半导体装置的制作方法

本揭示内容的一些实施方式提供半导体装置。

背景技术：

1、由于各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度不断提高，半导体行业经历快速增长。在很大程度上，整合密度的提高来自于最小特征大小的不断减小，此允许更多组件整合至给定的区域中。

技术实现思路

1、本揭示内容的一些实施方式提供半导体装置，包含第一基板、第二基板、第一金属层、第二金属层、介电层以及接合层。第一基板包括彼此相对的第一侧及第二侧。多个磊晶结构及至少一栅极结构形成于第一基板的第一侧上。第二基板包括彼此相对的第一侧及第二侧。第一金属层形成于第二基板的第一侧上。第二金属层形成于第二基板的第一侧上。介电层插入于第一金属层与第二金属层之间。接合层插入于第一基板的第二侧与第二基板的第二侧之间。第一金属层、第二金属层及介电层可操作地在第二基板的第一侧上形成电容器，电容器耦接至第一基板的第一侧上的这些磊晶结构中的至少一者，且其中第一金属层、介电层及第二金属层中的各者包括朝向或远离第一基板延伸的至少一竖直部分。

2、本揭示内容的一些实施方式提供半导体装置，包含基板、多个晶体管、第一金属层、第二金属层以及介电层。基板包括彼此相对的第一侧及第二侧。多个晶体管形成于基板的第一侧上。第一金属层形成于基板的第二侧上。第二金属层形成于基板的第二侧上。介电层插入于第一金属层与第二金属层之间。第一金属层、介电层及第二金属层中的各者包括朝向或远离基板的第一侧延伸的竖直部分及连接至竖直部分的侧向部分。

3、在本揭示的又一态样中，提供半导体装置，包含第一基板、第二基板、第一金属层、第二金属层、介电层以及接合层。第一基板包括彼此相对的第一侧及第二侧。多个磊晶结构及至少一栅极结构形成于第一基板的第一侧上。第二基板包括彼此相对的第一侧及第二侧。第一金属层形成于第二基板的第一侧上。第二金属层形成于第二基板的第一侧上。第一金属层设置于第一者中，第一者形成于第二基板的第一侧上的多个金属化层中，且第二金属层设置于这些金属化层中的第二者中。介电层插入于第一金属层与第二金属层之间。接合层插入于第一基板的第二侧与第二基板的第二侧之间。第一金属层、介电层及第二金属层中的各者包括朝向或远离第一基板延伸的至少一竖直部分。

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一金属层电耦合至所述多个磊晶结构中的一第一者，且该第二金属层电耦合至所述多个磊晶结构中的一第二者。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述多个磊晶结构侧向地设置于该至少一栅极结构的多个侧面上。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一金属层、该介电层及该第二金属层中的各者包括连接至对应该至少一竖直部分的一或多个侧向部分。

5.一种半导体装置，其特征在于，包含：

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含在该介电层内形成于该第一金属层与该第二金属层之间的一第三金属层。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一金属层、该第二金属层、位于该介电层内的该第三金属层以及该介电层形成彼此并联连接的多个电容器。

8.一种半导体装置，其特征在于，包含：

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，其中一第一金属化层及一第二金属化层竖直地彼此相邻设置，其间未插入其他的所述多个金属化层。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，其中一第一金属化层及一第二金属化层竖直地彼此相邻设置，其间插入有所述多个金属化层中的至少另一者。