)，是非常重要的。

2、现有技术中通过探针扎在晶圆上对闪存器件进行cp1测试(chip probe，晶圆测试)来测试数据保持性(dr，data retention)，在闪存的量产过程中，会存在dataretention 失效率离群晶圆。其中很多是弱编程导致的数据保持性问题，由于flash尺寸越来越小，program效率越发成为一大难题。同时会给cp2测试的data retention带来干扰，分辨是否有真的data retention 失效掺杂其中就成了一个很重要的问题。一般的，对这些产品进行再次验证的方法如下：1、退回fab进行efa/pfa 分析；2、通过额外烘烤（extensionbake）老化模拟后再进行cp1测试的方法，观察新增率来评估风险。

3、然而，1、退回fab进行efa/pfa 分析，产品可能会报废。2、通过额外烘烤老化模拟后再进行cp1测试的方法，观察新增率来评估风险，此类方法带来三个影响：1）、增加cp1的测试成本，2）、探针针痕较多，3）、交货周期将会延长。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法，可以筛选出弱编程引起的数据保持失效的产品。并且，还可以减少产品的报废，减少cp1 测试成本，减少探针针痕，减少交货周期。

2、为了达到上述目的，本发明提供了一种判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法，包括：

3、s1：向闪存单元写入数据，对所述闪存单元进行老化模拟；

4、s2：读取所述闪存单元中存储的数据，将读出电流与第一标准电流进行比较，以得到第一合格品和第一不合格品；

5、s3：降低第一标准电流的值，以得到第二标准电流，将所述第一合格品的读出电流与第二标准电流进行对比，以得到第二合格品和第二不合格品，并记录第二不合格品的第一次失效闪存单元的地址；

6、s4：对所述第二不合格品进行开路测试和短路测试；

7、s5：对通过开路测试和短路测试后的第二不合格品，再次将读取电流与第一参考电流进行对比，如果失效，则记录第二不合格品的第二次失效闪存单元的地址；

8、s6：判断第二次失效闪存单元的地址是否与第一次失效闪存单元的地址是否相同，如果相同，则判断闪存单元为弱编程引起数据保持失效。

9、可选的，在所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法中，所述第二标准单元比第一标准单元的值低10%~20%。

10、可选的，在所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法中，剔除第一不合格品。

11、可选的，在所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法中，向闪存单元写入数据“0”。

12、可选的，在所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法中，步骤s2中，读出电流小于所述第一标准电流时，为第一合格品。

13、可选的，在所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法中，步骤s2中，读出电流大于所述第一标准电流时，为第一不合格品。

14、可选的，在所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法中，步骤s3中，所述第一合格品的读出电流小于所述第二标准电流时，为第二合格品。

15、可选的，在所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法中，步骤s3中，所述第一合格品的读出电流大于所述第二标准电流时，为第二不合格品。

16、可选的，在所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法中，步骤s5中，读出电流大于所述第一标准电流时，判为失效。

17、可选的，在所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法中，步骤s6之后，还包括：将第一合格品、第一不合格品、第二合格品、第二不合格品和弱编程引起数据保持失效的信息写入闪存芯片中。

18、在本发明提供的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法中，包括：向闪存单元写入数据，对闪存单元进行老化模拟；读取闪存单元中存储的数据，将读出电流与第一标准电流进行比较，以得到第一合格品和第一不合格品；降低第一标准电流的值，以得到第二标准电流，将第一合格品的读出电流与第二标准电流进行对比，以得到第二合格品和第二不合格品，并记录第二不合格品的第一次失效闪存单元的地址；对第二不合格品进行开路测试和短路测试；对通过开路测试和短路测试后的第二不合格品，再次将读取电流与第一参考电流进行对比，如果失效，则记录第二不合格品的第二次失效闪存单元的地址；判断第二次失效闪存单元的地址是否与第一次失效闪存单元的地址是否相同，如果相同，则判断闪存单元为弱编程引起数据保持失效。本发明通过降低第一标准电流的值，再次与读出的电流对比，得到第二不合格品的第一次失效闪存单元的地址。再次将读取电流与降低前的第一参考电流进行对比，得到第二次失效闪存单元的地址。如果两次失效闪存单元的地址是否相同，则判断闪存单元为弱编程引起数据保持失效。因此，本发明筛选出了弱编程引起的数据保持失效的产品。并且，不需要退回fab进行efa/pfa 分析，减少了产品的报废。也不需要额外烘烤老化模拟后再进行cp1测试，减少了cp1 测试成本，减少了探针针痕，减少了交货周期。

1.一种判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法，其特征在于，所述第二标准单元比第一标准单元的值低10%~20%。

3.如权利要求1所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法，其特征在于，剔除第一不合格品。

4.如权利要求1所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法，其特征在于，向闪存单元写入数据“0”。

5.如权利要求4所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法，其特征在于，步骤s2中，读出电流小于所述第一标准电流时，为第一合格品。

6.如权利要求4所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法，其特征在于，步骤s2中，读出电流大于所述第一标准电流时，为第一不合格品。

7.如权利要求4所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法，其特征在于，步骤s3中，所述第一合格品的读出电流小于所述第二标准电流时，为第二合格品。

8.如权利要求4所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法，其特征在于，步骤s3中，所述第一合格品的读出电流大于所述第二标准电流时，为第二不合格品。

9.如权利要求4所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法，其特征在于，步骤s5中，读出电流大于所述第一标准电流时，判为失效。

10.如权利要求1所述的判断是否弱编程引起数据保持失效的测试方法，其特征在于，步骤s6之后，还包括：将第一合格品、第一不合格品、第二合格品、第二不合格品和弱编程引起数据保持失效的信息写入闪存芯片中。