一种光电耦合器的制作方法

本技术涉及光电耦合器，特别涉及一种光电耦合器。

背景技术：

1、光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电一光一电转换器件，通常把发光装置与接收装置封装在同一管壳内，当输入端加电信号时发光装置发出光线，接收装置接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”的转换，在电器、数字电路等领域广泛使用。

2、现在市场上的产品逐渐小型化，例如快速充电器，产品小型化带来的是器件的小型化需求，因此光耦市场为了适应小型化产品需求，推出薄型化的sop封装方式，比如lsop4，但是小型化带来的问题是光电转换效率低下，为了提高光电装换效率，一般通过将发射装置升级为发光效率更高的晶片，接收装置则使用灵敏度更高、响应速度更快的晶片，从而导致成本升高。

3、所以，目前市场上对光电耦合器的要求越来越高，传统简单通过调整晶片规格的提高光电转换效率的方式成本高，已无法满足市场日益增长的需求。

技术实现思路

1、针对上述问题，本实用新型目的在于提供了一种光电耦合器，可以解决光电耦合器光电转换效率低、成本高的问题。

2、本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

3、一种光电耦合器，包括：

4、封装壳体；

5、发射组件和接收组件，所述发射组件包括发射支架和固定设置在所述发射支架的发射晶片，所述接收组件包括接收支架和固定设置在所述接收支架的接收晶片，所述接收支架和所述发射支架分别固定设置在所述封装壳体的内部且至少部分伸出位于所述封装壳体的外部形成引脚，所述发射晶片和所述接收晶片在所述封装壳体的内部相互正对设置，以使所述发射晶片发射的光线对射到所述接收晶片上；以及

6、导光胶体通道，所述导光胶体通道连接于所述发射晶片和所述接收晶片之间，用于将所述发射晶片发射的光线导向传递至所述接收晶片。

7、在一种可实现的实施例中，所述发射支架包括第一固晶区、第一焊线区、第一焊线，所述发射晶片固定设置在所述第一固晶区且通过所述第一焊线连接到所述第一焊线区，所述第一固晶区和所述第一焊线区分别独立伸出所述封装壳体的外部形成引脚；

8、所述接收支架包括第二固晶区、第二焊线区和第二焊线，所述接收晶片固定设置在所述第二固晶区且通过所述第二焊线连接到所述第二焊线区，所述第二固晶区和所述第二焊线区分别独立伸出所述封装壳体的外部形成引脚。

9、在一种可实现的实施例中，所述第一焊线区与所述第二焊线区、所述第一固晶区与所述第二固晶区分别设置在对角线位置。

10、在一种可实现的实施例中，所述导光胶体通道覆盖所述第一固晶区、所述第二固晶区、所述第一焊线、所述第二焊线。

11、在一种可实现的实施例中，所述发射组件和所述接收组件沿所述封装壳体的长边相对设置，所述发射组件和所述接收组件之间的最小绝缘距离为0.4mm-1.9mm。

12、在一种可实现的实施例中，所述第一焊线与所述发射晶片和所述第一焊线区之间的焊接结构为正打或反打；和/或，所述第二焊线与所述接收晶片和所述第二焊线区之间的焊接结构为正打或反打。

13、在一种可实现的实施例中，所述发射支架还包括第一反射杯，所述第一反射杯围绕在所述发射晶片的外侧。

14、在一种可实现的实施例中，所述接收支架还包括第二反射杯，所述第二反射杯围绕在所述接收晶片的外侧。

15、在一种可实现的实施例中，所述第一反射杯上设置有聚光结构。

16、在一种可实现的实施例中，所述接收支架和所述发射支架伸出于所述封装壳体外部的部分位于所述封装壳体的同一侧或不同侧。

17、由于采用了上述技术方案，本实用新型至少具有如下有益效果：

18、本实用新型提供的光电耦合器通过将发射晶片和接收晶片正对设置，形成对射式设计，从而使得内部的光学通道路线更为简单、容易构建，并且对光学通道路线采用导光胶体进行构建，光信号直线传递不需要经过复杂反射的同时，减少了光线的逃逸，提高光电转换效率，提升响应速度，相比增大晶体规格的方式，降低了光电耦合器的成本。

1.一种光电耦合器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光电耦合器，其特征在于，所述发射支架包括第一固晶区、第一焊线区、第一焊线，所述发射晶片固定设置在所述第一固晶区且通过所述第一焊线连接到所述第一焊线区，所述第一固晶区和所述第一焊线区分别独立伸出所述封装壳体的外部形成引脚；

3.根据权利要求2所述的光电耦合器，其特征在于，所述第一焊线区与所述第二焊线区、所述第一固晶区与所述第二固晶区分别设置在对角线位置。

4.根据权利要求2所述的光电耦合器，其特征在于，所述导光胶体通道覆盖所述第一固晶区、所述第二固晶区、所述第一焊线、所述第二焊线。

5.根据权利要求1所述的光电耦合器，其特征在于，所述发射组件和所述接收组件沿所述封装壳体的长边相对设置，所述发射组件和所述接收组件之间的最小绝缘距离为0.4mm-1.9mm。

6.根据权利要求2所述的光电耦合器，其特征在于，所述第一焊线与所述发射晶片和所述第一焊线区之间的焊接结构为正打或反打；和/或，所述第二焊线与所述接收晶片和所述第二焊线区之间的焊接结构为正打或反打。

7.根据权利要求1所述的光电耦合器，其特征在于，所述发射支架还包括第一反射杯，所述第一反射杯围绕在所述发射晶片的外侧。

8.根据权利要求7所述的光电耦合器，其特征在于，所述接收支架还包括第二反射杯，所述第二反射杯围绕在所述接收晶片的外侧。

9.根据权利要求7所述的光电耦合器，其特征在于，所述第一反射杯上设置有聚光结构。

10.根据权利要求1所述的光电耦合器，其特征在于，所述接收支架和所述发射支架伸出于所述封装壳体外部的部分位于所述封装壳体的同一侧或不同侧。