一种正交型/单斜型PdSe2同质结及其制备方法与应用

技术特征：
1.一种正交型/单斜型pdse2同质结，其特征在于：所述同质结由单斜型pdse2薄膜和正交型pdse2薄膜构成。2.一种权利要求1所述正交型/单斜型pdse2同质结的制备方法，其特征在于：先在少硒的生长条件下生长单斜型pdse2薄膜，再在富硒的生长条件下生长正交型pdse2薄膜，从而获得正交型/单斜型pdse2同质结。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、制备单斜型pdse2利用磁控溅射在二氧化硅衬底的部分区域沉积2-5nm厚的钯薄膜；然后，将含有0.4-0.6g硒粉的石英舟放置在双温区生长炉的上游温区，将沉积钯薄膜的衬底放置在下游温区且距离硒粉15-18cm处；在氩气保护下，将上游温区和下游温区分别升温至250-280℃和400-450℃，保温40-60min，在沉积钯薄膜的区域获得单斜型pdse2薄膜；步骤2、制备正交型/单斜型pdse2同质结将含有2-2.5g硒粉的石英舟放置在双温区生长炉的上游温区，利用掩膜将单斜型pdse2薄膜表面覆盖一半并重新放置在下游温区且距离硒粉15-18cm处；在氩气保护下，将上游温区和下游温区分别升温至280-300℃和400-450℃，保温100-120min，即在暴露的单斜型pdse2薄膜处获得正交型pdse2薄膜，且单斜型pdse2薄膜和正交型pdse2薄膜构成正交型/单斜型pdse2同质结。4.一种权利要求1所述正交型/单斜型pdse2同质结作为光激发式气敏材料的应用。5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于：所述气敏材料用于检测no2。

技术总结
本发明公开了一种正交型/单斜型PdSe2同质结及其制备方法与应用，是通过精确控制硒化工程，在富硒和少硒的生长条件下选择性地获得正交型和单斜型PdSe2薄膜。本发明的实验方法具有可重复性，所得薄膜具有连续性和大尺寸结构等特点，且该同质结可用于作为检测NO2的光激发式气敏材料，基于其制备的传感器件在NO2气体的检测中展现出较快的响应和恢复性能。气体的检测中展现出较快的响应和恢复性能。气体的检测中展现出较快的响应和恢复性能。


技术研发人员：胡雪峰 范金乐 章伟
受保护的技术使用者：合肥工业大学
技术研发日：2022.10.28
技术公布日：2023/1/31