一种去除光刻胶底膜的方法与流程

技术特征：
1.一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，包括步骤：将待处理晶圆放置在等离子去胶机内的载具转盘上；在所述等离子去胶机中通入氧气，并开启所述载具转盘，使用所述氧气按照第一预设真空度、第一预设plasma功率和第一预设时间对所述待处理晶圆进行处理，得到处理后的晶圆。2.根据权利要求1所述的一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，所述将待处理晶圆放置在等离子去胶机内的载具转盘上与所述在所述等离子去胶机中通入氧气之间包括：将所述等离子去胶机抽真空至18～22mtorr，得到抽真空后的等离子去胶机。3.根据权利要求2所述的一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，所述在所述等离子去胶机中通入氧气包括：在所述抽真空后的等离子去胶机中按照25～35ml/min的流量通入氧气。4.根据权利要求1所述的一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，所述开启所述载具转盘包括：按照4～6r/min的速度开启所述载具转盘。5.根据权利要求1所述的一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，所述使用所述氧气按照第一预设真空度、第一预设plasma功率和第一预设时间对所述待处理晶圆进行处理，得到处理后的晶圆包括：使用所述氧气按照第一预设真空度、第一预设plasma功率和第一预设时间对所述待处理晶圆进行一次处理，得到一次处理后的晶圆；按照第二预设plasma功率和第二预设时间对所述一次处理后的晶圆进行二次处理，得到处理后的晶圆。6.根据权利要求5所述的一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，所述第一预设真空度为25.5～34.5mtorr，所述第一预设plasma功率为150～170w，所述第一预设时间为200s；所述第二预设plasma功率为40～60w，所述第二预设时间为100s。7.根据权利要求1所述的一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，所述开启所述载具转盘，使用所述氧气按照第一预设真空度、第一预设plasma功率和第一预设时间对所述待处理晶圆进行处理，得到处理后的晶圆之后包括：使用旋干机清洁所述处理后的晶圆，得到清洁后的晶圆。8.根据权利要求7所述的一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，所述使用旋干机清洁所述处理后的晶圆，得到清洁后的晶圆包括：将所述处理后的晶圆放置在旋干机内，按照5～7l/min的水流量、5～15r/min的转速以及45～55℃对所述处理后的晶圆正向冲水110～130s，得到正向冲水后的晶圆；按照6l/min的水流量、500r/min的转速以及50℃的温度对所述正向冲水后的晶圆逆向冲水30s，得到逆向冲水后的晶圆；返回执行一次所述按照5～7l/min的水流量、5～15r/min的转速以及45～55℃对所述处理后的晶圆正向冲水110～130s步骤以及所述按照6l/min的水流量、500r/min的转速以及50℃的温度对所述处理后的晶圆逆向冲水30s步骤，得到冲水完成的晶圆；使用氮气对所述冲水完成的晶圆进行吹扫，得到吹扫后的晶圆；按照85℃的温度、2400r/min的转速和120s的时间对所述吹扫后的晶圆进行一次烘干，
得到一次烘干后的晶圆；按照85℃的温度、500r/min的转速和60s的时间对所述一次烘干后的晶圆进行二次烘干，得到二次烘干后的晶圆；重复执行两次所述按照85℃的温度、2400r/min的转速和120s的时间对所述吹扫后的晶圆进行一次烘干步骤以及所述按照85℃的温度、500r/min的转速和60s的时间对所述一次烘干后的晶圆进行二次烘干步骤，得到晶圆成品。9.根据权利要求8所述的一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，所述使用氮气对所述冲水完成的晶圆进行吹扫，得到吹扫后的晶圆包括：按照预设流量、预设转速和第三预设时间使用氮气对所述冲水完成的晶圆进行吹扫，得到吹扫后的晶圆。10.根据权利要求9所述的一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，所述预设流量为8～12l/min，所述预设转速为900～1100r/min，所述第三预设时间为110～130s。

技术总结
本发明公开一种去除光刻胶底膜的方法，将待处理晶圆放置在等离子去胶机内的载具转盘上；在所述等离子去胶机中通入氧气，并开启所述载具转盘，使用所述氧气按照第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间对所述待处理晶圆进行处理，得到处理后的晶圆，通过氧气等离子体对光刻胶进行物理轰击以及化学反应，在第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间下使刻蚀速率达到最理想的状态，一方面能够提高底膜去除效率，另一方面可以有效保护底膜下的膜层不被离子轰击损伤，保证刻蚀效果和膜层性能，从而高效、稳定地去除光刻胶底膜。光刻胶底膜。光刻胶底膜。


技术研发人员：李文浩
受保护的技术使用者：福建兆元光电有限公司
技术研发日：2022.09.28
技术公布日：2022/11/29