处理室的原位表面涂层的制作方法

技术特征：
1.一种反应器系统，其包括：处理室；气体入口，其连接到所述处理室；以及分配器，其耦合到所述气体入口，所述分配器控制从管形瓶到所述气体入口的气流，所述管形瓶包括第一涂层材料，所述第一涂层材料当在所述反应系统的操作条件下在所述处理室内释放时，涂覆所述处理室的内壁。2.根据权利要求1所述的反应器系统，其还包括：系统控制器，其具有彼此通信连接的处理器和存储器，所述处理器与控制所述第一涂层材料的所述气流的所述分配器操作性地连接，所述存储器存储计算机可执行指令，所述计算机可执行指令包括：控制所述分配器以在所述处理室内释放所述第一涂层材料；以及在等离子体增强化学气相沉积工艺的操作条件下操作所述反应器系统。3.根据权利要求1所述的反应器系统，其还包括：多个源气体管线，其通过歧管连接到所述气体入口，所述歧管被配置成组合来自所述多个源气体管线的源气体并控制所述组合的源气体的流动；与电源连通的顶部电极；以及被配置为接收衬底的衬底支撑件，系统控制器，其具有彼此通信连接的处理器和存储器，所述处理器与所述歧管、所述电源和控制所述第一涂层材料的所述气流的所述分配器操作性地连接，所述存储器存储计算机可执行指令，所述计算机可执行指令包括：在等离子体增强化学气相沉积工艺的操作条件下调节所述组合的源气体的流动；控制所述分配器以在所述处理室内释放所述第一涂层材料；以及在等离子体增强化学气相沉积工艺的操作条件下操作所述反应器系统。4.根据权利要求3所述的反应器系统，其中调节所述组合的源气体的流动包括：防止所述组合的源气体流入所述处理室中。5.根据权利要求3所述的反应器系统，其中调节所述组合的源气体的流动包括：使所述组合的源气体与所述第一涂层材料组合到所述处理室中。6.根据权利要求3所述的反应器系统，其中所述电源包括：低频射频(lfrf)发生器；高频射频(hfrf)发生器；以及匹配网络，其中所述内壁由由铝、陶瓷、涂有陶瓷的铝和涂有碳化硅的铝组成的群组形成。7.根据权利要求3所述的反应器系统，其中，所述衬底包括维护晶片，所述维护晶片包括第二涂层材料，所述第二涂层材料当在所述反应系统的操作条件下在所述处理室内释放时，与所述第一涂层材料组合并涂覆所述处理室的所述内壁。8.一种方法，其包括：控制从与分配器连接的管形瓶到处理室的气体入口的气流，所述管形瓶包含第一涂层材料，所述第一涂层材料当在所述反应系统的操作条件下在所述处理室内释放时，涂覆所述处理室的内壁；以及
在等离子体增强化学气相沉积工艺的操作条件下操作所述反应器系统。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述反应器系统包括：多个源气体管线，其通过歧管连接到所述气体入口，所述歧管被构造成组合来自所述多个源气体管线的源气体并控制所述组合的源气体的流动；与电源连通的顶部电极；以及被配置为接收衬底的衬底支撑件，系统控制器，其具有彼此通信连接的处理器和存储器，所述处理器与所述歧管、所述电源和控制所述第一涂层材料的所述气流的所述分配器操作性地连接，所述存储器存储计算机可执行指令，所述计算机可执行指令包括：在等离子体增强化学气相沉积工艺的操作条件下调节所述组合的源气体的流动；控制所述分配器以在所述处理室内释放所述第一涂层材料；以及在等离子体增强化学气相沉积工艺的操作条件下操作所述反应器系统。10.根据权利要求9所述的方法，其中调节所述组合的源气体的流动包括：防止所述组合的源气体流入所述处理室中。11.根据权利要求9所述的方法，其中调节所述组合的源气体的流动包括：使所述组合的源气体与所述第一涂层材料组合到所述处理室中。12.根据权利要求9所述的方法，其中所述电源包括：低频射频(lfrf)发生器；高频射频(hfrf)发生器；以及匹配网络，其中所述内壁由由铝、陶瓷、涂有陶瓷的铝和涂有碳化硅的铝组成的群组形成。13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述衬底包括维护晶片，所述维护晶片包括第二涂层材料，所述第二涂层材料当在所述反应系统的操作条件下在所述处理室内释放时，涂覆所述处理室的所述内壁。14.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括指令，所述指令当由计算机执行时，使所述计算机执行操作，所述操作包括：控制从与分配器连接的管形瓶到处理室的气体入口的气流，所述管形瓶包含第一涂层材料，所述第一涂层材料当在所述反应系统的操作条件下在所述处理室内释放时，涂覆所述处理室的内壁；以及在等离子体增强化学气相沉积工艺的操作条件下操作所述反应器系统。15.根据权利要求14所述的计算机可读存储介质，其中所述反应器系统包括：多个源气体管线，其通过歧管连接到所述气体入口，所述歧管被配置为组合来自所述多个源气体管线的源气体并控制所述组合的源气体的流动；与电源连通的顶部电极；以及被配置为接收衬底的衬底支撑件，其中，所述操作包括：在等离子体增强化学气相沉积工艺的操作条件下调节所述组合的源气体的流动；控制所述分配器以在所述处理室内释放所述第一涂层材料；以及在等离子体增强化学气相沉积工艺的操作条件下操作所述反应器系统。
16.根据权利要求15所述的计算机可读存储介质，其中调节所述组合的源气体的流动包括：防止所述组合的源气体流入所述处理室中。17.根据权利要求15所述的计算机可读存储介质，其中调节所述组合的源气体的流动包括：使所述组合的源气体与所述第一涂层材料组合到所述处理室中。18.根据权利要求15所述的计算机可读存储介质，其中所述电源包括：低频射频(lfrf)发生器；高频射频(hfrf)发生器；以及匹配网络。19.根据权利要求14所述的计算机可读存储装置，其中所述内壁由由由铝、陶瓷、涂有陶瓷的铝和涂有碳化硅的铝组成的群组形成。20.根据权利要求15所述的计算机可读存储介质，其中，所述衬底包括维护晶片，所述维护晶片包括第二涂层材料，所述第二涂层材料当在所述反应系统的操作条件下在所述处理室内释放时，涂覆所述处理室的所述内壁。

技术总结
一种反应器系统包括处理室、气体入口和分配器。分配器耦合到气体入口。分配器控制从管形瓶到气体入口的气流。管形瓶包括涂层材料，涂层材料当在反应系统的操作条件下在处理室内释放时，涂覆处理室的内壁。涂覆处理室的内壁。涂覆处理室的内壁。


技术研发人员：杰弗里
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2021.02.04
技术公布日：2022/9/14