封装增层结构的制造方法及封装增层结构与流程

本申请涉及半导体封装，尤其涉及封装增层结构的制造方法及封装增层结构。

背景技术：

1、在半导体封装技术领域，传统的封装增层结构制造方法是在已承载芯片的基板上，通过多次光刻、显影及蚀刻等工艺步骤在介电层中形成所需的图案化结构。这种方法工艺步骤繁琐，对大面积基板的整体对位精度难以保证，且设备与材料成本高昂。因此，亟需一种能够直接在已载有芯片的封装结构上，以简化工艺步骤实现增层介电层图形化的制造方法。

技术实现思路

1、针对现有光刻工艺在载有芯片的基板上制作增层介电层时，存在对位精度差、步骤繁琐的问题，现提供一种以压印法直接实现介电层图形化的封装增层结构制造方法及封装增层结构。

2、本申请提供了一种封装增层结构的制造方法，包括：

3、提供一基板结构，所述基板结构上具有至少一芯片；

4、于所述基板结构上形成一待固化的介电材料层；

5、采用压印模具对所述待固化的介电材料层进行压印，使所述介电材料层中成型出图案化结构；

6、保持所述压印模具压合状态下，对所述待固化的介电材料层进行固化；

7、移除所述压印模具，获得图案化介电层；

8、于所述图案化介电层上形成导电层。

9、可选地，在所述采用压印模具对所述待固化的介电材料层进行压印之前，还包括：

10、对所述待固化的介电材料层进行一预烘烤处理，以使所述待固化的介电材料层达到半固化状态。

11、可选地，所述于所述图案化介电层上形成导电层，还包括：

12、去除位于所述图案化结构的凹部底部的介电残膜，以露出所述芯片的焊盘。

13、可选地，所述图案化结构包括用于调控所述图案化介电层内部应力分布的微结构阵列。

14、可选地，所述图案化结构使所述图案化介电层具有非平坦表面形态，所述非平坦表面形态为后续形成的所述导电层提供机械互锁与附着增强结构。

15、可选地，还包括：

16、重复执行所述形成一待固化的介电材料层至所述形成导电层的步骤，以堆叠制备多层所述图案化介电层与多层所述导电层，实现多层层间互连。

17、本申请提供了一种封装增层结构，包括：

18、一基板结构，所述基板结构上具有至少一芯片；

19、一图案化介电层，设置于所述基板结构上，所述图案化介电层的图案化结构具有与压印模具型腔互补的形貌；

20、一导电层，设置于所述图案化介电层上并填充于所述图案化结构内。

21、可选地，所述图案化介电层的所述图案化结构包括用于调控所述图案化介电层内部应力分布的微结构阵列。

22、可选地，所述图案化介电层具有非平坦表面形态，该非平坦表面形态与所述导电层之间形成机械互锁结构，以增强界面附着力。

23、可选地，还包括：

24、多层所述图案化介电层与多层所述导电层交替堆叠的结构，以实现多层层间互连。

25、上述技术方案的有益效果：

26、本申请的封装增层结构的制造方法通过压印方式直接在待固化的介电材料层中成型出图案化结构，并在模具压合状态下完成固化，使介电层的结构成型与固化同步实现，无需依赖多次光刻对位，制程步骤得到简化。

1.一种封装增层结构的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装增层结构的制造方法，其特征在于，在所述采用压印模具对所述待固化的介电材料层进行压印之前，还包括：

3.根据权利要求1所述的封装增层结构的制造方法，其特征在于，所述于所述图案化介电层上形成导电层，还包括：

4.根据权利要求1所述的封装增层结构的制造方法，其特征在于，所述图案化结构包括用于调控所述图案化介电层内部应力分布的微结构阵列。

5.根据权利要求1所述的封装增层结构的制造方法，其特征在于，所述图案化结构使所述图案化介电层具有非平坦表面形态，所述非平坦表面形态为后续形成的所述导电层提供机械互锁与附着增强结构。

6.根据权利要求1所述的封装增层结构的制造方法，其特征在于，还包括：

7.一种封装增层结构，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的封装增层结构，其特征在于，所述图案化介电层的所述图案化结构包括用于调控所述图案化介电层内部应力分布的微结构阵列。

9.根据权利要求7所述的封装增层结构，其特征在于，所述图案化介电层具有非平坦表面形态，该非平坦表面形态与所述导电层之间形成机械互锁结构，以增强界面附着力。

10.根据权利要求7所述的封装增层结构，其特征在于，还包括：