半导体器件及其操作方法与流程

摘要: 本申请的实施例涉及半导体器件及其操作方法。背景技术:1、由于各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的组成密度不断提高,半导体行业经历了快速增长。在...
半导体器件及其操作方法与流程

本申请的实施例涉及半导体器件及其操作方法。

背景技术:

1、由于各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的组成密度不断提高,半导体行业经历了快速增长。在很大程度上,组成密度的提高来自于最小部件尺寸的反复减小,这使得更多的组件可以组成到给定的区域中。

技术实现思路

1、根据本申请实施例的一个方面,提供了一种半导体器件,包括:第一存储器阵列,包括多个第一标称存储器单元、多个第一参考存储器单元和多个第二参考存储器单元;第二存储器阵列,包括多个第二标称存储器单元、多个第三参考存储器单元和多个第四参考存储器单元;输入/输出(i/o)电路,沿第一横向方向物理地插入在第一存储器阵列和第二存储器阵列之间;以及控制器,可操作地耦合到i/o电路、第一存储器阵列和第二存储器阵列;其中,基于多个控制信号,控制器被配置为从第三参考存储器单元、第四参考存储器单元或第二标称存储器单元中的一个选择参考信号,从而允许i/o电路感测来自第一标称存储器单元中的一个的数据信号。

2、根据本申请实施例的另一个方面,提供了一种半导体器件,包括:第一存储器阵列,包括多个第一存储器单元、多个第二存储器单元和多个第三存储器单元,第一存储器单元各自被配置为基于相应的第一可变电阻储存第一数据位,第二存储器单元各自被配置为储存第一参考电阻,第三存储器单元各自被配置为储存第二参考电阻;第二存储器阵列,包括多个第四存储器单元、多个第五存储器单元和多个第六存储器单元,第四存储器单元各自被配置为基于相应的第二可变电阻储存第二数据位,第五存储器单元各自被配置为储存第三参考电阻,第六存储器单元各自被配置为储存第四参考电阻;以及控制器,被配置为:接收多个控制信号;以及,基于多个控制信号的逻辑组合,而(i)选择第三参考电阻、第四参考电阻或第二数据位中的一个与第一数据位进行比较,或者(ii)选择第一参考电阻、第二参考电阻或第一数据位中的一个与第二数据位进行比较。

3、根据本申请实施例的又一个方面,提供了一种操作半导体器件的方法,包括:接收至少第一控制信号和第二控制信号,其中,第一控制信号和第二控制信号的逻辑组合被配置为选择第一参考方案、第二参考方案或第三参考方案中的至少一个;基于与第一参考方案相对应的逻辑组合中的第一逻辑组合,启用第一存储器阵列的多个第一参考存储器单元中的一个和第二存储器阵列的多个第二标称存储器单元中的一个,从而将由第一参考存储器单元中的一个提供的第一参考信号与由第二标称存储器单元中的一个提供的第二数据信号进行比较;基于与第二参考方案对应的逻辑组合中的第二逻辑组合,启用第一存储器阵列的多个第二参考存储器单元中的一个和第二存储器阵列的多个第二标称存储器单元中的另一个,从而将由第二参考存储器单元中的一个提供的第二参考信号与由第二标称存储器单元中的另一处提供的第二数据信号进行比较;以及基于与第三参考方案对应的逻辑组合中的第三逻辑组合,启用第一存储器阵列的多个第一标称存储器单元中的一个和第二存储器阵列的第二标称存储器单元中的又一个,从而将由第一标称存储器单元中的一个提供的第三数据信号与由第二标称存储器单元中的又一个提供的第四数据信号进行比较。

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述控制器还被配置为:

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一参考存储器单元沿所述第一横向方向相对于所述第一标称存储器单元交替布置,并且所述第三参考存储器单元沿所述第一横向方向相对于所述第二标称存储器单元交替布置。

5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述第二参考存储器单元沿所述第一存储器阵列的第一边缘布置,所述第一边缘在垂直于所述第一横向方向的第二横向方向上延伸,并且所述第四参考存储器单元沿所述第二存储器阵列的第二边缘布置,所述第二边缘布置在所述第二横向方向上延伸。

6.根据权利要求5所述的半导体器件,其中,沿所述第一横向方向所述输入/输出电路与所述第一存储器阵列相对地设置在所述第一边缘的对面,并且沿所述第一横向方向所述输入/输出电路与所述第二存储器阵列相对地设置在所述第二边缘的对面。

7.一种半导体器件,包括:

8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,当所述控制信号中的第一控制信号和第二控制信号均以第一逻辑状态提供时,所述控制器被配置为使感测放大器检索要与所述第二数据位进行比较的第二参考电阻,或检索要与所述第一数据位进行比较的第四参考电阻。

9.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,当所述第一控制信号和所述第二控制信号分别以第二逻辑状态和所述第一逻辑状态提供时,所述控制器被配置为使所述感测放大器检索要与所述第二数据位进行比较的所述第一参考电阻,或者检索要与所述第一数据位进行比较的所述第三参考电阻。

10.一种操作半导体器件的方法,包括: