透明导电层、透明导电性片、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件及图像显示装置的制作方法

1.本发明涉及透明导电层、透明导电性片、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件及图像显示装置。


背景技术：

2.以往，已知有具备结晶质的透明导电层的透明导电性片。
3.例如，提出了具备具有多个晶粒的透光性导电层的透光性导电薄膜(例如，参照下述专利文献1。)。
4.专利文献1中记载的透光性导电层中，将上述的多个晶粒分隔的晶界存在从透光性导电层的上表面到下表面的晶界。
5.另外，专利文献1的透光性导电层通过蚀刻形成为布线图案。
6.现有技术文献
7.专利文献
8.专利文献1：日本特开2018-41059号公报


技术实现要素：

9.发明要解决的问题
10.透光性导电层有时因布线图案形成、外观性等理由而被蚀刻，近年，为了蚀刻工序的生产率提高，对透光性导电层要求高的蚀刻速度。但是，专利文献1中记载的透光性导电层有时无法满足上述要求。
11.本发明提供蚀刻速度高的透明导电层、透明导电性片、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件及图像显示装置。
12.用于解决问题的方案
13.本发明(1)包含一种透明导电层，其具备：露出至外部的第1主面、及与前述第1主面在厚度方向相对的第2主面，前述透明导电层为在与厚度方向正交的面方向延伸的单一的层，所述透明导电层具有：剖视图中2个端缘均在前述第1主面开放、且两端缘之间的中间区域不与第2主面接触的晶界；和被前述晶界分隔、且仅面向前述第1主面的第1晶粒。
14.对于该透明导电层，若蚀刻液与第1主面接触，则蚀刻液容易从2个端缘浸入至晶界，因此，被该晶界分隔的第1晶粒容易剥离。其结果，透明导电层的蚀刻速度高。
15.本发明(2)包含(1)所述的透明导电层，其还具有第2晶界，所述第2晶界向连接前述第1主面的一端缘及前述第2主面的一端缘的侧面开放。
16.对于该透明导电层，若蚀刻液与侧面接触，则蚀刻液容易浸入至第2晶界，因此，被第2晶界分隔的晶粒容易剥离。其结果，透明导电层的蚀刻速度进一步更高。
17.本发明(3)包含(1)或(2)所述的透明导电层，其中，前述透明导电层的材料为含锡
的氧化物。
18.该透明导电层的材料为含锡的氧化物，因此透明性及导电性优异。
19.本发明(4)包含一种透明导电性片，其具备：(1)～(3)中任一项所述的透明导电层；和位于前述透明导电层的前述第2主面侧的基材片。
20.本发明(5)包含一种接触式传感器，其具备(1)～(3)中任一项所述的透明导电层。
21.本发明(6)包含一种调光元件，其具备(1)～(3)中任一项所述的透明导电层。
22.本发明(7)包含一种光电转换元件，其具备(1)～(3)中任一项所述的透明导电层。
23.本发明(8)包含一种热射线控制构件，其具备(1)～(3)中任一项所述的透明导电层。
24.本发明(9)包含一种天线，其具备(1)～(3)中任一项所述的透明导电层。
25.本发明(10)包含一种电磁波屏蔽构件，其具备(1)～(3)中任一项所述的透明导电层。
26.本发明(11)包含一种图像显示装置，其具备(1)～(3)中任一项所述的透明导电层。
27.发明的效果
28.本发明的透明导电性片、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件及图像显示装置所具备的透明导电层的蚀刻速度高。
附图说明
29.图1中，图1的a～图1的c为对本发明的透明导电性片的一实施方式的制造方法进行说明的工序截面图，图1的a为准备基材片的工序，图1的b为形成非晶质透明导电层的工序，图1的c为形成结晶质的透明导电层的工序。
30.图2为图1的c所示的透明导电性片中的透明导电层的一端部的放大截面图。
31.图3为图1的b所示的形成非晶质透明导电层的工序中使用的溅射装置的示意图。
32.图4为本发明的透明导电层的变形例(第4晶粒被2个第3晶界分隔的变形例)的截面图。
33.图5为本发明的透明导电层的变形例(包含均不面向第1主面、第2主面、侧面的第5晶粒的变形例)的截面图。
34.图6为本发明的透明导电层的变形例(第1晶界不含分支点的变形例)的截面图。
35.图7为本发明的透明导电性片的变形例(具备功能层的变形例)的截面图。
36.图8为比较例1及2的透明导电性片中不具备第1晶粒的透明导电层的截面图。
具体实施方式
37.参照图1的a～图3对本发明的透明导电性片的一实施方式进行说明。需要说明的是，图2中，为了明确示出多个晶粒4(后述)、另外为了将第1晶界7(后述)～第3晶界9(后述)与引出线区别开，用浓度彼此不同的灰色来描绘多个晶粒4。
38.如图1的c所示，该透明导电性片1具有规定厚度，具有在与厚度方向正交的面方向延伸的片形状。该透明导电性片1朝向厚度方向一侧依次具备基材片2和透明导电层3。
39.基材片2为用于确保透明导电性片1的机械强度的透明基材。基材片2在面方向延
伸。基材片2具有基材第1主面21及基材第2主面22。基材第1主面21为平坦面。基材第2主面22相对于基材第1主面21在厚度方向另一侧隔开间隔地相对配置。需要说明的是，基材片2位于透明导电层3的第2主面6(后述)侧。基材第2主面22与基材第1主面21平行。
40.需要说明的是，平坦面可以指，基材片2的基材第1主面21与基材第2主面22为大致平行的平面。例如，无法观察到的程度的微细的凹凸、波纹是允许的。
41.作为基材片2的材料，可举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯树脂、例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)、例如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物等烯烃树脂、例如聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂、降冰片烯树脂等。从透明性及耐透湿性的观点出发，优选可举出聚酯树脂、更优选可举出pet。基材片2的厚度例如为10μm以上，另外，例如为100μm以下。
42.透明导电层3配置于基材片2的厚度方向一侧。具体而言，透明导电层3与基材片2的基材第1主面21的整面接触。透明导电层3为具有规定厚度、且在面方向延伸的单一的层。具体而言，透明导电层3不是在厚度方向层叠的多个层。更详细而言，为沿面方向分隔开的多个透明导电层、且包含与基材片2的基材第1主面21平行的边界的多个透明导电层不是本发明的透明导电层。
43.透明导电层3具备：第1主面5、第2主面6及侧面55(参照图2)。
44.第1主面5露出至厚度方向一侧(外部)。即，第1主面5暴露于大气。第1主面5为平坦面。
45.第2主面6相对于第1主面5在厚度方向另一侧隔开间隔地相对配置。第2主面6为与第1主面5平行的平坦面。第2主面6与基材第1主面21接触。
46.需要说明的是，平坦面可以指，第1主面5与第2主面6为大致平行的平面。
47.例如，无法观察到的程度的微细的凹凸、波纹是允许的。
48.如图2所示，侧面55将第1主面5的周端缘及第2主面6的周端缘连接。在剖面图中，侧面55具有：连接第1主面5的一端缘及第2主面6的一端缘的一侧面56、和连接第1主面5的另一端缘及第2主面6的另一端缘的另一侧面(未图示)。
49.该透明导电层3为结晶质。具体而言，透明导电层3在面方向不含非晶质的区域，而仅包含结晶质的区域。需要说明的是，包含非晶质的区域的透明导电层3例如通过利用tem观察透明导电层3的面方向的晶粒来鉴定。
50.另外，透明导电层3为结晶质的情况下，例如，将透明导电层3在20℃、5质量％的盐酸水溶液中浸渍15分钟后，进行水洗及干燥，测定第1主面5中15mm左右之间的二端子间电阻，二端子间电阻为10kω以下。另一方面，上述的二端子间电阻超过10kω时，透明导电层3为非晶质。
51.透明导电层3具有多个晶粒4。晶粒4有时称为结晶粒(grain)。晶粒4包含被作为晶界的一例的第1晶界7分隔的第1晶粒31。
52.第1晶粒31不面向第2主面6及侧面55、而面向第1主面5。即，第1晶粒31仅面向第1主面5。
53.第1晶界7包含2个端缘23。另外，2个端缘23均在第1主面5开放。第1晶界7中，两端缘23之间的中间区域25不与第2主面6及侧面55接触。第1晶界7在剖面图中具有朝向厚度方
向一侧开放的大致u字形状。另外，第1晶界7具有如下路径：从一端缘23朝向厚度方向另一侧前进，在厚度方向途中部，在宽度方向(与厚度方向正交的方向的一例)前进，其后朝向厚度方向一面侧返回至另一端缘23。需要说明的是，第1晶界7也可以具有以下路径：从一端缘23朝向厚度方向另一侧前进，在厚度方向途中部折返后，朝向厚度方向一面侧返回至另一端缘23。
54.另外，虽然未图示，但可以在透明导电层3设置有多个第1晶粒31。该情况下，彼此相邻的第1晶粒31各自的一端缘23可以共通。
55.另外，该实施方式中，第1晶界7的中间区域25包含第1分支点26及第2分支点27。
56.第2晶界8以第1分支点26起点、从第1晶界7分支。另外，对于第2晶界8，一端缘包含在中间区域25中、另一端缘在一侧面56(侧面55)开放。
57.而且，第2晶粒32被第1晶界7中从一端缘23到达中间区域25的途中部的部分和第2晶界8分隔。
58.第2晶粒32不面向第2主面6，而面向第1主面5及一侧面56。即，第2晶粒32仅面向第1主面5及一侧面56。
59.另外，第3晶界9以第2分支点27为起点、从第1晶界7分支。对于第3晶界9，一端缘包含在中间区域25中、另一端缘在第2主面6开放。而且，第3晶粒33被第3晶界9、第1晶界7的中间区域25和第2晶界8分隔。
60.第3晶粒33不面向第1主面5、而面向第2主面6及一侧面56。即，第3晶粒33仅面向第2主面6及一侧面56。
61.另外，透明导电层3可以包含面向第1主面5和第2主面6这两者的第4晶粒44。
62.透明导电层3只要为含有第1晶粒31的结晶质层即可，第1晶粒31与、第2晶粒32、第3晶粒33、第4晶粒44等其他晶粒的存在比可以是任意的。
63.透明导电层3的材料没有特别限定。作为透明导电层3的材料，例如，可举出包含选自由in、sn、zn、ga、sb、nb、ti、si、zr、mg、al、au、ag、cu、pd、w组成的组中的至少1种金属的金属氧化物。具体而言，优选可举出铟锌复合氧化物(izo)、铟镓锌复合氧化物(igzo)、铟镓复合氧化物(igo)、铟锡复合氧化物(ito)、锑锡复合氧化物(ato)等金属氧化物，优选可举出铟锡复合氧化物(ito)、锑锡复合氧化物(ato)等含锡的氧化物等。透明导电层3的材料为含锡的氧化物时，透明性及导电性优异。
64.透明导电层3(含锡的氧化物)中的锡氧化物(sno2)的含量没有特别限定，例如为0.5质量％以上，优选为3质量％以上、更优选为6质量％以上，另外，例如，不足50质量％，优选为25质量％以下、更优选为15质量％以下。
65.透明导电层3的厚度例如为10nm以上，优选为30nm以上、更优选为70nm以上、进一步优选为100nm以上、特别优选为120nm以上、最优选为140nm以上，另外，例如为300nm以下，优选为200nm以下。透明导电层3的厚度的求法在后面的实施例中详细叙述。
66.剖视图中2个端缘23间的长度(第1晶粒31为多个的情况下为长度的平均)相对于透明导电层3的厚度的比例如为0.1以上，优选为0.25以上，另外，例如为20以下，优选为10以下、更优选为5以下、进一步优选为3以下。上述比超过上述的下限、另外低于上述的上限时，能够提高透明导电层3的蚀刻速度。
67.多个晶粒4的最大结晶粒径没有特别限定，例如为500nm以下，优选为400nm以下、
更优选为350nm以下、进一步优选为300nm以下、特别优选为250nm以下、最优选为220nm以下，另外，例如为1nm以上，优选为10nm以上。多个晶粒4的最大结晶粒径为上述的上限以下时，能够提高透明导电层3的第1主面5的单位面积的第1晶界7的量，因此，能够提高蚀刻速度。多个晶粒4的最大结晶粒径的求法在后面的实施例中详细叙述。
68.透明导电层3的表面电阻例如为200ω/
□
以下，优选为50ω/
□
以下、更优选为30ω/
□
以下、进一步优选为20ω/
□
以下、特别优选为15ω/
□
以下，另外，例如超过0ω/
□
。
69.透明导电层3的总透光率例如为50％以上，优选为75％以上、更优选为80％以上、进一步优选为83％以上、特别优选为90％以上，另外，例如为100％以下。
70.接着，对该透明导电性片1的制造方法进行说明。
71.该方法中，例如，通过卷对卷(roll to roll)方式边输送基材片2边形成透明导电层3。
72.如图1的a所示，具体而言，首先，准备基材片2。
73.如图1的c所示，接着，在基材片2的基材第1主面21形成透明导电层3。透明导电层3通过例如溅射等干式法、例如镀覆等湿式法来形成。优选通过干式法、更优选通过溅射来形成透明导电层3。
74.透明导电层3的制造方法没有特别限定。例如，使用具备具有冷却装置(未图示)的成膜辊40的溅射装置30(参照图3)，形成图1的b所示的非晶质透明导电层28，其后，对非晶质透明导电层28进行加热。
75.如图3所示，这样的溅射装置30从基材片2的输送方向上游侧向下游侧依次具备：放出部35、溅射部36、和卷取部37。
76.放出部35具备放出辊38。
77.溅射部36具备成膜辊40和多个靶41～42。
78.成膜辊40具备以冷却成膜辊40的方式构成的未图示的冷却装置。
79.多个靶41～42包含第1靶41和第2靶42。第1靶41～第2靶42沿成膜辊40的圆周方向依次配置。
80.作为靶41～42的材料，可举出与上述的透明导电层3同样的材料。
81.多个靶41～42各自被收纳于多个成膜室51～52各自中。
82.多个成膜室51～52包含第1成膜室51及第2成膜室52。第1成膜室51～第2成膜室52沿圆周方向彼此邻接配置。
83.在多个成膜室51～52各自中分别设置有多个气体供给机61～62。多个气体供给机61～62分别与多个靶41～42对应。多个气体供给机61～62包含：第1气体供给机61、及第2气体供给机62。多个气体供给机61～62各自能够将溅射气体供给至多个成膜室51～52各自中。
84.具体而言，多个气体供给机61～62各自具备：各个非活性气体供给机61a～62a和各个氧气供给机61b～62b。
85.非活性气体供给机61a～62a包含：第1非活性气体供给机61a、和第2非活性气体供给机62a。第1非活性气体供给机61a～第2非活性气体供给机62a能够将非活性气体供给至多个成膜室51～52各自中。
86.氧气供给机61b～62b包含第1氧气供给机61b和第2氧气供给机62b。第1氧气供给
机61b～第2氧气供给机62b能够将氧气供给至多个成膜室51～52各自中。
87.另外，在多个成膜室51～52各自中设置有能将多个成膜室51～52各自减压的泵50。
88.卷取部37具备卷取辊39。
89.使用该溅射装置30，在基材片2的基材第1主面21形成(溅射)非晶质透明导电层28时，首先，将基材片2架设在放出辊38、成膜辊40及卷取辊39。
90.另外，驱动冷却装置，将成膜辊40(的表面)冷却。成膜辊40的温度(表面温度)例如为10.0℃以下，优选为0.0℃以下、更优选为-2.5℃以下、进一步优选为-5.0℃以下、进一步优选为-7.0℃以下，另外，例如为-50℃以上，优选为-20℃以上、进一步优选为-10℃以上。成膜辊40的温度为上述上限以下时，能够将基材片2充分冷却，能够在透明导电层3形成第1晶界7。详细而言，在透明导电层3的成膜时不施加过度的热量，从而能够抑制在转化为结晶质时晶粒4在厚度方向及面方向过度地生长。因此，在透明导电层3形成第1晶界7。
91.另一方面，成膜辊40的温度为上述的下限以上时，能够由非晶质的透明导电层形成可转化为结晶性的透明导电层的非晶质透明导电层28。
92.另外，驱动多个泵50，使第1成膜室51～第2成膜室52为真空，并且从第1气体供给机61～第2气体供给机62各自向第1成膜室51～第2成膜室52各自供给溅射气体。
93.作为溅射气体，例如，可举出ar等非活性气体，优选可举出混合有非活性气体和氧等反应性气体的反应性气体。为反应性气体时，能够控制透明导电层3的晶粒生长。反应性气体优选为非活性气体与氧气的混合气体。
94.相对于非活性气体流量(ml/分钟)的氧气流量(ml/分钟)的比(氧气流量/非活性气体流量)例如为0.0001以上，优选为0.001以上，另外，例如不足0.5，优选为0.1以下、更优选不足0.03、进一步优选为0.02以下、特别优选为0.01以下。上述的比为上述上限以下时，可得到具有适当的电阻特性的透明导电层3。
95.由多个气体供给机61～62供给的溅射气体中，相对于非活性气体流量(ml/分钟)的氧气流量(ml/分钟)的比(氧气流量/非活性气体流量)相同或不同。优选由多个气体供给机61～62供给的反应性气体的氧流量比不同。
96.详细而言，由第1气体供给机61供给的氧气流量的比r1比由第2气体供给机62供给的氧气流量的比r2高。具体而言，r1/r2例如为1.5以上，优选为2以上、更优选为3以上、进一步优选为4以上，另外，例如为20以下。
97.如果r1高于r2，则透明导电层3的第2主面6侧的区域的氧含量高，能够促进该区域的结晶生长，自第1主面5侧生长的晶粒4和自第2主面6侧生长的晶粒4容易独立地形成。因此，能够在透明导电层3更可靠地形成第1晶界7。
98.接着，通过驱动卷取辊39，从放出辊38放出基材片2。基材片2边与成膜辊40的表面接触，边相对于第1靶41及第2靶42移动。此时，基材片2通过与成膜辊40的表面的接触而被冷却。本技术中，基材片2的冷却温度设为实质上与成膜辊40的表面温度相同。
99.另外，在第1靶41～第2靶42各自的附近使溅射气体离子化，从而生成离子化气体。接着，离子化气体撞击第1靶41～第2靶42各自，第1靶41～第2靶42各自的靶材料被敲出，它们依次附着于基材片2。
100.在基材片2的基材第1主面21、优选在冷却至上述温度的基材片2的基材第1主面
21，附着第1靶41的靶材料，接着，附着第2靶42的靶材料。即，第1靶41～第2靶42的靶材料依次堆积于基材片2的基材第1主面21。
101.由此，非晶质透明导电层28形成于基材第1主面21。由此，得到具备基材片2及非晶质透明导电层28的非晶质透明导电性片29。
102.需要说明的是，非晶质透明导电层28如图1的b的放大图所示，朝向厚度方向一侧依次包含：由第1靶41的靶材料形成的第1区域71、及由第2靶42的靶材料形成的第2区域72。
103.需要说明的是，图1的b的放大图中，为了明确地示出彼此邻接的第1区域71～第2区域72的相对位置，示出了它们的边界，但该非晶质透明导电层28中也可以不明确地观察到边界。
104.接着，将非晶质透明导电层28结晶化，形成结晶性的透明导电层3。
105.将非晶质透明导电层28结晶化时，例如对非晶质透明导电层28进行加热。
106.加热条件没有特别限定。加热温度例如低于200℃，优选为180℃以下、更优选为170℃以下、进一步优选为165℃以下。加热时间例如为1分钟以上，优选为3分钟以上、更优选为5分钟以上，另外，例如为5小时以下，优选为3小时以下、更优选为2小时以下。另外，加热例如在大气气氛下实施。
107.由此，非晶质透明导电层28转化为具有多个晶粒4的透明导电层3。
108.由此，得到具备基材片2和透明导电层3的透明导电性片1。
109.而且，该透明导电性片1通过蚀刻(具体而言，使用蚀刻液的湿蚀刻)形成为适宜的图案、具体而言电极图案等。其后，具备经图案化的透明导电层3的透明导电性片1用于接触式传感器、电磁波屏蔽、调光元件(pdlc、spd等电压驱动型调光元件、电致变色(ec)等电流驱动型调光元件)、光电转换元件(有机薄膜太阳能电池、色素敏化太阳能电池所代表的太阳能电池等)、热射线控制构件(近红外反射和/或吸收构件、远红外反射和/或吸收构件)、天线构件(透光性天线)、图像显示装置等。
110.(一实施方式的作用效果)
111.该透明导电层3中，若蚀刻液与第1主面5接触，则蚀刻液容易从2个端缘23浸入至第1晶界7，因此，被该第1晶界7分隔的第1晶粒31容易被蚀刻。具体而言，将第1晶粒31分隔的第1晶界7的两端缘23均面向第1主面5，因此若蚀刻液浸入至第1晶界7，则来自两端缘23的蚀刻液在中间区域25进行合流。第1晶粒31例如不被面向第2主面6的第3晶粒33支撑，容易自透明导电层3蚀刻(包含缺失
·
脱落)。其结果，该透明导电性片1中透明导电层3的蚀刻速度高。
112.另外，该透明导电层3中，若蚀刻液与一侧面56接触，则蚀刻液容易浸入至第2晶界8。因此，被第2晶界8分隔的第2晶粒32容易剥离。其结果，该透明导电性片1中透明导电层3的蚀刻速度进一步更高。
113.(变形例)
114.以下的各变形例中，对与上述的一实施方式同样的构件及工序标记相同的参照符号，并省略其详细的说明。另外，各变形例除了特别说明以外，能够发挥与一实施方式同样的作用效果。进而，可以将一实施方式及其变形例适宜组合。
115.上述的溅射装置30中，多个靶41～42的数量、多个成膜室51～52的数量、及多个气体供给机61～62的数量均为2，例如，可以为3以上。例如，上述的数量为3的情况下，在形成
非晶质透明导电层28的工序中，使由第1气体供给机61供给的、相对于非活性气体流量的氧气流量的比高于由第2气体供给机62供给的、相对于非活性气体流量的氧气流量的比，进而使由第2气体供给机62供给的、相对于非活性气体流量的氧气流量的比高于由第3气体供给机63供给的、相对于非活性气体流量的氧气流量的比。上述的数为多个的情况下，任意相邻的气体供给机均将由一个气体供给机供给的、相对于非活性气体流量的氧气流量的比设为高于由与一个气体供给机的下游侧邻接的另一气体供给机供给的、相对于非活性气体流量的氧气流量的比。
116.根据该方法，透明导电层3的第2主面6侧的区域的氧含量高，因此能够促进该区域的结晶生长，自第1主面5侧生长的晶粒4和自第2主面6侧生长的晶粒4容易独立地形成。因此，能够更可靠地在透明导电层3形成第1晶界7。
117.另外，如图4所示，透明导电层3也可以具备：被另一端缘在第2主面6开放的2个第3晶界9和第1晶界7的中间区域25分隔的第4晶粒34。中间区域2包含2个第2分支点27。
118.第4晶粒34不面向一侧面56及第1主面5，而仅面向第2主面6。
119.进而，如图5所示，可以包含均不面向第1主面5、第2主面6、侧面55的第5晶粒57。
120.如图6所示，透明导电层3不具有上述的第3晶粒33及第4晶粒34(参照图2)，即，仅具有不面向第2主面6的晶粒4，即，仅具有第1晶粒31。该情况下，中间区域25不包含第1分支点26及第2分支点27(参照图2)。
121.优选的是，如一实施方式那样，中间区域25包含第2分支点27、透明导电层3包含第3晶界9。由此，若蚀刻液从第2分支点27浸入至第3晶界9、并到达第2主面6，则可促进第3晶粒33的缺失。因此，能够进一步提高蚀刻速度。
122.如图7所示，透明导电性片1还可以具备位于基材片2及透明导电层3之间的功能层19。功能层19与第2主面6及基材第1主面21接触。作为功能层19，例如，可举出抗粘连层、光学调整层、硬涂层、剥离功能层等。功能层19为单层或多层。功能层19中，作为构成材料，无机材料、有机材料、有机材料与无机材料的复合材料均可以应用。
123.虽然未图示，但也可以从在基材片2与透明导电层3之间具备剥离功能层作为功能层19的透明导电性片1将透明导电层3剥离。经剥离的透明导电层3例如可以通过转印及贴合于构成接触式传感器的其他构件来使用。
124.溅射装置30中，虽然未图示，但也可以使用在面方向延伸的平坦的成膜板代替成膜辊40。多个靶41～42与成膜板隔开间隔地并列配置。
125.实施例
126.以下，示出实施例及比较例，更具体地对本发明进行说明。需要说明的是，本发明不受任何实施例及比较例的限定。另外，以下的记载中使用的配混比例(比例)、物性值、参数等具体的数值可以替换为上述的“具体实施方式”中记载的与它们对应的配混比例(比例)、物性值、参数等该记载的上限(定义为“以下”、“不足”的数值)或下限(定义为“以上”、“超过”的数值)。
127.实施例1
128.首先，准备pet薄膜卷(三菱树脂株式会社制、厚度50μm)。接着，在pet薄膜卷的上表面涂布包含丙烯酸类树脂的紫外线固化性树脂，利用紫外线照射使其固化，形成由固化树脂层形成、厚度为2μm的功能层。由此，得到具备透明基材和功能层的基材片2。
129.其后，通过溅射在基材片2的功能层面形成厚度155nm的透明导电层3。
130.详细而言，首先，准备溅射装置30，其具备由氧化锡浓度为10质量％的ito形成的第1靶41和由氧化锡浓度为3质量％的ito形成的第2靶42，将基材片2架设在溅射装置30的放出辊38、成膜辊40及卷取辊39。
131.接着，驱动冷却装置，将成膜辊40的表面温度冷却至-8℃。
132.另外，驱动多个泵50，使第1成膜室51～第2成膜室52各自为0.4pa、为真空(减压气氛)，并且从第1气体供给机61～第2气体供给机62各自向第1成膜室51～第2成膜室52各自以表1中记载的流量比(氧气流量/氩气流量)供给反应性气体。
133.另外，通过卷取辊39的驱动，从放出辊38放出基材片2。
134.然后，在第1成膜室51～第2成膜室52各自中实施溅射。
135.由此，在基材片2的基材第1主面21形成具有第1区域71～第2区域72的非晶质透明导电层28。由此，得到具备基材片2和非晶质透明导电层28的非晶质透明导电性片29。
136.其后，将非晶质透明导电性片29在大气气氛下以165℃进行120分钟加热，使透明导电层3(非晶质透明导电层28)结晶化。由此，制造具备基材片2及透明导电层3的透明导电性片1。
137.比较例1～比较例2
138.按照表1的记载，变更成膜条件和透明导电层3的厚度，除此以外，与实施例1同样地处理。
139.《评价》
140.对于实施例及各比较例的透明导电层3，对下述的项目进行评价。将它们的结果示于表1。
141.[透明导电层的厚度]
[0142]
通过使用透射型电子显微镜(日立制作所制、装置名“hf-2000”)的截面观察求出透明导电层3的厚度。
[0143]
[晶粒的截面观察]
[0144]
通过fib微采样法，对实施例1及比较例1～2的透明导电性片1进行截面调整后，对各个透明导电层3的截面实施fe-tem观察，观察第2晶界8的有无。需要说明的是，以能够观察任意晶粒4的方式来设定倍率。
[0145]
装置及测定条件如下。
[0146]
fib装置；hitachi制fb2200、加速电压:10kv
[0147]
fe-tem装置；jeol制jem-2800、加速电压：200kv
[0148]
其结果，实施例1中，观察到第1晶粒31。此外也观察到了第2晶粒32、第3晶粒33、和第4晶粒44。
[0149]
另一方面，比较例1及比较例2中，未观察到第1晶粒31，而仅观察到第4晶粒44。
[0150]
[第1主面中的晶粒的最大结晶粒径]
[0151]
利用表面fe-sem，对透明导电层3的表面从第1主面5侧在面方向进行观察，求出第1主面5的晶粒4的最大结晶粒径。
[0152]
sem装置：hitachihigh-technologies制、扫描电子显微镜su8020
[0153]
加速电压：0.8kv
[0154]
[透明导电层的蚀刻速度]
[0155]
将实施例、各比较例的透明导电性片1在浓度7质量％、35℃的盐酸中浸渍后，进行水洗
·
干燥，用试验仪测定15mm间的端子间电阻(试验仪的测定周期设为每15秒)。本说明书中，将在盐酸中的浸渍
·
水洗
·
干燥后、15mm间的端子间电阻超过50kω、或变为绝缘的时间作为透明导电层3的蚀刻结束的时间，用该时间除以透明导电层3的总厚，由此求出蚀刻1nm透明导电层3所需的时间(蚀刻速率(秒/nm))，按以下的基准实施评价。通过本评价，能够在不依赖于透明导电层3的厚度的状态下判定透明导电层3的蚀刻速度。
[0156]
○
：每单位厚度的蚀刻时间不足15(秒/nm)。
[0157]
×
：每单位厚度的蚀刻时间为15以上(秒/nm)。
[0158]
[表1]
[0159][0160]
需要说明的是，上述发明作为本发明的例示的实施方式而提供，但这不过是单纯的例示，并不作限定性解释。对于本领域技术人员而言显而易见的本发明的变形例包含在前述的权利要求书中。
[0161]
产业上的可利用性
[0162]
透明导电层例如用于透明导电性片、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件及图像显示装置。
[0163]
附图标记说明
[0164]
1 透明导电性片
[0165]
2 基材片
[0166]
3 透明导电层
[0167]
4 晶粒
[0168]
5 第1主面
[0169]
6 第2主面
[0170]
8 第2晶界
[0171]
23 端缘
[0172]
25 中间区域
[0173]
31 第1晶粒
[0174]
55 侧面
[0175]
56 一侧面