有机化合物、有机发光器件的制作方法

1.本公开涉及有机材料技术领域，尤其涉及一种有机化合物、有机发光器件。


背景技术：

2.目前使用的有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled) 器件，多采用顶发射器件结构，利用反射的阳极、透明阴极，通过微腔效应来加强出光效率。而在此器件中，一个非常重要的功能层是覆盖层。其中覆盖层包括两层，第一层为高折射率材料，第二层为低折射率材料，覆盖层通过高低折的搭配，从而实现更好的出光效果。
3.然而，现有低折射率材料大多为无机材料，其弯曲性较差，在柔性屏发生弯折下时，会造成屏幕寿命较低。
4.所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

5.本公开的目的在于提供一种有机化合物和有机发光器件，将该本公开化合物用于有机发光器件，有助于提高器件的发光效率。
6.为实现上述发明目的，本公开采用如下技术方案：
7.根据本公开的第一个方面，提供一种有机化合物，所述有机化合物的结构如化学式1所示：
[0008][0009]
其中，表示化学键；
[0010]
a、b分别独立地选自化学式1-1、化学式1-2，且a和b中至少有一者选自化学式1-1；
[0011]
l1、l2分别独立地选自单键、取代或未取代的碳原子数为1-10的亚烷基、取代或未取代的碳原子数为3-10的亚环烷基、取代或未取代的碳原子数为6-30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为5-30的亚杂芳基；
[0012]
ar1选自取代或未取代的碳原子数为1-10的烷基，取代或未取代的碳原子数为3-10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6-30的芳基、取代或未取代的碳原子数为5-30的杂芳基；
[0013]
r1、r2、r3、r4、r5分别独立地选自卤素、取代或未取代的碳原子数为1-10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3-10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6-20的芳基、取代或
未取代的碳原子数为5-20的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为3-12的三烷基硅基；
[0014]
a表示r3的个数，a选自0、1、2、3或4，当a大于1时，任意两个r3相同或不同；
[0015]
b表示r4的个数，选自0、1、2、3或4，当b大于1时，任意两个 r4相同或不同；
[0016]
c表示r5的个数，c选自0、1、2、3或4，当c大于1时，任意两个r5相同或不同；
[0017]
d表示ar1的个数，d选自0、1、2、3或4，当d大于1时，任意两个ar1相同或不同；
[0018]
l1、l2、ar1、r1、r2、r3、r4、r5上的各取代基彼此相同或不同，各自独立地选自卤素元素、碳原子数为1-6的烷基、碳原子数为6-20的芳基、碳原子数为7-25的烷基取代的芳基。
[0019]
根据本公开的第二个方面，提供一种有机发光器件，包括覆盖层，所述覆盖层包含如第一方面所述的有机化合物。
[0020]
本公开提供的有机化合物，采用二氧噻吩为核心，同时引入si原子，可形成低折射率有机化合物物。其中，二氧噻吩单元具有较好的稳定性，可保证材料在蒸镀时，材料不会发生分解。si本身是立体性结构，在si 与苯相连时，si会打破苯之间的共轭性，使得整个分子共轭长度变短，因此可降低极化率，进一步降低本公开有机化合物的折射率。将该本公开化合物用于有机发光器件，有助于提高器件的发光效率。
附图说明
[0021]
通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
[0022]
图1是本公开示例性实施例中有机电致发光器件的结构示意图；
[0023]
图2是本公开示例性实施例中si与三个苯基相连的立体结构图。
[0024]
图中主要元件附图标记说明如下：
[0025]
100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；321、空穴传输层；322、电子阻挡层；330、有机发光层；340、空穴阻挡层；350、电子传输层；360、电子注入层；400-覆盖层。
具体实施方式
[0026]
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。
[0027]
在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0028]
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的主要技术创意。
[0029]
当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
[0030]
用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
[0031]
相关技术中，低折射率材料大多为无机材料或者聚合物材料，如 sio2，pedot((3,4-乙烯二氧噻吩单体的聚合物)等，折射率大多为 1.3-1.6@460nm。如lif，折射率1.53@460nm。但是由于无机材料的弯曲性较差，在柔性屏发生弯折下时，会造成屏幕寿命较低。
[0032]
本公开实施方式中提供一种有机化合物，所述有机化合物的结构如化学式1所示：
[0033][0034]
其中，表示化学键；
[0035]
a、b分别独立地选自化学式1-1、化学式1-2，且a和b中至少有一者选自化学式1-1；
[0036]
l1、l2分别独立地选自单键、取代或未取代的碳原子数为1-10的亚烷基、取代或未取代的碳原子数为3-10的亚环烷基、取代或未取代的碳原子数为6-30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为5-30的亚杂芳基；
[0037]
ar1、r1、r2、r3、r4、r5分别独立地选自卤素、取代或未取代的碳原子数为1-10的烷基，取代或未取代的碳原子数为3-10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6-30的芳基、取代或未取代的碳原子数为5-30 的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为3-12的三烷基硅基；
[0038]
a表示r3的个数，a选自0、1、2、3或4，当a大于1时，任意两个r3相同或不同；
[0039]
b表示r4的个数，选自0、1、2、3或4，当b大于1时，任意两个 r4相同或不同；
[0040]
c表示r5的个数，c选自0、1、2、3或4，当c大于1时，任意两个r5相同或不同；
[0041]
d表示ar1的个数，d选自0、1、2、3或4，当d大于1时，任意两个ar1相同或不同；
[0042]
l1、l2、ar1、r1、r2、r3、r4、r5上的各取代基彼此相同或不同，各自独立地选自卤素元素、碳原子数为1-6的烷基、碳原子数为6-20的芳基、碳原子数为7-25的烷基取代的芳基。
[0043]
本公开提供的有机化合物，采用二氧噻吩为核心，同时引入si原子，可形成低折射率有机化合物物。其中，二氧噻吩单元具有较好的稳定性，可保证材料在蒸镀时，材料不会发生分解。si本身是立体性结构，在si 与苯相连时，si会打破苯之间的共轭性，使得整个分子共轭长度变短，因此可降低极化率，进一步降低本公开有机化合物的折射率。将该本公开化合物用于有机发光器件，有助于提高器件的发光效率。
[0044]
本公开中，si与三个苯基相连，平面结构为其可形成立体结
构，具体如图2所示。
[0045]
可以看到si与周边三个苯基所形成的立体结构具有很好的立体性，因此可打断共轭，降低折射率。
[0046]
本公开中，所采用的描述方式“各
……
独立地为”与
“……
独立地选自”可以互换，均应做广义理解，其既可以是指在不同基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响，也可以表示在相同的基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。
[0047]
本公开中，不定位连接键是指从环体系中伸出的单键其表示该连接键的一端可以连接该键所贯穿的环体系中的任意位置，另一端连接化合物分子其余部分。
[0048]
举例而言，如下式(f)中所示地，式(f)所表示的萘基通过两个贯穿双环的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(f-1)～式(f-10)所示出的任一可能的连接方式。
[0049][0050]
再举例而言，如下式(g)中所示地，式(g)所表示的苯并噁唑基通过一个贯穿苯环和噁唑环的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(g-1)～式(g-5)所示出的任一可能的连接方式。
[0051][0052]
本公开中的不定位取代基，指的是通过一个从环体系中央伸出的单键连接的取代基，其表示该取代基可以连接在该环体系中的任何可能位置。例如，如下式(h)中所示地，式(h)所表示的取代基r1通过一个不定位连接键与苯环连接，其所表示的含义，包括如式(h-1)～式(h-4)所示出的任一可能的连接方式。
[0053][0054]
在本公开中，l1、l2、ar1、r1、r2、r3、r4、r5的碳原子数，指的是所有碳原子数。举例而言，若l1选自碳原子数为12的取代的亚芳基，则亚芳基及其上的取代基的所有碳原子数为
12。例如：ar1为则其碳原子数为7；l为其碳原子数为12。
[0055]
在本公开中，当没有另外提供具体的定义时，“杂”是指在一个官能团中包括至少1个n、o、s等杂原子且其余原子为碳和氢。未取代的烷基可以是没有任何双键或三键的“饱和烷基基团”。
[0056]
在本公开中，“烷基”可以包括直链烷基或支链烷基。烷基可具有1至 10个碳原子，在本公开中，诸如“1至10”的数值范围是指给定范围中的各个整数；例如，“1至10个碳原子”是指可包含1个碳原子、2个碳原子、 3个碳原子、4个碳原子、5个碳原子、6个碳原子、7个碳原子、8个碳原子、9个碳原子或10个碳原子的烷基。烷基还可为具有1至6个碳原子的低级烷基。此外，烷基可为取代的或未取代的。
[0057]
可选地，烷基选自碳原子数为1-6的烷基，具体施例包括但不限于，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基和己基。
[0058]
在本公开中，环烷基指的是衍生自饱和环状碳链结构的基团。环烷基可具有3至10个碳原子，在本公开中，诸如“3至10”的数值范围是指给定范围中的各个整数；例如，“3至10个碳原子”是指可包含3个碳原子、 4个碳原子、5个碳原子、6个碳原子、7个碳原子、8个碳原子、9个碳原子、10个碳原子的环烷基。环烷基可为取代的或未取代的。
[0059]
可选地，环烷基具体实施例包括但不限于环戊基、环己基等。
[0060]
在本公开中，芳基指的是衍生自芳香碳环的任选官能团或取代基。芳基可以是单环芳基(例如苯基)或多环芳基，换言之，芳基可以是单环芳基、稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个单环芳基、通过碳碳键共轭连接的单环芳基和稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个稠环芳基。即，除非另有说明，通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个芳香基团也可以视为本公开的芳基。其中，稠环芳基例如可以包括双环稠合芳基(例如萘基)、三环稠合芳基(例如菲基、芴基、蒽基)等。芳基中不含有b、n、o、s、p、se和si等杂原子。举例而言，在本公开中，联苯基、三联苯基等为芳基。芳基的实例可以包括但不限于，苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、苯并[9,10] 菲基、芘基、苯并荧蒽基、基等。本公开的“芳基”可含有6-30个碳原子，在一些实施例中，芳基中的碳原子数可以是6-25个，在另一些实施例中芳基中的碳原子数可以是6-18个，在另一些实施例中芳基中的碳原子数可以是6-13个。举例而言，本公开中，芳基的碳原子数量可以是6个、 10个、12个、13个、14个、15个、18个、20个、24个、25个、30个，当然，碳原子数还可以是其他数量，在此不再一一列举。在本公开中，联苯基可以理解为苯基取代的芳基，也可以理解为未取代的芳基。
[0061]
本公开中，涉及的亚芳基是指芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
[0062]
在本公开中，取代的芳基可以是芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、氰基、芳基、杂芳基、烷基、环烷基等基团取代。杂芳基取代的芳基的具体实例包括但不限于，二苯并呋喃基取代的苯基、二苯并噻吩取代的苯基、吡啶取代的苯基等。应当理解地是，取代的芳基的碳原子数，指的是芳基和芳基上的取代基的碳原子总数，例如碳原子数为18的取代的芳基，指的是芳基及其取代基的总碳原子数为18。
[0063]
在本公开中，作为取代基的芳基，具体实例包括但不限于：苯基、萘基、联苯基等等。
[0064]
在本公开中，杂芳基是指环中包含至少一个杂原子的一价芳香环或其衍生物，杂原子可以是o、n和s中的至少一种。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基，换言之，杂芳基可以是单个芳香环体系，也可以是通过碳碳键共轭连接的多个芳香环体系，且任一芳香环体系为一个芳香单环或者一个芳香稠环。示例地，杂芳基可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并三唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、异噁唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、硅芴基、二苯并呋喃基以及n-芳基咔唑基(如n-苯基咔唑基)、n-杂芳基咔唑基(如n-吡啶基咔唑基)、n-烷基咔唑基(如n-甲基咔唑基)等，而不限于此。其中，噻吩基、呋喃基、菲咯啉基等为单个芳香环体系类型的杂芳基，n
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芳基咔唑基、n-杂芳基咔唑基为通过碳碳键共轭连接的多环体系类型的杂芳基。本公开的“杂芳基”可含有5-30个碳原子，在一些实施例中，杂芳基中的碳原子数可以是5-23个，在另一些实施例中芳基中的碳原子数可以是5-19个。举例而言，其碳原子数量可以是5个、6个、7个、10个、11 个、12个、13个、18个、19个、20个、21个、22个、23个、25个或 30个，当然，碳原子数还可以是其他数量，在此不再一一列举。
[0065]
本公开中，涉及的亚杂芳基是指杂芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
[0066]
在本公开中，取代的杂芳基可以是杂芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、氰基、芳基、杂芳基、烷基、环烷基等基团取代。芳基取代的杂芳基的具体实例包括但不限于，苯基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的二苯并噻吩基、n-苯基咔唑基等。应当理解地是，取代的杂芳基的碳原子数，指的是杂芳基和杂芳基上的取代基的碳原子总数。
[0067]
在本公开中，作为取代基的杂芳基，具体实例包括但不限于：吡啶基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并噁唑基、苯并吡啶基、苯并三唑基等等。
[0068]
在本公开中，卤素基团可以包括氟、碘、溴、氯等。
[0069]
在本公开一些实施例中，l1、l2分别独立地选自单键、取代或未取代的亚环戊基、取代或未取代的亚环己基、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基；
[0070]
l1、l2上的各取代基彼此相同或不同，各自独立地选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、甲基取代的苯基、异丁基取代的苯基。
[0071]
在本公开一些实施例中，l1、l2分别独立地选自单键、取代或未取代的基团v，未取代的基团v选自如下基团所组成的组：
[0072][0073]
其中，取代的基团v上具有一个或多个取代基，所述取代基分别独立地选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、甲基取代的苯基、异丁基取代的苯基，当基团v上的取
代基的个数大于1时，各取代基相同或不同。
[0074]
在本公开一些实施例中，l1、l2分别独立地选自单键或如下基团所组成的组：
[0075][0076]
在本公开一些实施例中，ar1选自碳原子数为1-6的烷基、取代或未取代的基团w，所述未取代的基团w选自如下基团所组成的组：
[0077][0078]
其中，取代的基团w上具有一个或多个取代基，所述取代基分别独立地选自氟、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基，当基团w 上的取代基的个数大于1时，各取代基相同或不同。
[0079]
在本公开一些实施例中，ar1选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、直链戊基、支链戊基、或如下基团所组成的组：
[0080][0081]
在本公开一些实施例中，r1、r2、r3、r4、r5分别独立地选自卤素、碳原子数为1-6的烷基、碳原子数为3-12的三烷基硅基、碳原子数为1-6 的氟代烷基、取代或未取代的基团x，所述未取代的基团x选自如下基团所组成的组：
[0082][0083]
其中，取代的基团x上具有一个或多个取代基，所述取代基分别独立地选自氟、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基，当基团x 上的取代基的个数大于1时，各取代基相同或不同。
[0084]
在本公开一些实施例中，r1、r2、r3、r4、r5分别独立地选自卤素、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、直链戊基、支链戊基、三甲基硅基、三氟甲基或如下基团做组成的组：
[0085][0086]
在本公开一些实施例中，基团a和基团b结构相同，当基团a和基团b结构相同时，本公开的有机化合物呈对称结构，此时，有机化合物更能体现低折射率效果，性能更好。
[0087]
在本公开一些实施例中，所述有机化合物选自如下结构所组成的组：
[0088]
[0089]
[0090]
[0091][0092]
本公开还提供一种有机发光器件，包括阳极、阴极和覆盖所述阴极的覆盖层，所述覆盖层包含如上所述的有机化合物。
[0093]
在本技术的一种具体实施方式中，有机发光器件可以包括依次层叠设置的阳极100、空穴传输层321、电子阻挡层322、发光层330、电子传输层350、阴极200和覆盖层400。本技术提供的有机化合物可以应用于有机发光器件的覆盖层400，可以有效改善有机发光器件的发光效率和寿命。
[0094]
可选地，阳极100包括以下阳极材料，其优选地是有助于空穴注入至功能层中的具有大逸出功(功函数，work function)材料。阳极材料具体实例包括：金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)；组合的金属和氧化物如zno:al或sno2:sb；或导电聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](pedt)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。优选包括包含氧化铟锡(铟锡氧化物，indium tin oxide)(ito)作为阳极的透明电极。
[0095]
可选地，空穴传输层321可以包括一种或者多种空穴传输材料，空穴传输材料可以选自咔唑多聚体、咔唑连接三芳胺类化合物或者其他类型的化合物，本技术对此不做特殊的限定。
[0096]
可选地，有机发光层330可以由单一发光材料组成，也可以包括主体材料和客体材料。可选地，有机发光层330由主体材料和客体材料组成，注入有机发光层330的空穴和注入有机发光层330的电子可以在有机发光层330复合而形成激子，激子将能量传递给主体材料，主体材料将能量传递给客体材料，进而使得客体材料能够发光。
[0097]
有机发光层330的主体材料可以为金属螯合类化合物、双苯乙烯基衍生物、芳香族胺衍生物、二苯并呋喃衍生物或者其他类型的材料，本技术对此不做特殊的限制。
[0098]
有机发光层330的客体材料可以为具有缩合芳基环的化合物或其衍生物、具有杂芳基环的化合物或其衍生物、芳香族胺衍生物或者其他材料，本技术对此不做特殊的限制。
[0099]
电子传输层350可以为单层结构，也可以为多层结构，其可以包括一种或者多种电子传输材料，电子传输材料可以选自苯并咪唑衍生物、噁二唑衍生物、喹喔啉衍生物或者其他电子传输材料，本技术对此不做特殊的限定。
[0100]
可选地，阴极200包括以下阴极材料，其是有助于电子注入至功能层中的具有小逸出功的材料。阴极材料的具体实例包括：金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或它们的合金；或多层材料如 lif/al、liq/al、lio2/al、lif/ca、lif/al和baf2/ca，但不限于此。优选包括包含银和镁的金属电极作为阴极。
[0101]
可选地，如图1所示，在阳极100和空穴传输层321之间还可以设置有空穴注入层310，以增强向空穴传输层321注入空穴的能力。空穴注入层310可以选用联苯胺衍生物、星
爆状芳基胺类化合物、酞菁衍生物或者其他材料，本技术对此不做特殊的限制。
[0102]
可选地，如图1所示，在阴极200和电子传输层350之间还可以设置有电子注入层360，以增强向电子传输层350注入电子的能力。电子注入层360可以包括有碱金属硫化物、碱金属卤化物等无机材料，或者可以包括碱金属与有机物的络合物。例如，电子注入层360可以由yb组成。
[0103]
可选地，在有机发光层330和电子传输层350之间还可以设置有空穴阻挡层340。在有机发光层330和空穴传输层321之间还可以设置有电子阻挡层322。
[0104]
覆盖层覆盖阴极，本公开中的覆盖层含有本公开的有机化合物。
[0105]
本公开还提供一种显示装置，包括上述有机发光器件，显示装置可以是手机、平板电脑、电视等电子设备，在此不再一一列举。
[0106]
化合物合成例
[0107]
化合物1合成：
[0108][0109]
将中间体1-a(16mmol,4.2g)，中间体1-b(2,5-二溴-3,4-乙烯基二氧噻吩)(8mmol,1.9g)，催化剂四三苯基膦钯(0.15mmol，0.16g)溶解于 150ml甲苯和50ml的碳酸钾水溶液(2.0mol l-1
),在氮气保护下90℃搅拌回流24小时。反应结束后，用二氯甲烷萃取，旋转蒸发浓缩萃取液，柱层析分离得到化合物1(4.7g，产率：75％)。将产物通过nmr和 hplc(纯度97.6％)确认。
[0110]
化合物2合成：
[0111][0112]
将中间体2-a(8mmol,2.6g)，中间体2-b(2,5-二溴-3,4-乙烯基二氧噻吩)(8mmol,1.9g)，催化剂四三苯基膦钯(0.15mmol，0.16g)溶解于150ml 甲苯和50ml的碳酸钾水溶液(2.0mol l-1
),在氮气保护下90℃搅拌回流 24小时。反应结束后，用二氯甲烷萃取，旋转蒸发浓缩萃取液，柱层析分离得到化合物2(3.0g，产率：69％)。将产物通过nmr和hplc(纯度96.5％)确认。
[0113]
化合物7合成：
[0114][0115]
将中间体7-a(16mmol,4.4g)，中间体7-b(2,5-二溴-3,4-乙烯基二氧噻吩)(8mmol,1.9g)，催化剂四三苯基膦钯(0.15mmol，0.16g)溶解于 150ml甲苯和50ml的碳酸钾水溶液(2.0mol l-1
),在氮气保护下90℃搅拌回流24小时。反应结束后，用二氯甲烷萃取，旋转蒸发浓缩萃取液，柱层析分离得到化合物7(5.2g，产率：76％)。将产物通过nmr和 hplc(纯度97.3％)确认。
[0116]
化合物23合成：
[0117][0118]
将中间体23-a(16mmol,3.3g)，中间体23-b(16mmol,1.3g)，催化剂四三苯基膦钯(0.15mmol，0.16g)溶解于150ml甲苯和50ml的碳酸钾水溶液(2.0mol l-1
),在氮气保护下90℃搅拌回流24小时。反应结束后，用二氯甲烷萃取，柱层析分离得到中间体23-c(3.9g，产率：82％)。
[0119][0120]
将中间体23-c(8mmol,3.9g)，中间体23-d(8mmol,2.5g)，催化剂四三苯基膦钯(0.08mmol，0.09g)溶解于75ml甲苯和25ml的碳酸钾水溶液(2.0mol l-1
),在氮气保护下90℃搅拌回流24小时。反应结束后，用二氯甲烷萃取，旋转蒸发浓缩萃取液，柱层析分离得到化合物23(4.1g，产率：83％)。将产物通过nmr和hplc(纯度96.1％)确认。
[0121]
化合物34合成：
[0122][0123]
将中间体34-a(8mmol,1.9g)，中间体34-b(16mmol,1.4g)，催化剂四三苯基膦钯(0.15mmol，0.16g)溶解于150ml甲苯和50ml的碳酸钾水溶液(2.0mol l-1
),在氮气保护下90℃搅拌回流24小时。反应结束后，用二氯甲烷萃取，柱层析分离得到中间体34-c(3.0g，产率：91％)。
[0124][0125]
将中间体34-c(6mmol,3.0g)，中间体34-d(12mmol,5.1g)，催化剂四三苯基膦钯(0.06mmol，0.06g)溶解于75ml甲苯和25ml的碳酸钾水溶液(2.0mol l-1
)，在氮气保护下90℃搅拌回流24小时。反应结束后，用二氯甲烷萃取，旋转蒸发浓缩萃取液，柱层析分离得到化合物34 (6.3g，产率：83％)。将产物通过nmr和hplc(纯度97.2％)确认。
[0126]
本公开化合物与对比例材料的折射率如表1所示，对比例的材料结构如表3所示。
[0127]
表1
[0128][0129][0130]
从表1中可以看出，本技术化合物的折射率均低于对比例，且低于1.6. 其中，化合物1、化合物7、化合物34的折射率相对较低，这可能是由于化合物1、化合物7、化合物34中的a基团和b基团结构相同，呈对称结构。此外，化合物23的折射率也相对较低，这可能是受三苯基硅基的苯环上取代基的影响。
[0131]
此外，玻璃化转变温度是保证材料在蒸镀过程中稳定性的一个重要参数；玻璃化转变温度采用差示扫描量热仪(dsc)测试，选择第二次升温过程，温度从室温到300℃。
[0132]
表2
[0133] tg/℃对比例 1105化合物 1115化合物 2112化合物 7121化合物 23122化合物 34129
[0134]
从表2中可以看出，本技术的化合物的玻璃化转变温度相比对比例更高，可保证材料在蒸镀时，材料不会发生分解。
[0135]
器件实施例：
[0136]
器件例1制备过程：将事先制备好的ito基板进行清洗并烘干；在阳极上依次开始蒸镀空穴注入层hil材料，空穴传输层htl材料，电子阻挡层ebl材料；之后蒸镀发光层bh1材料；在发光层上蒸镀空穴阻挡层hbl材料，电子传输层etl材料，电子注入层eil材料；之后再蒸镀阴极。在阴极之上，蒸镀高折射率的第一覆盖层cpl1；在第一覆盖层之上，蒸镀本技术的化合物1，作为第二覆盖层cpl2，器件结构为：
[0137]
hil(10nm)/htl(110nm)/ebl(5nm)/bh:bd(20nm,3％)/hbl(5nm)/etl:liq (30nm,50％)/eil(yb)(1nm)/mg：ag 13nm/cpl1 65nm/cpl2 5nm
[0138]
器件例2制备过程：
[0139]
将器件例1中的cpl2换成化合物2材料，其他不变。
[0140]
器件例3制备过程：
[0141]
将器件例1中的cpl2换成化合物7材料，其他不变。
[0142]
器件例4制备过程：
[0143]
将器件例1中的cpl2换成化合物23，其他不变。
[0144]
器件例5制备过程：
[0145]
将器件例1中的cpl2换成化合物34材料，其他不变。
[0146]
对比器件r1制备过程：
[0147]
将器件例1中的cpl2换成对比例1材料，其他不变。
[0148]
器件例中的材料结构如表3所示。
[0149]
表3
[0150][0151][0152]
对如上制得的有机发光器件，在20ma/cm2的条件下分析了器件的性能，其结果如表4所示：
[0153]
表4
[0154]
[0155]
表4中数值是以对比器件r1为参照，器件例相对于对比例的百分比。相比较对比例1制备的发光器件，器件例2至5中采用本公开化合物作为覆盖层制备的发光器件，发光效率更高、稳定性更好。
[0156]
应可理解的是，本公开不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本公开能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本公开的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本公开延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本公开的多个可替代方面。本说明书的实施方式说明了已知用于实现本公开的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本公开。