透明导电层、透明导电性片、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件及图像显示装置的制作方法

技术特征：
1.一种透明导电层，其特征在于，具备：露出至外部的第1主面、及与所述第1主面在厚度方向相对的第2主面，所述透明导电层为在与所述厚度方向正交的面方向延伸的单一的层，所述透明导电层具有：剖面图中2个端缘均在所述第1主面开放、且两端缘之间的中间区域不与第2主面接触的晶界；和被所述晶界分隔、且仅面向所述第1主面的第1晶粒。2.根据权利要求1所述的透明导电层，其特征在于，还具有第2晶界，所述第2晶界向连接所述第1主面的端缘及所述第2主面的端缘的侧面开放。3.根据权利要求1或2所述的透明导电层，其特征在于，所述透明导电层的材料为含锡的氧化物。4.一种透明导电性片，其特征在于，具备：权利要求1或2所述的透明导电层；和位于所述透明导电层的所述第2主面侧的基材片。5.一种接触式传感器，其特征在于，具备权利要求1或2所述的透明导电层。6.一种调光元件，其特征在于，具备权利要求1或2所述的透明导电层。7.一种光电转换元件，其特征在于，具备权利要求1或2所述的透明导电层。8.一种热射线控制构件，其特征在于，具备权利要求1或2所述的透明导电层。9.一种天线，其特征在于，具备权利要求1或2所述的透明导电层。10.一种电磁波屏蔽构件，其特征在于，具备权利要求1或2所述的透明导电层。11.一种图像显示装置，其特征在于，具备权利要求1或2所述的透明导电层。

技术总结
透明导电层3具备：露出至外部的第1主面5、及与第1主面5在厚度方向相对的第2主面6。透明导电层3为在面方向延伸的单一的层。透明导电层3具有：剖视图中2个端缘23均在第1主面5开放、且两端缘23之间的中间区域25不与第2主面6接触的第1晶界7；和被所述第1晶界7分隔、且仅面向第1面5的第1晶粒31。面向第1面5的第1晶粒31。面向第1面5的第1晶粒31。


技术研发人员：藤野望
受保护的技术使用者：日东电工株式会社
技术研发日：2021.01.29
技术公布日：2022/9/13