校验方法、测试机台及存储介质与流程

1.本公开涉及半导体电路测试领域，特别涉及一种校验方法、测试机台及存储介质。


背景技术：

2.动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)中，预留了很多冗余电路，冗余电路基于反熔丝存储阵列提供的使能信号和地址控制信号进行工作，用于对正常存储电路进行功能修补，以使得出现部分功能缺陷的存储器基于冗余电路的功能修补，仍能够正常工作；
3.存储器中反熔丝存储阵列的规模很大，在一个例子中，反熔丝存储阵列共有442000个反熔丝存储单元，其中，62700个反熔丝存储单元用于控制行冗余电路，152000个反熔丝存储单元用于控制列冗余电路，剩下部分反熔丝存储单元为存储器的测试模式的选择器。
4.因此，在如此大量的反熔丝存储单元的数目下，批量化且准确的通过每一个反熔丝存储单元验证对应的冗余电路信息十分重要。


技术实现要素：

5.本公开实施例提供一种校验方法、测试机台及存储介质，通过设计一种批量且自动化验证每一个反熔丝存储单元对应的冗余电路信息的测试方法，简便快捷的测试存储器冗余电路的功能是否正常，以提升存储器的稳定性。
6.本公开一实施例提供了一种校验方法，用于校验待测存储器中冗余电路的修补功能，冗余电路基于反熔丝存储阵列选通驱动，包括：获取待测存储器中的修补映射表，修补映射表用于表征反熔丝存储阵列中反熔丝器件与冗余电路的映射关系；基于修补映射表生成对应于每个反熔丝器件的测试向量，测试向量用于开启反熔丝器件在修补映射表中对应的存储地址；提供测试数据和读/写命令，基于测试向量获取待测存储器的测试结果，并基于测试结果和测试数据判断测试向量对应的冗余电路的修补功能是否正常。
7.本公开实施例通过获取待测存储器的修补映射表，并根据修补映射表的内容批量化产生测试向量，通过测试向量完成对相应反熔丝存储阵列中具体反熔丝存储单元对应的冗余电路信息进行校验，并对相应冗余电路的修补功能进行校验，从而实现每一反熔丝存储单元对应的冗余电路信息的自动化验证，以及简便快捷的测试存储器冗余电路的功能是否正常，从而提升存储器的稳定性。
8.另外，在生成测试向量之前，还包括：获取待测存储器中的待测区域地址，待测区域地址为待测试区域中的存储地址；基于修补映射表，获取属于待测区域地址的子映射表；基于修补映射表生成对应于每个反熔丝器件的测试向量，包括：基于子映射表生成对应于每个反熔丝器件的测试向量，以降低存储器的单次校验负荷或实现对冗余电路的具体功能的校验。
9.另外，测试向量基于存储的测试脚本生成，且测试脚本预先设定并存储在测试机
台中。通过将测试脚本预先设定并存储在测试机台中，使得测试机台对待测存储器的测试过程中，当向测试机台中导入待测存储器的修补映射表或子映射表后，测试机台自动化生成测试向量，以缩短对待测存储器的测试时间。
10.另外，提供测试数据和读/写命令，基于测试向量获取待测存储器的测试结果，包括：基于系统verilog编程命令解析测试向量，获取测试向量所需检测的存储地址；向存储地址提供测试数据和读/写命令，获取存储地址的测试结果。
11.另外，基于测试结果和测试数据判断测试向量对应的冗余电路的修补功能是否正常，包括：基于测试结果和测试数据中的关键词判断测试结果和测试数据是否相同；若测试结果和测试数据相同，则对应的冗余电路的修补功能正常；若测试结果和测试数据不同，则对应的冗余电路的修补功能异常。
12.另外，基于测试向量和存储的测试脚本自动化获取待测存储器的测试结果。
13.另外，判断测试向量对应的冗余电路的修补功能是否正常之后，还包括：输出修补功能异常的冗余电路对应的存储地址；通过输出修补功能异常的冗余电路对应的存储地址，以便于工作人员进行相应功能调整。
14.本公开另一实施例提供了一种测试机台，连接待测存储器，采用上述实施例提供的校验方法对待测存储器的冗余电路进行校验，包括：信息获取模块，被配置为，获取待测存储器中的修补映射表；数据截取模块，连接信息获取模块，被配置为，基于修补映射表生成对应于每个反熔丝器件的测试向量；信号发送模块，连接数据截取模块，被配置为，向测试向量中的存储地址提供测试数据和读/写命令；信号接收模块，被配置为，接收待测存储器基于测试数据和读/写命令生成的测试结果；测试判断模块，连接信号发送模块和信号接收模块，被配置为，基于测试数据和测试结果，判断冗余电路的修补功能是否正常。
15.通过信息获取模块获取待测存储器的修补映射表，数据截取模块根据修补映射表的内容批量化产生测试向量，信号发送模块和信号接收模块用于完成测试机台与待测存储器之间的数据传输，测试判断模块通过测试向量完成对相应反熔丝存储阵列中具体反熔丝存储单元对应的冗余电路信息进行校验，并对相应冗余电路的修补功能进行校验，从而实现每一反熔丝存储单元对应的冗余电路信息的自动化验证，以及简便快捷的测试存储器冗余电路的功能是否正常，从而提升存储器的稳定性。
16.另外，测试机台，还包括：定位模块，被配置为，获取外部输入的待测区域地址，并基于待测区域地址和修补映射表，获取属于待测区域地址的子映射表；数据截取模块，还连接定位模块，被配置为，基于子映射表生成对应于每个反熔丝器件的测试向量，通过定位模块生成子映射表以降低存储器的单次校验负荷或实现对冗余电路的具体功能的校验。
17.另外，数据截取模块，包括：脚本存储单元，被配置为，用于设置并存储测试脚本；数据生成单元，连接脚本存储单元和信息获取模块，被配置为，基于修补映射表和存储的测试脚本生成测试向量。通过将测试脚本预先设定并存储在测试机台中，使得测试机台对待测存储器的测试过程中，当向测试机台中导入待测存储器的修补映射表后，测试机台自动化生成测试向量，以缩短对待测存储器的测试时间。
18.另外，信号发送模块，包括：数据解析单元，连接数据截取模块，被配置为，基于系统verilog编程命令解析测试向量，获取测试向量所需检测的存储地址；命令发送单元，连接数据解析单元，被配置为，向存储地址提供测试数据和读/写命令。
19.另外，测试判断模块还被配置为，输出修补功能异常的冗余电路对应的存储地址，测试判断模块输出修补功能异常的冗余电路对应的存储地址，以便于工作人员进行相应功能调整。
20.本公开又一实施例还提供了一计算机可读存储介质，存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述实施例提供的校验方法。
附图说明
21.一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本公开实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
22.图1和图2为本公开一实施例提供的校验方法中各步骤对应的流程示意图；
23.图3和图4为本公开另一实施例提供的测试机台的结构示意图；
24.图5为本公开另一实施例提供的数据截取模块的结构示意图；
25.图6为本公开另一实施例提供的信号发送模块的结构示意图。
具体实施方式
26.由背景技术可知，存储器中反熔丝存储阵列的规模很大，在一个例子中，反熔丝存储阵列共有442000个反熔丝存储单元，其中，62700个反熔丝存储单元用于控制行冗余电路，152000个反熔丝存储单元用于控制列冗余电路，剩下部分反熔丝存储单元为存储器的测试模式的选择器。因此，在如此大量的反熔丝存储单元的数目下，批量化且准确的验证每一个反熔丝存储单元对应的冗余电路信息十分重要。
27.本公开一实施例提供了一种校验方法，通过设计一种批量且自动化验证每一个反熔丝存储单元对应的冗余电路信息的测试方法，简便快捷的测试存储器冗余电路的功能是否正常，以提升存储器的稳定性。
28.本领域的普通技术人员可以理解，在本公开各实施例中，为了使读者更好地理解本公开而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本公开所要求保护的技术方案。以下各个实施例的划分是为了描述方便，不应对本公开的具体实现方式构成任何限定，各个实施例在不矛盾的前提下可以相互结合，相互引用。
29.图1和图2为本实施例提供的校验方法中各步骤对应的流程示意图，以下结合附图对本实施例提供的校验方法进行详细说明，具体如下：
30.本实施例提供的校验方法用于校验待测存储器中冗余电路的修补功能，冗余电路基于反熔丝存储阵列选通驱动，由背景技术可知，冗余电路基于反熔丝存储阵列提供的使能信号和地址控制信号进行工作，用于对正常存储电路进行功能修补，以使得出现部分功能缺陷的存储器基于冗余电路的功能修补，仍能够正常工作。
31.参考图1，校验方法，包括：步骤101，获取待测存储器中的修补映射表。
32.具体地，修补映射表用于表征反熔丝存储阵列中反熔丝器件与冗余电路的映射关
系。
33.表1-待测存储器的修补映射表的示意图
[0034][0035][0036]
参考表1，其中“bank”、“x16”、“x15”、“mat”、“cr”和“dq”表征冗余电路的具体位置即冗余电路相应的存储地址，以及所需修补的存储器电路功能；“fa”、“segment”、“region”、“block”、“y_add”和“x_add”表征反熔丝存储阵列中反熔丝器件的位置；通过上述修补映射表的一行内容，以获取阵列中每一反熔丝器件对应的冗余电路的具体位置，以及所需修补的存储器电路功能。
[0037]
需要说明的是，上述修补映射表的具体内容为本实施例的举例说明，用于本领域技术人员理解修补映射表，对于不同的dram，所设置的修补映射表的具体内容可以相同，也可以不同，本实施例并不构成对修补映射表具体内容的限定。
[0038]
继续参考图1，步骤102，基于修补映射表生成对应于每个反熔丝器件的测试向量。
[0039]
具体地，测试向量用于开启反熔丝器件在修补映射表中对应的存储地址，即通过测试向量，对应到冗余电路的具体位置，从而对冗余电路的相应位置的修补功能进行校验。
[0040]
需要说明的是，修补映射表的每一行内容都对应产生一个测试向量。
[0041]
步骤103，提供测试数据和读/写命令，基于测试向量获取待测存储器的测试结果。
[0042]
具体地，关闭存储器正常读写功能，通过测试向量打开相应冗余电路的存储地址，以校验冗余电路的修补功能，基于提供的测试数据和读/写命令，存储器完成对测试数据的读操作/写操作。
[0043]
步骤104，基于测试结果和测试数据判断测试向量对应的冗余电路的修补功能是否正常。
[0044]
具体地，获取存储器完成对测试数据的读操作/写操作的测试结果，并根据测试结果和测试数据判断相应冗余电路的修补功能是否正常。
[0045]
基于以上论述可知，本公开实施例通过获取待测存储器的修补映射表，并根据修补映射表的内容批量化产生测试向量，通过测试向量完成对相应反熔丝存储阵列中具体反熔丝存储单元对应的冗余电路信息进行校验，并对相应冗余电路的修补功能进行校验，从而实现每一反熔丝存储单元对应的冗余电路信息的自动化验证，以及简便快捷的测试存储器冗余电路的功能是否正常，从而提升存储器的稳定性。
[0046]
参考图2，在一些实施例中，在生成测试向量之前，即步骤102之前，还包括：
[0047]
步骤201，获取待测存储器中的待测区域地址，并基于修补映射表获取属于待测区域地址的子映射表。
[0048]
具体地，获取待测存储器中的待测区域地址，待测区域地址为待测试区域中的存储地址，基于修补映射表，获取属于待测区域地址的子映射表。
[0049]
在一个具体的例子中，待测区域地址可以为对修补映射表的区域划分，以生成多个子映射表，以降低存储器的单次校验负荷。
[0050]
在另一个具体的例子中，待测区域地址可以为对待测存储器中冗余电路修补功能的具体功能划分，以生成多个子映射表，以实现对冗余电路的具体功能的校验。
[0051]
此时，基于修补映射表生成对应于每个反熔丝器件的测试向量，包括：基于子映射表生成对应于每个反熔丝器件的测试向量。即步骤102替换为步骤202，基于子映射表生成对应于每个反熔丝器件的测试向量。
[0052]
参考图1和图2，对于步骤103生成测试向量，在一些实施例中，测试向量基于存储的测试脚本生成，且测试脚本预先设定并存储在测试机台中。
[0053]
具体地，对于图1所示流程，测试向量基于测试脚本和修补映射表生成，对于图2所示流程，测试向量基于测试脚本和子映射表生成。
[0054]
通过将测试脚本预先设定并存储在测试机台中，使得测试机台对待测存储器的测试过程中，当向测试机台中导入待测存储器的修补映射表或子映射表后，测试机台自动化生成测试向量，以缩短对待测存储器的测试时间。
[0055]
继续参考图1和图2，对于步骤104，在一些实施例中，步骤104包括：基于系统verilog编程命令解析测试向量，获取测试向量所需检测的存储地址，向存储地址提供测试数据和读/写命令，获取存储器地址的测试结果。
[0056]
具体地，测试机台通过系统verilog编程命令以解析生成的测试向量，从而基于测试向量获取所需测试的冗余电路的地址，从而基于冗余电路的地址对相应冗余电路进行校验。
[0057]
继续参考图1和图2，对于步骤105，在一些实施例中，步骤105包括：基于测试结果和测试数据中的关键词判断测试结构和测试数据是否相同，若测试结构和测试数据相同，则对应的冗余电路的修补功能正常，若测试结构与测试数据不同，对应的冗余电路的修补功能异常。
[0058]
在一些实施例中，测试机台基于上述测试流程完成对待测存储器中冗余电路的修补功能进行校验，且基于测试向量和存储的测试脚本自动化获取待测存储器的测试结果。
[0059]
在一些实施例中，判断测试向量对应的冗余电路的修补功能是否正常之后，还包括：输出修补功能异常的冗余电路对应的存储地址，通过输出修补功能异常的冗余电路对应的存储地址，以便于工作人员进行相应功能调整。
[0060]
需要说明的是，上述实施例所提供的校验方法中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，可以得到新的校验方法实施例。
[0061]
本公开实施例通过获取待测存储器的修补映射表，并根据修补映射表的内容批量化产生测试向量，通过测试向量完成对相应反熔丝存储阵列中具体反熔丝存储单元对应的冗余电路信息进行校验，并对相应冗余电路的修补功能进行校验，从而实现每一反熔丝存储单元对应的冗余电路信息的自动化验证，以及简便快捷的测试存储器冗余电路的功能是否正常，从而提升存储器的稳定性。
[0062]
需要说明的是上述提到的反熔丝器件在具体应用中可以设置为反熔丝存储单元，本实施例并不构成对反熔丝器件的结构限定。
[0063]
本公开另一实施例提供一种测试机台，连接待测存储器400，采用上述实施例提供的校验方法对待测存储器400的冗余电路进行校验，简便快捷的测试存储器冗余电路的功能是否正常，以提升存储器的稳定性。
[0064]
图3和图4为本实施例提供的测试机台的结构示意图，图5为本实施例提供的数据截取模块的结构示意图，图6为本实施例提供的信号发送模块的结构示意图，以下结合附图对本实施例提供的测试机台进行详细说明，具体如下：
[0065]
参考图3，测试机台300，包括：
[0066]
信号获取模块301，被配置为，获取待测存储器400中的修补映射表。
[0067]
数据截取模块302，连接信息获取模块301，被配置为，基于修补映射表生成对应于每个反熔丝器件的测试向量。
[0068]
信号发送模块303，连接数据截取模块，被配置为，向测试向量中的存储地址提供测试数据和读/写命令。
[0069]
信号接收模块304，被配置为，接收待测存储器400基于测试数据和读/写命令生成的测试结果。
[0070]
测试判断模块305，连接信号发送模块303和信号接收模块304，被配置为，基于测试数据和测试结果，判断冗余电路的修补功能是否正常。
[0071]
本公开实施例通过信息获取模块301获取待测存储器400的修补映射表，数据截取模块302根据修补映射表的内容批量化产生测试向量，信号发送模块303和信号接收模块304用于完成测试机台与待测存储器400之间的数据传输，测试判断模块305通过测试向量完成对相应反熔丝存储阵列中具体反熔丝存储单元对应的冗余电路信息进行校验，并对相应冗余电路的修补功能进行校验。
[0072]
对于信号获取模块301和数据截取模块302，信号获取模块301获取的修补映射表参考表1，其中“bank”、“x16”、“x15”、“mat”、“cr”和“dq”表征冗余电路的具体位置即冗余电路相应的存储地址，以及所需修补的存储器电路功能；“fa”、“segment”、“region”、“block”、“y_add”和“x_add”表征反熔丝存储阵列中反熔丝器件的位置；数据截取模块302通过上述修补映射表的一行内容，以获取阵列中每一反熔丝器件对应的冗余电路的具体位置，以及所需修补的存储器电路功能。
[0073]
在一些实施例中，参考图5，数据截取模块302，包括：脚本存储单元312，被配置为，用于设置并存储测试脚本。数据生成单元322，连接脚本存储单元312和信息获取模块301，被配置为，基于修补映射表和存储的测试脚本生成测试向量。通过将测试脚本预先设定并
存储在测试机台300中，使得测试机台300对待测存储器400的测试过程中，当向测试机台300中导入待测存储器400的修补映射表后，测试机台自动化生成测试向量，以缩短对待测存储器400的测试时间。
[0074]
在一些实施例中，参考图6，信号发送模块303，包括：数据解析单元313，连接数据截取模块302，被配置为，基于系统verilog编程命令解析测试向量，获取测试向量所需徐检测的存储地址。命令发送单元323，连接数据解析单元313，被配置为，向存储地址提供测试数据和读/写命令。
[0075]
在一些实施例中，参考图4，测试机台300，还包括：定位模块306，被配置为，获取外部输入的待测区域地址，并基于待测区域地址和修补映射表，获取输入待测区域地址的子映射表。数据截取模块302还连接定位模块306，被配置为，基于子映射表生成对应于每个反熔丝器件的测试向量。
[0076]
对于测试判断模块305，在一些实施例中，测试判断模块305还被配置为，输出修补功能异常的冗余电路对应的存储地址，测试判断模块305输出修补功能异常的冗余电路对应的存储地址，以便于工作人员进行相应功能调整。
[0077]
在一个具体的例子中，待测区域地址可以为对修补映射表的区域划分，以生成多个子映射表，以降低存储器的单次校验负荷。
[0078]
在另一个具体的例子中，待测区域地址可以为对待测存储器400中冗余电路修补功能的具体功能划分，以生成多个子映射表，以实现对冗余电路的具体功能的校验。
[0079]
需要说明的是，上述实施例所提供的测试机台中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，可以得到新的测试机台实施例。
[0080]
本实施例通过信息获取模块301获取待测存储器400的修补映射表，数据截取模块302根据修补映射表的内容批量化产生测试向量，信号发送模块303和信号接收模块304用于完成测试机台与待测存储器400之间的数据传输，测试判断模块305通过测试向量完成对相应反熔丝存储阵列中具体反熔丝存储单元对应的冗余电路信息进行校验，并对相应冗余电路的修补功能进行校验，从而实现每一反熔丝存储单元对应的冗余电路信息的自动化验证，以及简便快捷的测试存储器冗余电路的功能是否正常，从而提升存储器的稳定性。
[0081]
本实施例中所涉及到的各单元均为逻辑单元，在实际应用中，一个逻辑单元可以是一个物理单元，也可以是一个物理单元的一部分，还可以以多个物理单元的组合实现。此外，为了突出本公开的创新部分，本实施例中并没有将与解决本公开所提出的技术问题关系不太密切的单元引入，但这并不表明本实施例中不存在其它的单元。
[0082]
本公开又一实施例提供一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述实施例所述的校验方法。
[0083]
即，本领域技术人员可以理解，实现上述实施例方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一个设备(可以是单片机，芯片等)或处理器(processor)执行本技术各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-onlymemory)、随机存取存储器(ram，randomaccessmemory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0084]
在一些实施例中，应用于上述实施例提及的校验方法的待测存储器可以是基于半
导体装置或组件的存储单元或装置。例如，存储器装置可以是易失性存储器，例如动态随机存取存储器dram、同步动态随机存取存储器sdram、双倍数据速率同步动态随机存取存储器ddr sdram、低功率双倍数据速率同步动态随机存取存储器lpddr sdram、图形双倍数据速率同步动态随机存取存储器gddr sdram、双倍数据速率类型双同步动态随机存取存储器ddr2sdram、双倍数据速率类型三同步动态随机存取存储器ddr3sdram、双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器ddr4sdram、晶闸管随机存取存储器tram等；或者可以是非易失性存储器，例如相变随机存取存储器pram、磁性随机存取存储器mram、电阻式随机存取存储器rram等。
[0085]
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施例是实现本公开的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本公开的精神和范围。