陶瓷基板、AlN单晶体、AlN晶须以及AlN晶须复合物的制作方法

技术特征：
1.一种陶瓷基板，其在基体中含有纤维状的aln单晶体。2.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其热导率为150w/mk以上，并且破坏韧度为4.0mpam
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以上。3.根据权利要求1或2所述的陶瓷基板，其中，纤维状的所述aln单晶体为六方晶的纤锌矿型结构，向所述基体的板厚方向的端面照射x射线时得到的所述aln单晶体的(10-10)面的峰强度与(0002)面的峰强度的比为2.00以上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的陶瓷基板，其中，所述基体中含有的氧量为0.07重量％以下。5.根据权利要求1至4中任一项所述的陶瓷基板，其中，含有所述aln单晶体的所述基体的断裂面的算术平均粗糙度为3μm以上。6.根据权利要求1至5中任一项所述的陶瓷基板，其中，所述基体还含有粒状的aln单晶体。7.一种陶瓷基板，其在基体中含有aln晶须，所述aln晶须由具有六方晶的纤锌矿型结构且为纤维状的aln单晶体和覆盖所述aln单晶体的表面的含氧层形成，所述aln晶须的氧浓度为7.0质量％以下。8.一种陶瓷基板，其在基体中含有aln晶须复合物，所述aln晶须复合物具有多个aln晶须，所述aln晶须由具有六方晶的纤锌矿型结构且为纤维状的aln单晶体和覆盖所述aln单晶体的表面的含氧层形成，所述aln晶须复合物中直径小于1.0μm的所述aln晶须的含有率为20体积％以下。9.一种纤维状的aln单晶体，其具有六方晶的纤锌矿型结构，且向板厚方向的端面照射x射线时得到的(10-10)面的峰强度与(0002)面的峰强度的比为2.00以上。10.一种aln晶须，其由具有六方晶的纤锌矿型结构且为纤维状的aln单晶体和覆盖所述aln单晶体的表面的含氧层形成，并且氧浓度为7.0质量％以下。11.一种aln晶须复合物，其具有多个aln晶须，所述aln晶须由具有六方晶的纤锌矿型结构且为纤维状的aln单晶体和覆盖所述aln单晶体的表面的含氧层形成，所述aln晶须复合物中直径小于1.0μm的所述aln晶须的含有率为20体积％以下。

技术总结
本发明提供一种陶瓷基板，其能够实现与在基体中含有粒状的氮化铝多晶体的以往的陶瓷基板同等或同等以上的热导率，并且能够实现比在基体中含有粒状的氮化硅多晶体的以往的陶瓷基板优异的破坏韧度，具有现有陶瓷基板中不存在的特性。本实施方式的陶瓷基板的特征在于，在基体中含有纤维状的AlN单晶体。在基体中含有纤维状的AlN单晶体。在基体中含有纤维状的AlN单晶体。


技术研发人员：松本昌树 渡边将太 西谷健治 前田孝浩 永冶仁
受保护的技术使用者：株式会社优迈普
技术研发日：2021.08.06
技术公布日：2023/1/31