半导体装置的制作方法

本技术涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、半导体装置制造业经历了指数型成长。随着时间推移，材料、设计以及制造方面的技术进步已经可以产生具有逐渐缩小且更复杂电路的半导体装置。在半导体装置演进过程中，每单位芯片面积的互连装置数量通常会增加，而电路组件的尺寸通常会减小。这种半导体装置架构的缩小通常会增加了处理和制造半导体装置的复杂性。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种半导体装置。半导体装置包括：基板；设置在所述基板上方并沿第一方向延伸的主动区；设置在所述基板上方的隔离区，所述主动区突出于所述隔离区之上；多个栅极线，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并与包含与所述主动区对准的半导体层堆叠的各自的信道区域相交；所述多个栅极线中的至少两个栅极线包括：栅极材料以及介电材料，所述栅极材料设置在所述至少两个栅极线相交的所述信道区域的上层半导体层的上方，且所述介电材料位于所述上层半导体层的下方以及所述至少两个栅极线相交的所述信道区域的所述上层半导体层的下方的半导体层之间；所述多个栅极线中的至少一个栅极线包括：所述栅极材料，环绕所述至少一个栅极线相交的所述信道区域的一个信道区域的半导体层；以及设置在所述栅极材料与所述至少两个栅极线的上层半导体层之间的栅极介电层，所述栅极介电层经配置为作为反熔丝结构而发挥功能。

2、为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体层从所述信道区域通过所述主动区沿所述第一方向延伸，且源极/漏极结构环绕所述主动区中的所述半导体层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述主动区包括n型材料或p型材料的其中的一种，且所述基板包括所述n型材料或所述p型材料的其中的另一种。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括多个金属覆盖扩散线，沿所述第二方向延伸并接触所述栅极线之间的所述主动区。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体层堆叠包括四个半导体层。