图案化方法与流程

本发明是有关于一种半导体制程，且特别是有关于一种图案化方法。

背景技术：

1、目前，为了缩小半导体元件的尺寸，减小线宽、减小线距与提高图案转移的精确度是必需解决的课题。自对准双重图案化(self-aligned double patterning，sadp)制程为解决上述课题的一种手段。然而，由于目前的自对准双重图案化制程的制程复杂度高，因此如何发展出一种具有较低制程复杂度的图案化方法为持续努力的目标。

技术实现思路

1、本发明提供一种图案化方法，其可有效地降低制程复杂度。

2、本发明提出一种图案化方法，包括以下步骤。提供材料层。在材料层上形成第一图案化罩幕层。第一图案化罩幕层包括开口。在开口中形成第二图案化罩幕层。第二图案化罩幕层的材料包括负热膨胀材料(negative thermal expansion material)。对第二图案化罩幕层进行加热制程，而缩小第二图案化罩幕层，且在第一图案化罩幕层与第二图案化罩幕层之间形成间隙。利用第一图案化罩幕层与第二图案化罩幕层作为罩幕，移除部分材料层，而对材料层进行图案化。

3、依照本发明的一实施例所述，在上述图案化方法中，第一图案化罩幕层的形成方法可包括以下步骤。在材料层上形成罩幕层。对罩幕层进行图案化，而形成第一图案化罩幕层。

4、依照本发明的一实施例所述，在上述图案化方法中，负热膨胀材料可包括zrv1.6w0.4o7.2、zr(wo4)2、zrv2o、zrmo2o8、zrw2o8、hfmo2o8、hfw2o8、zr2(moo4)3、zr2(wo4)3、hf2(moo4)3、hf2(wo4)3或其组合。

5、依照本发明的一实施例所述，在上述图案化方法中，第二图案化罩幕层的形成方法可包括以下步骤。在第一图案化罩幕层上与开口中形成罩幕层。移除位在开口的外部的罩幕层，而形成第二图案化罩幕层。

6、依照本发明的一实施例所述，在上述图案化方法中，罩幕层的形成方法例如是旋转涂布法。

7、依照本发明的一实施例所述，在上述图案化方法中，位在开口的外部的罩幕层的移除方法例如是干式蚀刻法或化学机械研磨法。

8、依照本发明的一实施例所述，在上述图案化方法中，加热制程的温度例如是100℃至500℃。

9、依照本发明的一实施例所述，在上述图案化方法中，开口的上视图案例如是矩形或圆形。

10、依照本发明的一实施例所述，在上述图案化方法中，第二图案化罩幕层的上视图案例如是矩形或圆形。

11、依照本发明的一实施例所述，在上述图案化方法中，间隙的上视图案例如是环形。

12、基于上述，在本发明所提出的图案化方法中，由于第二图案化罩幕层的材料包括负热膨胀材料，因此第二图案化罩幕层可具有负热膨胀系数。如此一来，可藉由加热制程来缩小第二图案化罩幕层，而在第一图案化罩幕层与第二图案化罩幕层之间形成间隙，藉此可有效地降低制程复杂度。此外，可藉由调整加热制程的温度来弹性调整第二图案化罩幕层的尺寸以及间隙的尺寸。

13、为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

1.一种图案化方法，包括：

2.如权利要求1所述的图案化方法，其中所述第一图案化罩幕层的形成方法包括：

3.如权利要求1所述的图案化方法，其中所述负热膨胀材料包括zrv1.6w0.4o7.2、zr(wo4)2、zrv2o、zrmo2o8、zrw2o8、hfmo2o8、hfw2o8、zr2(moo4)3、zr2(wo4)3、hf2(moo4)3、hf2(wo4)3或其组合。

4.如权利要求1所述的图案化方法，其中所述第二图案化罩幕层的形成方法包括：

5.如权利要求4所述的图案化方法，其中所述罩幕层的形成方法包括旋转涂布法。

6.如权利要求4所述的图案化方法，其中位在所述开口的外部的所述罩幕层的移除方法包括干式蚀刻法或化学机械研磨法。

7.如权利要求1所述的图案化方法，其中所述加热制程的温度为100℃至500℃。

8.如权利要求1所述的图案化方法，其中所述开口的上视图案包括矩形或圆形。

9.如权利要求1所述的图案化方法，其中所述第二图案化罩幕层的上视图案包括矩形或圆形。

10.如权利要求1所述的图案化方法，其中所述间隙的上视图案包括环形。