显示设备的制作方法

显示设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年8月6日在韩国知识产权局提交的第 10-2020-0098787号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请 的全部内容通过引用在此并入。
技术领域
3.本公开涉及一种显示设备，并且更具体地，涉及一种具有拥有改 善效率的倒置元件结构的显示设备。


背景技术：

4.已经开发并正在开发用于诸如电视机、移动电话、平板计算机、 导航系统和游戏机的多媒体设备的各种类型的显示设备。在显示设备 中，使用自发光显示元件。自发光显示元件通过使用含有机化合物的 发光材料发光。
5.显示设备设置有发光元件和驱动发光元件的薄膜晶体管。薄膜晶 体管可以是基于电荷载流子或掺杂杂质的pmos晶体管或nmos晶体 管。由于pmos晶体管具有空穴作为载流子，而nmos晶体管具有电 子作为载流子，所以nmos晶体管具有比pmos晶体管更快的迁移率， 并且因此nmos晶体管有利于高速驱动。
6.在发光元件中，当电流长时间流动时，阈值电压改变。在nmos 晶体管中，由于有机发光元件位于薄膜晶体管的源极侧，所以当有机 发光元件的阈值电压劣化时，薄膜晶体管的源极侧上的电压改变。因 此，即使将相同的数据电压施加到薄膜晶体管的栅极，薄膜晶体管的 栅极和源极之间的电压也会改变，并且因此不均匀的电流在有机发光 元件中流动。需要和期望应用倒置元件结构来实现这样的电路，即， 发光元件的劣化不会影响nmos驱动电路的性能。


技术实现要素：

7.本公开提供了一种具有能够应用于包括nmos晶体管的电路层 的倒置元件结构的显示设备。
8.本公开还提供了一种发光元件以及包括该发光元件的显示设备， 在该发光元件中，辅助层设置成与倒置元件结构中的发射层相邻，从 而改善发光效率。
9.本公开的实施方式提供了一种显示设备，显示设备可以包括：基 础层，包括第一发射区域和第二发射区域；第一电极，设置在基础层 上；第二电极，设置在第一电极上并且面向第一电极；第一有机层， 设置在第一电极和第二电极之间并设置在第一发射区域中；以及第二 有机层，设置在第一电极和第二电极之间并设置在第二发射区域中。 第一有机层可以包括：第一电子传输层，设置在第一电极上；第一辅 助层，设置在第一电子传输层上；第一发射层，设置在第一辅助层上 并发射第一光；第二辅助层，设置在第一发射层上；以及第一空穴传 输层，设置在第二辅助层上。第二有机层可以包括：第二电子传输层， 设置在第一电极上；第三辅助层，设置在第二电子传输层上；第二发 射层，设置在第三辅助层
上并发射具有与第一光的波长不同的波长的 第二光；第四辅助层，设置在第二发射层上；以及第二空穴传输层， 设置在第四辅助层上。
10.在实施方式中，第一有机层的厚度可以在约250nm至约290nm的 范围内，并且第二有机层的厚度可以在约210nm至约250nm的范围内。
11.在实施方式中，第一辅助层的厚度和第三辅助层的厚度可以彼此 不同。
12.在实施方式中，第二辅助层的厚度和第四辅助层的厚度可以彼此 不同。
13.在实施方式中，第一辅助层和第三辅助层可以包括电子传输材料， 并且第二辅助层和第四辅助层可以包括空穴传输材料。
14.在实施方式中，第一电极可以是反射电极，第二电极可以是半透 射半反射电极或透射电极，并且第一光和第二光可以在从第一电极到 第二电极的方向上发射。
15.在实施方式中，显示设备还可以包括电路层，电路层设置在基础 层上并且包括电连接到第一电极的晶体管。
16.在实施方式中，晶体管可以是nmos晶体管。
17.在实施方式中，第一光的波长可以在约625nm至约675nm的范围 内，并且第二光的波长可以在约500nm至约570nm的范围内。
18.在实施方式中，第一有机层可以包括设置在第一电极和第一电子 传输层之间的第一电子注入层，并且第二有机层可以包括设置在第一 电极和第二电子传输层之间的第二电子注入层。
19.在实施方式中，第一有机层可以包括设置在第二电极和第一空穴 传输层之间的第一空穴注入层，并且第二有机层可以包括设置在第二 电极和第二空穴传输层之间的第二空穴注入层。
20.在实施方式中，显示设备还可以包括第三有机层，第三有机层设 置在第一电极与第二电极之间并且在基础层上设置在第三发射区域 中。第三有机层可以包括：第三电子传输层，设置在第一电极上；第 三发射层，设置在第三电子传输层上并发射第三光；以及第三空穴传 输层，设置在第三发射层上，并且第三有机层的厚度可以在约160nm 至约200nm的范围内。
21.在实施方式中，第三光的波长可以在约410nm至约480nm的范围 内。
22.在实施方式中，显示设备还可以包括设置在第二电极上的封盖层， 其中，封盖层可以具有约1.6或更大的折射率。
23.在实施方式中，第一电子传输层和第二电子传输层可以彼此一体， 并且第一空穴传输层和第二空穴传输层可以彼此一体。
24.在实施方式中，显示设备还可以包括设置在基础层上的像素限定 膜。开口可以与第一发射区域和第二发射区域对应地限定在像素限定 膜中。第一电子传输层、第二电子传输层、第一空穴传输层和第二空 穴传输层中的每一个的至少一部分可以设置在像素限定膜上。
25.在实施方式中，与第一发射区域对应的第一开口和与第二发射区 域对应的第二开口可以限定在像素限定膜中，第一辅助层、第一发射 层和第二辅助层可以设置在第一开口中，并且第三辅助层、第二发射 层和第四辅助层可以设置在第二开口中。
26.在实施方式中，显示设备可以包括：基础层，包括第一发射区域 和第二发射区域；
电路层，设置在基础层上并且包括多个晶体管；第 一电极，设置在电路层上；电子注入层，设置在第一电极上；电子传 输层，设置在电子注入层上；第一发射层，设置在电子传输层上，与 第一发射区域重叠，并发射第一光；第二发射层，设置在电子传输层 上，与第二发射区域重叠，并且发射具有与第一光的发射波长不同的 发射波长的第二光；空穴传输层，设置在第一发射层和第二发射层上； 空穴注入层，设置在空穴传输层上；第二电极，设置在空穴注入层上； 第一辅助层，设置在电子传输层和第一发射层之间；第二辅助层，设 置在空穴传输层和第一发射层之间；第三辅助层，设置在电子传输层 和第二发射层之间；以及第四辅助层，设置在空穴传输层和第二发射 层之间。
27.在实施方式中，第一电极可以是反射电极，第二电极可以是半透 射半反射电极或透射电极，并且第一光和第二光可以在从第一电极到 第二电极的方向上发射。
28.在实施方式中，多个晶体管中的至少一个可以是nmos晶体管， 并且第一电极可以电连接到nmos晶体管。
附图说明
29.附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且并入本说明书中 并构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的实施方式，并且与说 明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
30.图1是根据实施方式的显示设备的平面图；
31.图2是根据实施方式的显示设备的剖视图；
32.图3是根据实施方式的显示设备的剖视图；
33.图4至图13是根据实施方式的发光元件的示意图；以及
34.图14是示出比较例和示例的发光元件中的效率特性的比较曲线 图。
具体实施方式
35.实施方式可以以许多替换的形式进行修改。参考附图，在说明书 中公开了实施方式。然而，应该理解的是，它不旨在将本公开限制于 所公开的特定形式，而是旨在覆盖落入本发明的精神和范围内的所有 修改、等同和替代。
36.在本说明书中，当元件(或区域、层、部分等)被称为在另一元 件“上”、“连接到”另一元件或“联接到”另一元件时，这意味着该 元件可以直接连接到另一元件或直接联接到另一元件，或者第三元件 可以设置在它们之间。此外，当元件被称为与另一元件“接触 (incontact)”或“接触(contacted)”等时，该元件可以与另一元件“电 接触”或“物理接触”；或者与另一元件“间接接触”或“直接接触”。
37.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语
“…ꢀ
中的至少一个”旨在包括“从
…
的群组中选择的至少一个”的含义。 例如，“a和b中的至少一个”可以理解为是指“a、b或a和b”。
38.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/ 或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“a和/或b
”ꢀ
可以理解为意指“a、b或a和b”。术语“和”和“或”可以以结合 或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
39.相同的附图标记表示相同的元件。此外，在附图中，为了有效地 描述技术内容，夸
大了元件的厚度、比例和尺寸。
40.应当理解，尽管可以在本文中使用术语“第一”、“第二”等来描 述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用 于将一个元件与另一元件区分开。例如，不脱离本发明的范围的情况 下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称 为第一元件。单数形式的术语可以包括复数形式，除非上下文另外清 楚地指出。
41.此外，诸如“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等术语用于描述 附图中所示的配置的关系。这些术语用作相对概念，并参照附图中所 示的方向进行描述。
42.应当理解，术语“包括”或“具有”旨在指定本公开中所陈述的 特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但不排除一 个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在 或添加。
43.在下文中，将参考附图描述根据实施方式的显示设备。
44.图1是根据实施方式的显示设备dd的示意性平面图。图2是图 1中所示的显示设备dd的剖视图。
45.如图1中所示，显示设备dd可以通过显示表面dp-is显示图像。 显示表面dp-is可以平行于由第一方向dr1和第二方向dr2限定的 平面。显示表面dp-is可以包括显示区域da和非显示区域nda。像 素px设置在显示区域da中。非显示区域nda沿着显示表面dp-is 的边缘限定。非显示区域nda与显示区域da相邻。非显示区域nda 可以围绕显示区域da。
46.显示表面dp-is的法线方向(即，显示设备dd的厚度方向)对 应于第三方向dr3。下面描述的层或单元中的每一个的前表面(或上 表面)和后表面(或下表面)由第三方向dr3区分开。前表面和后表 面可以在第三方向dr3上彼此相对。第一方向dr1、第二方向dr2 和第三方向dr3可以是相对方向，并且可以被不同地限定。在实施方 式中，示出了具有平坦显示表面dp-is的显示设备dd，但是实施方 式不限于此。显示设备dd可以包括弯曲显示表面或三维显示表面。 三维显示表面可以包括面向不同方向的显示区域。
47.图2示出了沿着图1的线i-i'截取的显示设备dd的示意性截面。 实施方式的显示设备dd包括发光元件ed-1、ed-2和ed-3。发光元 件ed-1、ed-2和ed-3中的至少一个可以包括辅助层pl1、pl2、pl3 和pl4。作为图2中的示例，第一发光元件ed-1包括第一辅助层pl1 和第二辅助层pl2，并且第二发光元件ed-2包括第三辅助层pl3和 第四辅助层pl4。虽然图2示出第三发光元件ed-3不包括辅助层，但 是第三发光元件ed-3也可以包括辅助层。
48.根据实施方式的显示设备dd的显示面板dp可以包括基础层bs、 设置在基础层bs上的电路层dp-cl以及设置在电路层dp-cl上的显 示元件层dp-ed。基础层bs可以提供其上设置有显示元件层dp-ed 的基础表面。基础层bs可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。 然而，实施方式不限于此。
49.在实施方式中，电路层dp-cl可以设置在基础层bs上。电路层 dp-cl可以包括晶体管(未示出)。每个晶体管(未示出)可以包括 控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层dp-cl可以包括开关 晶体管和驱动晶体管，以驱动显示元件层dp-ed的发光元件ed-1、 ed-2和ed-3。
50.实施方式的显示元件层dp-ed可以包括像素限定膜pdl、由像素 限定膜pdl分隔的发光元件ed-1、ed-2和ed-3以及设置在发光元 件ed-1、ed-2和ed-3上的封装层tfe。
51.发光元件ed-1、ed-2和ed-3中的每一个可以包括第一电极el1、 面向第一电极el1
的第二电极el2以及设置在第一电极el1和第二 电极el2之间的发射层eml。电子传输区域etr设置在第一电极el1 和发射层eml之间。空穴传输区域htr设置在第二电极el2和发射 层eml之间。在实施方式中，发光元件ed-1、ed-2和ed-3可以在 从第一电极el1到第二电极el2的方向上发射光。实施方式的发光元 件ed-1、ed-2和ed-3可以沿着光发射的方向具有倒置元件结构，其 中,电子传输区域etr设置在发射层eml下方，并且空穴传输区域 htr设置在发射层eml上方。
52.发光元件ed-1和ed-2包括辅助层pl1、pl2、pl3和pl4。第 一辅助层pl1设置在第一发光元件ed-1的第一电子传输区域etr1 和第一发射层eml-r之间。第二辅助层pl2设置在第一发光元件ed-1 的第一空穴传输区域htr1和第一发射层eml-r之间。第三辅助层 pl3设置在第二发光元件ed-2的第二电子传输区域etr2和第二发射 层eml-g之间。第四辅助层pl4设置在第二发光元件ed-2的第二空 穴传输区域htr2和第二发射层eml-g之间。
53.图2示出了第一辅助层pl1、第二辅助层pl2、第三辅助层pl3 和第四辅助层pl4的厚度全部是类似的，但实施方式不限于此。例如， 辅助层pl1、pl2、pl3和pl4中的至少一个的厚度可以与其他辅助 层的厚度不同，或者辅助层pl1、pl2、pl3和pl4的厚度可以根据 第一发射层eml-r和第二发射层eml-g的位置而彼此不同。第一辅 助层pl1、第二辅助层pl2、第三辅助层pl3和第四辅助层pl4的厚 度可以是当在由第三方向dr3限定的平面中观察或在第三方向dr3 上测量时的厚度。
54.图2示出了这样的实施方式，其中发光元件ed-1、ed-2和ed-3 的发射层eml-r、eml-g和eml-b设置在由像素限定膜pdl限定 的开口oh1、oh2和oh3中，并且第一电子传输区域etr1、第二电 子传输区域etr2和第三电子传输区域etr3、第一空穴传输区域 htr1、第二空穴传输区域htr2和第三空穴传输区域htr3以及第二 电极el2在全部发光元件ed-1、ed-2和ed-3中设置为公共层。例 如，第一发光元件ed-1的第一电子传输区域etr1、第二发光元件 ed-2的第二电子传输区域etr2和第三发光元件ed-3的第三电子传 输区域etr3中的每一个的至少一部分可以设置在像素限定膜pdl 上，并且第一电子传输区域etr1、第二电子传输区域etr2和第三电 子传输区域etr3各自可以在像素限定膜pdl上彼此连接以彼此一 体。此外，第一发光元件ed-1的第一空穴传输区域htr1、第二发光 元件ed-2的第二空穴传输区域htr2和第三发光元件ed-3的第三空 穴传输区域htr3中的每一个的至少一部分可以设置在像素限定膜 pdl上，并且第一空穴传输区域htr1、第二空穴传输区域htr2和 第三空穴传输区域htr3各自可以在像素限定膜pdl上彼此连接以彼 此一体。
55.然而，实施方式不限于此，并且与图2中所示的特征不同，电子 传输区域etr和空穴传输区域htr可以通过在限定在像素限定膜 pdl中的开口oh1、oh2和oh3内图案化来设置。例如，发光元件 ed-1、ed-2和ed-3的第一电子传输区域etr1、第二电子传输区域 etr2和第三电子传输区域etr3、发射层eml-r、eml-g和eml-b 以及第一空穴传输区域htr1、第二空穴传输区域htr2和第三空穴 传输区域htr3通过喷墨印刷方法图案化，以设置在第一开口oh1、 第二开口oh2和第三开口oh3中的每一个内。
56.在实施方式中，对于第一发光元件ed-1，第一辅助层pl1、第一 发射层eml-r和第二辅助层pl2可以设置在第一开口oh1中。对于 第二发光元件ed-2，第三辅助层pl3、第二发射层eml-g和第四辅 助层pl4可以设置在第二开口oh2中。对于第三发光元件ed-3，第 三发射层eml-b可以设置在第三开口oh3中。如果为第三发光元件 ed-3设置与第三发射层eml-b
相邻的辅助层，则第三发光元件ed-3 的辅助层也可以设置在第三开口oh3中。
57.封装层tfe可以覆盖发光元件ed-1、ed-2和ed-3。封装层tfe 可以密封显示元件层dp-ed。封装层tfe可以是薄膜封装层。封装层 tfe可以是单层或多层的堆叠。封装层tfe可以包括至少一个绝缘层。 根据实施方式的封装层tfe可以包括至少一个无机膜(在下文中，称 为封装无机膜)。根据实施方式的封装层tfe还可以包括至少一个有 机膜(在下文中，称为封装有机膜)和至少一个封装无机膜。
58.封装无机膜保护显示元件层dp-ed免受湿气和/或氧气的影响， 并且封装有机膜保护显示元件层dp-ed免受诸如尘埃颗粒的杂质的 影响。封装无机膜可包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛、氧化 铝等，但实施方式不具体限于此。封装有机膜可以包括丙烯酸基化合 物、环氧基化合物等。封装有机膜可以包括可光聚合的有机材料，但 实施方式不具体限于此。
59.封装层tfe可以设置在第二电极el2上，并且可以设置成填充开 口oh1、oh2和oh3。
60.参照图1和图2，显示设备dd可以包括非发光区域npxa和发 光区域pxa-r、pxa-g和pxa-b。发光区域pxa-r、pxa-g和pxa-b 中的每一个可以是发射从发光元件ed-1、ed-2和ed-3中的每一个产 生的光的区域。多个发光区域pxa-r、pxa-g和pxa-b可以在一个 平面中彼此间隔开。
61.发光区域pxa-r、pxa-g和pxa-b中的每一个可以是由像素限 定膜pdl划分的区域。非发光区域npxa可以是相邻发光区域 pxa-r、pxa-g和pxa-b之间的区域，并且可以对应于像素限定膜 pdl。在本说明书中，发光区域pxa-r、pxa-g和pxa-b中的每一 个可以对应于像素px。像素限定膜pdl可以分离发光元件ed-1、ed-2 和ed-3。发光元件ed-1、ed-2和ed-3的多个发射层eml-r、eml-g 和eml-b可以设置在由像素限定膜pdl限定的开口oh1、oh2和 oh3中以彼此分离。
62.根据从发光元件ed-1、ed-2和ed-3产生的光的颜色，可以将发 光区域pxa-r、pxa-g和pxa-b分成组。在图1和图2中所示的实 施方式的显示设备dd中，示出了分别发射红光、绿光和蓝光的三个 发光区域pxa-r、pxa-g和pxa-b。例如，实施方式的显示设备dd 可以包括彼此区分开的红色发光区域pxa-r、绿色发光区域pxa-g 和蓝色发光区域pxa-b。
63.在根据实施方式的显示设备dd中，发光元件ed-1、ed-2和ed-3 可以发射不同波长带的光。例如，在实施方式中，显示设备dd可以 包括发射红光的第一发光元件ed-1、发射绿光的第二发光元件ed-2 以及发射蓝光的第三发光元件ed-3。例如，显示设备dd的红色发光 区域pxa-r、绿色发光区域pxa-g和蓝色发光区域pxa-b可以分别 对应于第一发光元件ed-1、第二发光元件ed-2和第三发光元件ed-3。
64.根据实施方式的显示设备dd中的多个发光区域pxa-r、pxa-g 和pxa-b可以以条纹形式布置。参照图1，红色发光区域pxa-r、绿 色发光区域pxa-g和蓝色发光区域pxa-b各自可以沿着第二方向 dr2布置。红色发光区域pxa-r、绿色发光区域pxa-g和蓝色发光 区域pxa-b可以沿着第一方向dr1交替布置。
65.图1和图2示出了所有发光区域pxa-r、pxa-g和pxa-b具有 相似的面积，但是实施方式不限于此。例如，发光区域pxa-r、pxa-g 和pxa-b可以根据所发射的光的波长范围而具有彼此不同的面积。发 光区域pxa-r、pxa-g和pxa-b的面积可以表示当在由第一方向dr1 和第二方向dr2限定的平面中观察时的面积。
66.发光区域pxa-r、pxa-g和pxa-b的布置形式不限于图1中所 示的特征，并且可以根据显示设备dd中所需的显示质量来不同地组 合和设置红色发光区域pxa-r、绿色发光区域pxa-g和蓝色发光区 域pxa-b的布置顺序。例如，发光区域pxa-r、pxa-g和pxa-b的 布置形式可以是布置形式或菱形布置形式。
67.实施方式的显示设备dd可以包括设置在显示面板dp上的基础 衬底bl。然而，实施方式不限于此。
68.基础衬底bl可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。基础衬 底bl可以是提供其上设置有偏振层pol等的基础表面的构件。
69.实施方式的显示设备dd还可以包括偏振层pol。偏振层pol可 以阻挡入射到显示设备dd的外部光。偏振层pol可以阻挡外部光的 一部分。偏振层pol可以减少在显示面板dp中产生的、由外部光引 起的反射光。例如，偏振层pol可以用于阻挡从显示面板dp的外部 进入显示面板dp并再次离开的反射光。
70.图2示出偏振层pol设置在基础衬底bl上并暴露，但实施方式 不限于此。例如，偏振层pol可以设置在基础衬底bl下方。
71.图2示出了显示设备dd包括偏振层pol，但是实施方式不限于 此，并且可以省略偏振层pol。尽管未示出，但是在实施方式中，显 示设备dd可以不包括偏振层pol，并且可以包括滤色器层。滤色器 层可以包括与红色发光区域pxa-r、绿色发光区域pxa-g和蓝色发 光区域pxa-b中的每一个对应的滤色器部分。滤色器层可以包括与非 发光区域npxa重叠的遮光部分。
72.图3是根据实施方式的显示设备dd的示意性剖视图。图3是示 出沿着图1的线ii-ii'截取的部分的示意性剖视图。
73.参照图3，显示设备dd的电路层dp-cl可以包括缓冲层bfl、 第一栅极绝缘层gi1、第二栅极绝缘层gi2、层间绝缘层ild、上绝缘 层via1、具有图案的半导体图案acp、具有图案的第一导电层clp1、 具有图案的第二导电层clp2和具有图案的第三导电层clp3。这里， 第一导电层clp1可以包括第一栅极金属图案，第二导电层clp2可 以包括第二栅极金属图案，并且第三导电层clp3可以包括第一数据 金属图案。
74.在实施方式中，第一栅极绝缘层gi1、第二栅极绝缘层gi2和层 间绝缘层ild中的每一个包括有机膜和/或无机膜。在实施方式中，第 一栅极绝缘层gi1、第二栅极绝缘层gi2和层间绝缘层ild中的每一 个可以包括无机膜。无机膜可以包括氮化硅层和氧化硅层。在实施方 式中，第一导电层clp1和第二导电层clp2中的每一个可以包括钼 (mo)，但是实施方式不限于此。
75.在实施方式中，第三导电层clp3可以包括铝(al)和钛(ti) 中的至少一种，但是实施方式不限于此。在实施方式中，第三导电层 clp3可以具有其中堆叠(例如，顺序堆叠)有钛、铝和钛的结构。
76.缓冲层bfl可以设置在基础层bs上。缓冲层bfl可以包括第一 缓冲层和第二缓冲层。第二缓冲层可以设置在第一缓冲层上。缓冲层 bfl可以防止存在于基础层bs中的杂质引入到像素px中。例如，缓 冲层bfl可以防止杂质扩散到构成像素px的晶体管t1和t2的半导 体图案acp中。
77.杂质可以从外部引入，或者可以在基础层bs热分解时产生。杂 质可以是从基础层
bs排出的气体或钠。缓冲层bfl可以阻挡湿气从 外部引入像素px中。
78.在实施方式中，半导体图案acp可以设置在缓冲层bfl上。
79.半导体图案acp可以构成晶体管t1和t2中的每一个。半导体 图案acp可以包括多晶硅、非晶硅或金属氧化物半导体。图3示出了 构成第一晶体管t1的源极s1、有源区域c1和漏极d1的半导体图案 acp以及构成第二晶体管t2的源极s2、有源区域c2和漏极d2的半 导体图案acp。
80.第一栅极绝缘层gi1设置在缓冲层bfl上，并且可以覆盖半导体 图案acp。第一导电层clp1可以设置在第一栅极绝缘层gi1上。在 第一导电层clp1中示出了第一晶体管t1的栅极g1和第二晶体管t2 的栅极g2。尽管未示出，但是在实施方式中，第一导电层clp1可以 包括构成像素px的电容器的两个电极中的任一个。
81.第二栅极绝缘层gi2设置在第一栅极绝缘层gi1上，并且可以覆 盖第一导电层clp1。第二导电层clp2可以设置在第二栅极绝缘层 gi2上。在实施方式中，第二导电层clp2可以是构成像素px的电容 器的两个电极中的另一个。上电极ue被示为第二导电层clp2。在上 电极ue中，可以限定开口。
82.层间绝缘层ild设置在第二栅极绝缘层gi2上，并且可以覆盖第 二导电层clp2。第三导电层clp3的第一连接电极cne-d1可以连接 到第二晶体管t2的源极s2。上绝缘层via1设置在层间绝缘层ild 上，并且可以覆盖第三导电层clp3。
83.如图3中所示，显示元件层dp-ed可以包括第三发光元件ed-3 和像素限定膜pdl。第三发光元件ed-3可以包括第一电极el1、第 三发射层eml-b和第二电极el2。在图3中，仅示出了作为第三发光 元件ed-3的一些组件的第一电极el1、第三发射层eml-b和第二电 极el2，并且省略了空穴传输区域和电子传输区域。
84.第一电极el1可以设置在上绝缘层via1上。第一电极el1可以 通过接触孔电连接到晶体管t1至t2中的至少任何一个。例如，第一 电极el1可以通过接触孔连接到第一连接电极cne-d1以电连接到第 二晶体管t2。在实施方式中，晶体管t1至t2中的至少一个可以是 nmos晶体管。在实施方式中，电连接到第一电极el1的晶体管可以 是nmos晶体管。例如，第二晶体管t2可以是nmos晶体管。
85.像素限定膜pdl可以设置在上绝缘层via1上，并且可以暴露第 一电极el1的至少一部分。第三发射层eml-b可以设置在第一电极 el1上。第二电极el2可以设置在第三发射层eml-b上。
86.在第三发光元件ed-3是有机发光二极管(oled)的情况下，第 三发射层eml-b可以包括有机材料。封装层tfe可以封装第三发光 元件ed-3以保护第三发光元件ed-3免受外部氧气和/或湿气的影响。 封装层tfe可以是其中混合有机膜和无机膜的层。
87.在下文中，图4至图13是示出根据实施方式的发光元件ed-1、 ed-2和ed-3的示意性剖视图。在下文中，将参考图4至图13描述根 据各种实施方式的发光元件。
88.参照图4，根据实施方式的第一发光元件ed-1包括第一电极el1、 面向第一电极el1的第二电极el2、设置在第一电极el1和第二电极 el2之间的第一发射层eml-r、设置在第一电极el1和第一发射层 eml-r之间的第一电子传输区域etr1以及设置在第一发射层eml-r 和第二电极el2之间的第一空穴传输区域htr1。第一辅助层pl1设 置在第一电子传输区域etr1和第一发射层eml-r之间。第二辅助层 pl2设置在第一空穴传输区域htr1和第
一发射层eml-r之间。第一 辅助层pl1和第二辅助层pl2设置成接触第一发射层eml-r。
89.与图4相比，图5示出了实施方式的第一发光元件ed-1的示意 性剖视图，其中第一电子传输区域etr1包括第一电子注入层eil1和 第一电子传输层etl1，并且第一空穴传输区域htr1包括第一空穴注 入层hil1和第一空穴传输层htl1。与图5相比，图6示出了还包括 设置在第二电极el2上的封盖层cpl的实施方式的第一发光元件 ed-1的示意性剖视图。实施方式不限于此。例如，第一电子传输区域 etr1还可以包括空穴阻挡层(未示出)作为子有机层，并且第一空 穴传输区域htr1还可以包括电子阻挡层(未示出)作为子有机层。
90.参照图7，根据实施方式的第二发光元件ed-2包括第一电极el1、 面向第一电极el1的第二电极el2、设置在第一电极el1和第二电极 el2之间的第二发射层eml-g、设置在第一电极el1和第二发射层 eml-g之间的第二电子传输区域etr2以及设置在第二发射层 eml-g和第二电极el2之间的第二空穴传输区域htr2。第三辅助层 pl3设置在第二发射层eml-g和第二电子传输区域etr2之间。第四 辅助层pl4设置在第二发射层eml-g和第二空穴传输区域htr2之 间。第三辅助层pl3和第四辅助层pl4设置成接触第二发射层eml-g。
91.与图7相比，图8示出了实施方式的第二发光元件ed-2的示意 性剖视图，其中第二电子传输区域etr2包括第二电子注入层eil2和 第二电子传输层etl2，并且第二空穴传输区域htr2包括第二空穴注 入层hil2和第二空穴传输层htl2。与图8相比，图9示出了还包括 设置在第二电极el2上的封盖层cpl的实施方式的第二发光元件 ed-2的示意性剖视图。实施方式不限于此。例如，第二电子传输区域 etr2还可以包括空穴阻挡层(未示出)作为子有机层，并且第二空 穴传输区域htr2还可以包括电子阻挡层(未示出)作为子有机层。
92.参照图10，根据实施方式的第三发光元件ed-3包括第一电极 el1、面向第一电极el1的第二电极el2、设置在第一电极el1和第 二电极el2之间的第三发射层eml-b、设置在第一电极el1和第三 发射层eml-b之间的第三电子传输区域etr3以及设置在第三发射层 eml-b和第二电极el2之间的第三空穴传输区域htr3。
93.参照图11，实施方式的第三发光元件ed-3还可以包括第五辅助 层pl5和第六辅助层pl6。第五辅助层pl5可以设置在第三发射层 eml-b和第三电子传输区域etr3之间，并且第六辅助层pl6可以设 置在第三发射层eml-b和第三空穴传输区域htr3之间。第五辅助层 pl5和第六辅助层pl6设置成接触第三发射层eml-b。
94.与图11相比，图12示出了实施方式的第三发光元件ed-3的示 意性剖视图，其中第三电子传输区域etr3包括第三电子注入层eil3 和第三电子传输层etl3，并且第三空穴传输区域htr3包括第三空穴 注入层hil3和第三空穴传输层htl3。此外，与图12相比，图13示 出了还包括设置在第二电极el2上的封盖层cpl的实施方式的第三发 光元件ed-3的示意性剖视图。实施方式不限于此。例如，第三电子 传输区域etr3还可以包括空穴阻挡层(未示出)作为子有机层，并 且第三空穴传输区域htr3还可以包括电子阻挡层(未示出)作为子 有机层。
95.在实施方式中，第一辅助层pl1、第二辅助层pl2、第三辅助层 pl3、第四辅助层pl4、第五辅助层pl5和第六辅助层pl6中的每一 个可以独立地具有约10nm至约30nm的厚度。
96.第一辅助层pl1、第三辅助层pl3和第五辅助层pl5可以包括相 同的材料或不同的材料。第二辅助层pl2、第四辅助层pl4和第六辅 助层pl6可以包括相同的材料或不同的材
料。第一辅助层pl1、第三 辅助层pl3和第五辅助层pl5可以具有相同的厚度或不同的厚度。第 二辅助层pl2、第四辅助层pl4和第六辅助层pl6可以具有相同的厚 度或不同的厚度。第一辅助层pl1和第二辅助层pl2的每个材料和厚 度可以根据包括在第一发射层eml-r中的材料而变化。第三辅助层 pl3和第四辅助层pl4的每个材料和厚度可以根据包括在第二发射层 eml-g中的材料而变化。第五辅助层pl5和第六辅助层pl6的每个 材料和厚度可以根据包括在第三发射层eml-b中的材料而变化。
97.第一辅助层pl1、第三辅助层pl3和第五辅助层pl5中的每一个 可以独立地包括电子传输材料，并且第二辅助层pl2、第四辅助层pl4 和第六辅助层pl6中的每一个可以独立地包括空穴传输材料。
98.在根据实施方式的发光元件ed-1、ed-2和ed-3中，第一电极 el1具有导电性。第一电极el1可以由金属材料、金属合金或导电化 合物形成。第一电极el1可以是阳极或阴极。然而，实施方式不限于 此。第一电极el1可以是像素电极。
99.在根据实施方式的发光元件ed-1、ed-2和ed-3中，第一电极 el1可以是反射电极。例如，第一电极el1可以包括具有高反射率的 ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif、mo、 ti、w或者其化合物或混合物(例如，ag和mg的混合物)。第一电 极el1可以具有多层结构，多层结构包括由上述材料形成的反射膜以 及由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锡 锌(itzo)等形成的透明导电膜。例如，第一电极el1可以具有ito/ag 的两层结构或ito/ag/ito的三层结构，但实施方式不限于此。例如， 第一电极el1可以包括上述金属材料、上述金属材料中的至少两种金 属材料的组合、上述金属材料的氧化物等。第一电极el1的厚度可以 是从约至约例如，第一电极el1的厚度可以是从约 至约
100.电子传输区域etr1、etr2和etr3设置在第一电极el1上。电 子传输区域etr1、etr2和etr3可以具有由单一材料形成的单层、 由不同材料形成的单层或多层结构(其具有由不同材料形成的层)。
101.例如，电子传输区域etr1、etr2和etr3可以具有单层结构的 电子注入层eil1、eil2和eil3或电子传输层etl1、etl2和etl3， 并且可以具有由电子注入材料或电子传输材料形成的单层结构。第一 电子传输区域etr1可以具有由不同材料形成的单层结构。第一电子 传输区域etr1可以具有其中第一电子注入层eil1和第一电子传输层 etl1彼此堆叠的结构，或者可以具有其中第一电子注入层eil1、第 一电子传输层etl1和第一空穴阻挡层(未示出)彼此堆叠的结构。 第二电子传输区域etr2可以具有其中第二电子注入层eil2和第二电 子传输层etl2彼此堆叠的结构，或者可以具有其中第二电子注入层eil2、第二电子传输层etl2和第二空穴阻挡层(未示出)彼此堆叠 的结构。第三电子传输区域etr3可以具有其中第三电子注入层eil3 和第三电子传输层etl3彼此堆叠的结构，或者可以具有其中第三电 子注入层eil3、第三电子传输层etl3和第三空穴阻挡层(未示出) 彼此堆叠的结构。然而，实施方式不限于此。
102.电子传输区域etr1、etr2和etr3可以具有例如约至约 的厚度。
103.电子传输区域etr1、etr2和etr3可以使用各种方法形成，诸 如真空沉积方法、旋涂方法、流延方法、朗缪尔-布洛节塔 (langmuir-blodgett)(lb)方法、喷墨印刷方法、激光印刷方法、激 光诱导热成像(liti)方法等。
104.电子传输区域etr1、etr2和etr3可以包括基于蒽的化合物。 然而，实施方式不限于此，并且电子传输区域etr1、etr2和etr3 可以包括例如三(8-羟基喹啉根合)铝(alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3
‑ꢀ
基]苯、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(n-苯基苯并 咪唑-1-基)苯基)-9,10-二萘基蒽、1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基) 苯(tpbi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10
‑ꢀ
菲咯啉(bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz)、 4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔 丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tbu-pbd)、双(2-甲基-8-喹啉根合
ꢀ‑
n1,o8)-(1,1'-联苯-4-根合)铝(balq)、双(苯并喹啉-10-根合)铍 (bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基] 苯(bmpyphb)及其混合物。
[0105]
电子传输区域etr1、etr2和etr3可以包括诸如lif、nacl、 csf、rbcl、rbi、cui和ki的金属卤化物、诸如yb的镧系金属以及 金属卤化物和镧系金属的共沉积材料。例如，电子传输区域etr1、 etr2和etr3可以包括ki:yb、rbi:yb等作为共沉积材料。电子传输 区域etr1、etr2和etr3可以使用诸如li2o和bao的金属氧化物 或8-羟基-喹啉锂(liq)等形成，但实施方式不限于此。电子传输区 域etr1、etr2和etr3还可以由电子传输材料和绝缘有机金属盐的 混合材料形成。有机金属盐可以是具有约4ev或更高的能带隙的材料。 具体地，有机金属盐可以包括例如金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属 乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮化物或金属硬脂酸盐。
[0106]
除了上述材料之外，电子传输区域etr1、etr2和etr3还可以 包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)和4,7-二苯基-1,10
‑ꢀ
菲咯啉(bphen)中的至少一种，但实施方式不限于此。
[0107]
电子传输区域etr1、etr2和etr3可以在电子注入层eil1、eil2 和eil3、电子传输层etl1、etl2和etl3和空穴阻挡层(未示出) 中的至少一个中包括电子传输区域的上述化合物。
[0108]
在电子传输区域etr1、etr2和etr3包括电子传输层etl1、 etl2和etl3的情况下，电子传输层etl1、etl2和etl3可以具有 约至约(例如，约至约)的厚度。如果电子 传输层etl1、etl2和etl3的厚度满足上述范围，则可以获得令人 满意的电子传输性质，而不会显著增加驱动电压。在电子传输区域 etr1、etr2和etr3包括电子注入层eil1、eil2和eil3的情况下， 电子注入层eil1、eil2和eil3可以具有约至约(例如，约 至约)的厚度。如果电子注入层eil1、eil2和eil3的厚度满 足上述范围，则可以获得令人满意的电子注入性质，而不会显著增加 驱动电压。
[0109]
发射层eml-r、eml-g和eml-b设置在电子传输区域etr1、 etr2和etr3上。在第一发光元件ed-1中，第一辅助层pl1设置在 第一电子传输区域etr1和第一发射层eml-r之间。在第二发光元件 ed-2中，第三辅助层pl3设置在第二电子传输区域etr2和第二发射 层eml-g之间。在第三发光元件ed-3中，第五辅助层pl5可以设置 在第三电子传输区域etr3和第三发射层eml-b之间。
[0110]
发射层eml-r、eml-g和eml-b可以具有例如约至约 (例如，约至约)的厚度。发射层eml-r、eml-g 和eml-b可以具有由单一材料形成的单层、由不
同材料形成的单层或 多层结构(其具有由不同材料形成的层)。
[0111]
在实施方式的发光元件ed-1、ed-2和ed-3中，发射层eml-r、eml-g和eml-b可以包括蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、衍 生物、脱氢苯并蒽衍生物或三亚苯衍生物。发射层eml-r、eml-g 和eml-b可以包括蒽衍生物或芘衍生物。
[0112]
发射层eml-r、eml-g和eml-b还可以包括常规材料，例如， 发射层eml可以包括双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(dpepo)、4,4'
‑ꢀ
双(咔唑-9-基)联苯(cbp)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mcp)、2,8-双(二苯 基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(ppf)、4,4',4
″‑
三(咔唑-9-基)-三苯胺(tcta) 和1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯(tpbi)中的至少一种作为 主体材料。然而，实施方式不限于此，例如，可以使用三(8-羟基喹啉 根合)铝(alq3)、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、 3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(tbadn)、二苯乙烯基亚芳基化物 (dsa)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(cdbp)、2-甲基-9,10-双 (萘-2-基)蒽(madn)、六苯基环三磷腈(cp1)、1,4-双(三苯基甲硅烷 基)苯(ugh2)、六苯基环三硅氧烷(dpsio3)、八苯基环四硅氧烷 (dpsio4)等作为主体材料。
[0113]
在实施方式中，发射层eml-r、eml-g和eml-b可以包括苯乙 烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-n-乙基咔唑基)乙烯基]苯(bczvb)、 4-(二-对甲苯基氨基)-4'-[(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯 (dpavb)和n-(4-((e)-2-(6-((e)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯 基)苯基)-n-苯基苯甲胺(n-bdavbi)、4,4'-双[2-(4-(n,n-二苯基氨基) 苯基)乙烯基]联苯(dpavbi)、二萘嵌苯及其衍生物(例如，2,5,8,11
‑ꢀ
四叔丁基二萘嵌苯(tbp))、嵌二萘及其衍生物(例如，1,1'-二嵌二 萘、1,4-二嵌二萘基苯、1,4-双(n,n-二苯氨基)嵌二萘)等。
[0114]
发射层eml-r、eml-g和eml-b可以包括磷光掺杂剂材料，例 如，包括铱(ir)、铂(pt)、锇(os)、金(au)、钛(ti)、锆(zr)、 铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)或铥(tm)的金属络合物可以用作为 磷光掺杂剂。具体地，双(4,6-二氟苯基吡啶根合-n,c2')吡啶甲酸铱(iii) (firpic)、双(2,4-二氟苯基吡啶根合)-四(1-吡唑基)硼酸铱(iii)(fir6) 或八乙基卟啉铂(ptoep)可用作磷光掺杂剂。然而，实施方式不限 于此。
[0115]
根据实施方式的第一发光元件ed-1可以包括第一发射层 eml-r，第二发光元件ed-2可以包括第二发射层eml-g，并且第三 发光元件ed-3可以包括第三发射层eml-b。在该实施方式中，第一 发射层eml-r设置在第一辅助层pl1和第二辅助层pl2之间，并且 第二发射层eml-g设置在第三辅助层pl3和第四辅助层pl4之间。 第三发射层eml-b设置在第三电子传输区域etr3和第三空穴传输区 域htr3之间。如果为第三发光元件ed-3设置辅助层pl5和pl6， 则第三发光元件ed-3的第三发射层eml-b可以设置在第五辅助层 pl5和第六辅助层pl6之间。
[0116]
第一发射层eml-r发射第一光。第二发射层eml-g发射第二光。 第三发射层eml-b发射第三光。在根据实施方式的发光元件ed-1、 ed-2和ed-3中，第一光至第三光的波长范围可以彼此不同。例如， 第一光可以是具有约625nm至约675nm的波长范围的红光。例如，第 二光可以是具有约500nm至约570nm的波长范围的绿光。例如，第三 光可以是具有约410nm至约480nm的波长范围的蓝光。
[0117]
在实施方式的发光元件ed-1、ed-2和ed-3中，空穴传输区域 htr1、htr2和htr3分别设置在发射层eml-r、eml-g和eml-b 上。在第一发光元件ed-1中，第二辅助层pl2设置在
第一空穴传输 区域htr1和第一发射层eml-r之间。在第二发光元件ed-2中，第 四辅助层pl4设置在第二空穴传输区域htr2和第二发射层eml-g 之间。如果为第三发光元件ed-3设置辅助层pl5和pl6，则第六辅 助层pl6可以设置在第三空穴传输区域htr3和第三发射层eml-b 之间。
[0118]
空穴传输区域htr1、htr2和htr3可以包括空穴注入层hil1、 hil2和hil3、空穴传输层htl1、htl2和htl3、缓冲层或发射辅 助层(未示出)和电子阻挡层(未示出)中的至少一个。空穴传输区 域htr1、htr2和htr3可具有例如约至约的厚度。
[0119]
空穴传输区域htr1、htr2和htr3可具有由单一材料形成的单 层、由不同材料形成的单层或多层结构(其具有由不同材料形成的层)。
[0120]
例如，空穴传输区域htr1、htr2和htr3可以具有单层结构的 空穴注入层hil1、hil2和hil3或空穴传输层htl1、htl2和htl3， 并且可以具有由空穴注入材料或空穴传输材料形成的单层结构。空穴 传输区域htr1、htr2和htr3可以具有由不同材料形成的单层结构。 第一空穴传输区域htr1可以具有其中第一空穴传输层htl1和第一 空穴注入层hil1彼此堆叠的结构，或者可以具有其中第一电子阻挡 层(未示出)、第一空穴传输层htl1和第一空穴注入层hil1彼此堆 叠的结构。第二空穴传输区域htr2可以具有其中第二空穴传输层 htl2和第二空穴注入层hil2彼此堆叠的结构，或者可以具有其中第 二电子阻挡层(未示出)、第二空穴传输层htl2和第二空穴注入层 hil2彼此堆叠的结构。第三空穴传输区域htr3可以具有其中第三空 穴传输层htl3和第三空穴注入层hil3彼此堆叠的结构，或者可以具 有其中第三电子阻挡层(未示出)、第三空穴传输层htl3和第三空穴 注入层hil3彼此堆叠的结构。然而，实施方式不限于此。
[0121]
空穴传输区域htr1、htr2和htr3可以使用各种方法形成，诸 如真空沉积方法、旋涂方法、流延方法、朗缪尔-布洛节塔 (langmuir-blodgett)(lb)方法、喷墨印刷方法、激光印刷方法、激 光诱导热成像(liti)方法等。
[0122]
空穴传输区域htr1、htr2和htr3可以包括例如诸如铜酞菁的 酞菁化合物、n1,n1'-([1,1'-联苯]-4,4'-二基)双(n1-苯基-n4,n4-二-间甲 苯基-1,4-二胺)(dntpd)、4,4',4
″‑
[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺 (m-mtdata)、4,4',4
″‑
三(n,n-二苯基氨基)三苯胺(tdata)、4,4',4
″‑ꢀ
三{n-(2-萘基)-n-苯基氨基}-三苯胺(2-tnata)、聚(3,4-亚乙基二氧 基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸 (pani/dbsa)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯 磺酸酯)(pani/pss)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基联苯胺(npb)、 含三苯胺的聚醚酮(tpapek)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘鎓[四(五氟 苯基)硼酸盐]、双吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈 (hat-cn)等。
[0123]
空穴传输区域htr1、htr2和htr3可以包括例如诸如n-苯基 咔唑和聚乙烯基咔唑的咔唑衍生物、芴衍生物、n,n'-双(3-甲基苯 基)-n,n'-二苯基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(tpd)、诸如4,4',4"-三(n-咔 唑基)三苯胺(tcta)的三苯胺衍生物、4,4'-亚环己基双[n,n-双(4-甲 基苯基)苯胺](tapc)、4,4'-双[n,n'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯 (hmtpd)、1,3-双(n-咔唑基)苯(mcp)等。
[0124]
此外，空穴传输区域htr1、htr2和htr3可以包括9-(4-叔丁 基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9h-咔唑(czsi)、9-苯基-9h-3,9'-联 咔唑(ccp)、1,3-双(n-咔唑基)苯
(mcp)、1,3-双(1,8-二甲基-9h-咔 唑-9基)苯(mdcp)等。
[0125]
空穴传输区域htr1、htr2和htr3可以在空穴注入层hil1、 hil2和hil3、空穴传输层htl1、htl2和htl3和电子阻挡层(未 示出)中的至少一个中包括空穴传输区域的上述化合物。
[0126]
空穴传输区域htr1、htr2和htr3可具有约至约 (例如，约至约)的厚度。在空穴传输区域htr1、htr2 和htr3包括空穴注入层hil1、hil2和hil3的情况下，空穴注入层 hil1、hil2和hil3可以具有例如约至约的厚度。在空 穴传输区域htr1、htr2和htr3包括空穴传输层htl1、htl2和 htl3的情况下，空穴传输层htl1、htl2和htl3可以具有约至约的厚度。例如，在空穴传输区域htr1、htr2和htr3 包括电子阻挡层(未示出)的情况下，电子阻挡层(未示出)可以具 有约至约的厚度。如果空穴传输区域htr1、htr2和 htr3、空穴注入层hil1、hil2和hil3、空穴传输层htl1、htl2 和htl3以及电子阻挡层(未示出)的厚度满足上述范围，则可以获 得令人满意的空穴传输性质而不显著增加驱动电压。
[0127]
除了上述材料之外，空穴传输区域htr1、htr2和htr3还可以 包括电荷产生材料以增加导电性。电荷产生材料可以均匀地或非均匀 地分散在空穴传输区域htr1、htr2和htr3中。电荷产生材料可以 是例如p-掺杂剂。p-掺杂剂可包括卤化金属化合物、醌衍生物、金属 氧化物和含氰基化合物中的至少一种，但实施方式不限于此。例如， p-掺杂剂可以包括诸如四氰基醌二甲烷(tcnq)和2,3,5,6-四氟
ꢀ‑
7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷(f4-tcnq)的醌衍生物、诸如钨氧化物和 钼氧化物的金属氧化物等，但实施方式不限于此。
[0128]
如上所述，除了空穴传输层htl1、htl2和htl3以及空穴注入 层hil1、hil2和hil3之外，空穴传输区域htr1、htr2和htr3 还可以包括缓冲层(未示出)和电子阻挡层(未示出)中的至少一个。 缓冲层(未示出)可以根据从发射层eml发射的光的波长来补偿共振 距离，并且因此可以增加发光效率。缓冲层(未示出)可以包括包含 在空穴传输区域htr1、htr2和htr3中的材料。电子阻挡层(未示 出)是用于防止电子从电子传输区域etr1、etr2和etr3注入空穴 传输区域htr1、htr2和htr3中的层。
[0129]
第二电极el2设置在空穴传输区域htr1、htr2和htr3上。 第二电极el2可以是公共电极。第二电极el2可以是阴极或阳极，但 实施方式不限于此。例如，在第一电极el1是阳极的情况下，第二电 极el2可以是阴极，并且在第一电极el1是阴极的情况下，第二电极 el2可以是阳极。
[0130]
第二电极el2可以是半透射半反射电极或透射电极。在第二电极 el2是透射电极的情况下，第二电极el2可以由例如ito、izo、zno、 itzo等形成。
[0131]
在第二电极el2是半透射半反射电极的情况下，第二电极el2可 以包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、 lif、mo、ti、yb、w或其化合物或混合物(例如，agmg、agyb或 mgag)。第二电极el2可以具有多层结构，多层结构包括由上述材料 形成的反射膜或半透射半反射膜以及由ito、izo、zno、itzo等形 成的透明导电膜。例如，第二电极el2可以包括上述金属材料、上述 金属材料中的至少两种金属材料的组合、上述金属材料的氧化物等。
[0132]
尽管未示出，但是第二电极el2可以与辅助电极连接。如果第二 电极el2与辅助电极连接，则第二电极el2的电阻可以减小。
[0133]
根据实施方式的发光元件ed-1、ed-2和ed-3包括辅助层pl1、 pl2、pl3、pl4、pl5和pl6。在实施方式中，第一辅助层pl1设置 在第一电子传输区域etr1和第一发射层eml-r之间，并且第二辅助 层pl2设置在第一空穴传输区域htr1和第一发射层eml-r之间。 第三辅助层pl3设置在第二电子传输区域etr2和第二发射层eml-g 之间，并且第四辅助层pl4设置在第二空穴传输区域htr2和第二发 射层eml-g之间。第五辅助层pl5设置在第三电子传输区域etr3 和第三发射层eml-b之间，并且第六辅助层pl6设置在第三空穴传 输区域htr3和第三发射层eml-b之间。
[0134]
第一辅助层pl1、第三辅助层pl3和第五辅助层pl5可以各自独 立地包括电子传输材料，并且第二辅助层pl2，第四辅助层pl4和第 六辅助层pl6可以各自独立地包括空穴传输材料。
[0135]
根据实施方式，发光元件ed-1、ed-2和ed-3可以具有倒置元件 结构，其中电子传输区域etr设置在发射层eml下方，并且空穴传 输区域htr设置在发射层eml上方，并且辅助层pl1至pl6可以在 发光元件ed-1、ed-2和ed-3中的至少一些中设置成与发射层eml 相邻。因此，优化了有机层中的发光位置，并且因此可以改善发光元 件的发光特性。
[0136]
例如，第一发光元件ed-1包括分别设置成邻近于第一发射层 eml-r的上表面和下表面的第一辅助层pl1和第二辅助层pl2，第二 发光元件ed-2包括分别设置成邻近于第二发射层eml-g的上表面和 下表面的第三辅助层pl3和第四辅助层pl4，并且第三发光元件ed-3 包括分别设置成邻近于第三发射层eml-b的上表面和下表面的第五 辅助层pl5和第六辅助层pl6。因此，引入倒置元件以实现防劣化电 路，并且因此倒置元件可以应用于采用nmos晶体管的显示设备。此 外，由于有机层中的发光位置被优化，所以可以实现类似于正向发光 元件的发光特性水平。因此，可以实现显示设备的高速驱动和发光效 率的改善。
[0137]
封盖层cpl可以设置在实施方式的发光元件ed-1、ed-2和ed-3 的第二电极el2上。封盖层cpl可以包括多层或单层。在实施方式中，封盖层cpl可以是有机层或无机层。例如，在封 盖层cpl包括无机材料的情况下，无机材料可以包括诸如lif的碱金 属化合物、诸如mgf2、sion、sin
x
、sioy的碱土金属化合物等。例如，在封盖层cpl包括有机材料的情况下，有机材料可以包括 α-npd、npb、tpd、m-mtdata、alq3、cupc、n4,n4,n4',n4'-四(联 苯-4-基)联苯-4,4'-二胺(tpd15)、4,4',4
”‑
三(咔唑-9-基)三苯胺 (tcta)、环氧树脂或诸如甲基丙烯酸酯的丙烯酸酯。然而，实施方式 不限于此，并且封盖层cpl可以包括以下化合物p1至p5中的至少一 种：
[0138]
封盖层cpl的折射率可以是约1.6或更大。例如，封盖层cpl对 于具有约550nm至约660nm的波长的光可以具有约1.6或更大的折射 率。
[0139]
根据实施方式的发光元件ed-1、ed-2和ed-3具有倒置元件结构。 当电压施加到第一电极el1和第二电极el2中的每一个时，从第一电 极el1注入的电子通过电子传输区域etr移动到发射层eml。从第 二电极el2注入的空穴通过空穴传输区域htr移动到发射层eml。 电子和空穴在发射层eml中复合以产生激子，并且当激子从激发态返 回基态时发光。在实施方式中，从第一发射层eml-r发射的第一光、 从第二发射层eml-g发射的第二光和从
第三发射层eml-b发射的第 三光中的每一个可以具有基本上不同的波长。
[0140]
发光元件ed-1、ed-2和ed-3可以具有有机层ol1、ol2和ol3。 有机层ol1、ol2和ol3中的每一个可以包括发射层eml-r、eml-g 和eml-b、电子传输区域etr和空穴传输区域htr，并且还可以包 括辅助层pl1至pl6。第一有机层ol1的厚度可以与其中由第一发射 层eml-r产生的第一光在反射界面(即，第一电极el1)上反射以n 次共振的第n阶共振距离相同。根据实施方式，n是等于或大于2的 整数。例如，n可以是2。第二有机层ol2的厚度可以与其中由第二 发射层eml-g产生的第二光在反射界面上反射以n次共振的第n阶 共振距离相同。第三有机层ol3的厚度可以与其中由第三发射层 eml-b产生的第三光在反射界面上反射以n次共振的n阶共振距离相 同。
[0141]
有机层ol1、ol2和ol3可以限定在从第一电极el1的上表面 到第二电极el2的下表面的距离内。第一有机层ol1的厚度可以具有 约250nm至约290nm的厚度范围。第二有机层ol2的厚度可以具有 约210nm至约250nm的厚度范围。第三有机层ol3的厚度可以具有 约160nm至约200nm的厚度范围。在实施方式的发光元件中，与在每 个发光元件的发射层中产生的光的波长对应地调整有机层的厚度，使 得在第一电极界面处反射的光可以n次共振，从而改善包括发光元件 的显示设备的光效率。例如，发光元件中的至少一些可以包括设置成 邻近于发光层的辅助层，使得可以容易地调整有机层的厚度以使反射 光n次共振，从而改善显示设备的光效率。
[0142]
图14是示出比较例和示例的发光效率的曲线图。示例示出了根据 实施方式的发光元件的评估结果，并且比较例1和比较例2示出了具 有与示例不同的层结构的发光元件的评估结果。除了发光元件的层结 构不同之外，比较例和示例的发光元件的其它功能层的构成是相同的。 比较例和示例对应于发射中心波长为约625nm至约675nm的红光的发 光元件。
[0143]
与具有倒置结构的发光元件不同，比较例1包括顺序堆叠的第一 电极、空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极。比较例1 的曲线图对应于正向发光元件的发光效率。比较例2具有倒置结构， 并且包括(或仅包括)在空穴传输区域和发射层之间的一个辅助层。
[0144]
示例具有倒置结构，并且包括依次堆叠的第一电极、电子传输区 域、发射层、空穴传输区域和第二电极，并且还包括在电子传输区域 和发射层之间的第一辅助层和在空穴传输区域和发射层之间的第二辅 助层。
[0145]
在图14中，横轴是对应于从发光元件发射的光的颜色坐标的“y
”ꢀ
值的颜色坐标值。图14的曲线图示出了根据所发射的光的颜色坐标的 发光效率。参照图14的结果，可以看出，在约0.68至约0.69的颜色 坐标值的范围内，示例的发光元件的效率与比较例1几乎相同，并且 高于比较例2。
[0146]
示例的发光元件包括两个辅助层，以优化倒置结构中的发光位置， 并且具有高的光提取效果，并且从而可以具有优异的发光特性。
[0147]
根据实施方式的包括在显示设备中的发光元件具有倒置元件结 构，其中电子传输区域设置在发射层下方，并且空穴传输区域设置在 发射层上方，并且发光元件包括设置成与发射层相邻的辅助层。因此， 优化了有机层中的发光位置，并且因此可以改善发光元件的发光特性。
[0148]
尽管已经参考实施方式描述了本公开，但是应当理解，本发明不 应限于实施方式，而是可以由本领域技术人员在不脱离本发明的精神 和范围的情况下进行各种改变和修改。
[0149]
因此，本发明的技术范围不旨在限于本说明书的详细描述中所阐 述的内容，而是旨在由所附权利要求限定。